过电流保护在变压器合闸过程中的自适应策略

变压器铁磁材料的激磁特性呈现非线性,这将导致在变压器合闸过程中产生励磁涌流现象。过电流保护往往反映单一的电流幅值特征而动作,当变压器合闸过程发生时,励磁涌流及邻近区域内的穿越电流均可能导致相关联的过电流保护误动。从序分量的角度出发,构建了一个可通过标志函数的大小和突变,区分故障与涌流的序分量标志函数。通过PSCAD/EMTDC仿真表明,该标志函数能够充分反映电网结构的变化,有效区分变压器励磁涌流和故障。将该标志函数应用于过电流保护上可以减小励磁涌流的影响。     

基于AHP-DEA模型的电网规划方案综合评判决策

针对电网规划方案综合评判决策的复杂性以及层次分析法(AHP)的主观性过强和数据包络法(DEA)无法体现决策者偏好的缺陷,提出了一种AHP和DEA相融合的方法。将该方法依据是否融合灰色关联度又分别建立两种模型。通过建立电网规划综合评判体系,运用两种模型对一个实际电网规划问题进行求解分析,计算结果与实际期望方案一致。在此基础上对模型进行容错性分析,分析表明融合灰色关联度的AHP-DEA模型相比其他模型具有较强的容错性能,在遭到非正常因素的干扰下仍能选出最优方案。     

计量管理中仪表在线监控系统的应用

计量管理中仪表在线监控系统在追溯性、稳定性、可靠性及实时性方面性能优越,能够有效避免过去人工管理中出现的一些弊端。基于此,本文结合某公司实际计量管理仪表在线监控系统安装应用,对计量管理中仪表在线监控系统的应用做叙述。     

基于生产潜力的致密油藏井网形式优化研究

致密油藏具有低孔低渗、裂缝发育以及强非均质性等地质特征,因此致密油藏注采井网形式的优化设计显得尤为重要。本文改进了传统油藏生产潜力方法,得到了适合致密油藏开发的油藏生产潜力方法,并对改进型油藏生产潜力、传统油藏生产潜力及油藏储量丰度三种计算方法进行了对比分析,在基于生产潜力计算方法得到优势布井区域后,采用正交设计法,通过油藏数值模拟方法对五点法、反七点法、反九点法和平行井网的生产效果进行模拟预测,对天然裂缝展布方向与井网方位的关系进行研究,完成致密油藏井网形式的优选。结果表明：改进的生产潜力方法是可靠的,比原有的油藏生产潜力方法和储量丰度更能反映致密油藏不同地区的开发潜力, 可以作为致密油藏优势布井区域优选的依据。在致密油藏天然裂缝发育的情况下,采用五点法井网,将压裂水平井平行于天然裂缝布置,采出程度最高,见水时间最晚,含水率上升最慢,开发效果最好。     

古汉山煤矿通风阻力测定及结果分析

矿井通风阻力测定是保证煤矿安全生产的技术手段之一,其通风阻力的大小直接影响矿井的通风效果。据古汉山煤矿通风系统的实际情况,对其通风阻力进行了测定,通过对测定数据的计算及对计算结果的误差分析,确定了测定结果的可靠性,从而揭示了该矿通风阻力分布的基本情况,为今后矿井日常安全生产管理、矿井通风系统调整、优化设计提供基础。     

矿并导线测量电算模型的开发与应用

根据井下全站仪导线测量内业计算的方法和特点,利用EXCEL编制相应的计算函数,创建井下全站仪导线计算模型,该模型在测量导线计算、图纸审核和电子测量台帐备案方面应用广泛,有一定推广价值.     

用ENC28J60和FPGA设计通用以太网控制器

介绍了用ENC28J60和FPGA设计并实现通用以太网控制器的方法.     

水中栈桥平台应用与力学分析

为了确保漯河市解放路沙河大桥工程水中结构施工时,栈桥、平台的使用安全采用MIDAS专业软件,从理论的角度对栈桥和平台进行了全方位的分析,验证了拟定使用工况下的栈桥、平台的结构强度、管桩的入土深度等指标的可行性,为施工提供了理论依据。     

乙烯基三乙氧基硅烷水解研究

为获得充分水解,且尽量避免缩聚的有机硅氧烷水解产物,对乙烯基三乙氧基硅烷(VTES)的水解工艺进行了研究。结果表明,VTES在中性介质中很难发生水解,在酸性介质中的水解伴随着水解生成的Si-OH发生缩聚反应;Si-OH缩聚生成的Si-O-Si的含量随着酸或水含量的增加先下降后提高;VTES、水与硝酸溶液的质量比为100∶30∶0.4,常温搅拌至溶液无分层且澄清,即可获得水解完全且缩聚反应最低的VTES水解产物。     

氯化铵对Al粉材料直接氮化的影响

分析了NH4Cl对Al粉直接氮化程度的促进作用,并采用实验的方法进行验证.实验中对NH4 Cl的含量比例进行优化,并通过XRD、SEM、XRF和EDS进行测试、分析和表征.结果表明,当铝粉与NH4Cl的质量比不同时,NH4Cl对Al粉直接氮化起到不同程度的促进作用,产物表现为不同的外观形貌、不同的含量及不尽相同的结晶情况.当Al粉与NH4Cl的质量比为9∶4时,反应产物氮化铝纳米线的含量比较多,且外观形貌最好,结晶情况最佳.最后,结合V-S机制对NH4Cl促进AlN纳米线的生长机理进行了解释.