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设计了一款带有软启动电路的精密CMOS带隙基准源,并且利用PN结正向导通电压具有负温度系数和基准源提供的偏置电流具有正温度系数的原理实现了过温保护功能。采用UMC公司0.6μm 2P2M标准CMOS工艺进行设计和仿真,HSPICE模拟表明带隙基准的输出电压为1.293 V,且具有较高的精度和稳定性。在1.5V~4.0V的电源电压范围内基准随输入电压的最大偏移为0.27 mV;在-40℃~120℃的温度范围内,基准随温度的变化约为4.41 mV;基准的输出启动时间约为25μs;当工作温度超过160℃时过温保护电路将输出使能信号关断整个系统。 相似文献
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A CMOS wideband front-end IC is demonstrated in this paper.It consists of a low noise transconductance amplifier(LNTA) and a direct RF sampling mixer(DSM) with embedded programmable discrete-time filtering.The LNTA has the features of 0.5-6 GHz wideband,wideband input matching and low noise.The embedded filter following the DSM operates in discrete-time charge domain,filtering the aliasing signals and interferences while controlling the IF bandwidth according to the clock frequency.The measured NF of the front-end was below 7 dB throughout the whole band from 0.5 to 6 GHz.It shows a conversion gain of 12.6 dB and IP1dB of-7.5 dBm at 2.4 GHz.It occupies a chip area of 0.23 mm2 and consumes 14 mA DC current. 相似文献
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文章介绍了一种基于查找表的二元单调函数的幅值增量比较算法及其FPGA硬件电路设计实现.通过改变查找表的存储数据和函数值的输出方式来实现函数值的输出。与传统的实现算法相比较,该算法将节约95%以上的ROM。 相似文献
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对影响压控振荡器(VCO)线性度的因素进行了研究,并提出了一种适用于2.4GHz ISM频段的高调节线性度的CMOS LC VCO结构。新的VCO结构采用两个控制端,分别控制一对p /n-well变容管和一对MOS变容管。该VCO输出两个波段,调节非线性度分别为1.45%和1.74%,总调节范围为2.33~2.72 GHz,功耗为15mW,芯片面积为534×540μm2。结果表明,新的电路结构使得VCO的调节非线性度降低到通常只用一对变容管的VCO的一半以下,同时极大地减小了调节范围内相噪声的波动,有效地提高ISM频段内多种无线通信标准的射频收发机的性能。 相似文献
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本文展示了一种新型的CMOS宽带射频前端芯片。它由低噪声跨到放大器(LNTA)和内嵌了可编程的离散时间滤波器的射频直接采样混频器(DSM)组成。第一级的LNTA具有0.5到6GHz的带宽,宽带输入匹配以及低噪声的特性。DSM之后的内嵌滤波器工作在离散时间电荷域,可以根据始终频率控制中频带宽,同时滤除混叠和干扰信号。测试结果显示,在0.5到6GHz的带宽内,噪声系数均低于7dB。在2.4GHz处,转换增益为12.6dB,IP1dB为-7.5dBm。该芯片所占面积为0.23mm2,消耗14mA直流电流。 相似文献
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基于UMC的0.6μm BCD 2P2M工艺,探讨了一种高性能Rail-to-Rail恒定跨导CMOS运算放大器.该运算放大器的输入级采用互补差分对,其尾电流由共模输入信号来控制,以此来保证输入级的总跨导在整个共模范围内保持恒定.输出级采用ClassAB类控制电路,并且将其嵌入到求和电路中,以此减少控制电路电流源引起的噪声和失调.为了优化运算放大器低频增益、频率补偿、功耗及谐波失真,求和电路采用了浮动电流源来偏置.该运算放大器采用米勒补偿实现了18MHz的带宽,低频增益约为110dB,Rail-to-Rail引起的跨导变化约为15%,功耗约为10mW. 相似文献