宽阵元间距高分辨率MIMO雷达阵列设计与实现

针对多输入多输出(multiple-input multiple-output,MIMO)雷达传统阵列设计方法中方位分辨率受限于阵元数目,阵元之间耦合作用明显的问题,提出了一种基于宽阵元间距的高分辨率阵列设计方法.使用了平板定向天线作为阵列的基本收发单元,提高了阵列中阵元之间的隔离度,同时采用了宽阵元间距的等效阵列设计方法,扩展了阵列孔径长度,从而进一步提高了方位分辨率,最后用仿真分析结果验证了该方法的有效性.     

浙江省台州市方远国际大酒店设计总结

结合台州方远国际大酒店的工程概况,介绍了大酒店的平面布置方法及造型设计,阐述了其生活给水、消防系统、污废水排放系统及集中空调系统的设计方法,为其他类似建筑物的设计提供了参考。     

山东范家庄金矿床原生晕特征研究及深部找矿预测

为探讨山东范家庄金矿床深部成矿潜力,文章采用原生晕地球化学方法对600勘探线所控制的Ⅵ-1号矿体进行原生晕轴向分带特征研究。地球化学原生晕统计分析表明,范家庄金矿特征指示元素为Au、Ag、Cu、Zn、As、Sb、Hg、B、W、Mo、Bi、Mn、Co、Ni、V、Cd。600勘探线原生晕轴向分带特征中可见典型的"反向分带或反常"特征,表明范家庄金矿床具有多期成矿成晕特征,且矿体上部产生剥蚀。在矿体尾部原生晕存在前缘晕与尾晕共存叠加现象,指示矿体深部可能还存在隐伏盲矿体。     

GeoReveal MRIL P核磁解谱技术在低孔渗储层评价中的应用

从MRIL P核磁共振测井仪器硬件优势出发,深入阐述了MRIL-P核磁T₂解谱３个最核心的问题--解谱目标函数的确立、解向量的非负处理以及正则化方法的选择。在对MRIL-P型核磁解谱技术方法研究的基础上,展示了不同信噪比、不同岩性解谱的效果。JLS构造下侏罗统珍珠冲组砾岩储层具有岩性复杂、储集空间类型多样、低孔渗等特点,准确求取地层孔隙度是测井解释评价难点之一,结合MRIL-P型核磁共振解谱方法研究成果,提出采用求取最优正则化因子的方法来进行处理。处理结果证实MRIL-P型核磁共振测井适用于低孔渗储层孔隙度测井需求。     

元坝气田超深高含硫气井测试及储层改造关键技术

四川盆地东北部元坝气田具有高温、高压、高含H₂S特性,储层埋藏深且非均质性强,由此带来了测试工艺复杂、储层改造困难、井控安全风险大等困难。在元坝超深高含硫气井测试实践中,逐步形成了材质优化选择、一体化管柱多功能APR测试、多级压力控制、测试制度优化、快速返排、井控工艺、堵漏压井工艺、地面流程安全控制技术及海相储层改造工艺技术,从而满足了元坝气田“三高”气井试气的需要。现场应用结果表明,已施工完的16口井55层,获得工业气流14口井23层,未发生一起安全事故,有效保障了元坝气田勘探的顺利进行,取得了安全、优快、环保的工作效果和重大社会经济效益。     

山东范家庄金矿床地质特征及找矿潜力分析

范家庄金矿位于胶东昆嵛山-乳山凸起西北部,牟(平)-乳(山)金成矿带北端。本文通过矿床地质特征、围岩蚀变、控矿构造等方面展开综合研究,划分了蚀变组合分带及成矿阶段,总结了矿体赋存规律。矿体严格受北北东或北东向断裂带控制,呈脉状、透镜状产出,具尖灭再现特点。围岩蚀变主要有绢英岩化、硅化、黄铁矿化、钾化、绿帘石化、绿泥石化等,并具明显蚀变分带现象。矿床的成矿期次划分为五期,其中主要的金成矿阶段为石英-黄铁矿阶段及多金属硫化物阶段。通过区域及矿区两方面成矿地质条件分析,认为该区具良好的找矿潜力。     

热障涂层高温氧化生长应力预测

基于Clark氧化生长应变率理论和Wagner氧化模型给出了涂层高温生长应力公式,计算预测了热障涂层中氧化生长应力随时间的演化规律;利用光致发光分析技术对氧化层的应力进行了实验测试,并对两种结果进行了比较和分析。结果表明,本文给出的热障涂层高温氧化生长应力模型预测与实验结果符合     

扭力冲击器复合钻进工艺在干热岩钻井中的试验应用

扭力冲击器在石油、天然气行业钻井中得到广泛应用,具有提速增效的作用。而干热岩钻井工作环境不同于油气钻井,面临着高温、高压、硬岩、强研麿性以及深井、超深井等问题,因此对扭力冲击器进行了针对性设计,并进行试验应用。在扭力冲击器2次入井试验中,对硬-极硬岩地层进行了不同钻具组合下的钻进试验,确定了扭力冲击器对钻进效率的影响机理。结果表明：（1）扭力冲击器能够消除螺杆钻具因离心惯性力造成钻具的横向振动,验证了扭力冲击器与螺杆钻具组合应用的可行性。相比未使用扭力冲击器井段,机械钻速提高29.59%。（2）从碎岩机理和地层适配性上,相比PDC钻头,牙轮钻头在扭力冲击器+螺杆钻具+转盘复合钻进的方式下,有着较高的钻进优势。试验成果可为扭力冲击器与牙轮钻头匹配性研究和扭力冲击器与螺杆钻具的耦合性研究提供较好的技术基础。     

SiO_2对SnO_2·CoO·Nb_2O_5压敏电阻非线性电学性质的影响

对 Si O2 掺杂的 Sn O2 · Co O· Nb2 O5 压敏电阻非线性电学性质进行了研究 ,并对其微观结构进行了电镜扫描 ,且对其晶界势垒高度进行了测量。实验表明 x(Si O2 ) =0 .3%掺杂的 Sn O2 · Co O· Nb2 O5 压敏电阻的非线性系数 α高达 30 ,并且具有最高的击穿电场 (375 V/ mm)。采用 Gupta- Carlson缺陷模型对晶界肖特基势垒高度随Si O2 的添加而变大的现象进行了理论解释。