FT中的OS失效及应对措施

科学技术的进步促使集成电路产业迅猛发展，“摩尔定律”还在继续着它的预言，集成电路变得日益“娇小”，但单块硅芯片上所集成的晶体管数目却数量惊人，实现的功能更为强大，如何判断功能复杂的芯片是否实现预期的效果成为IC产业中非常重要的步骤。作为集成电路产业链中重要的一环：测试也是机遇和风险并存。Final Test是集成电路投入市场前的重要环节，测试结果的真实性、可靠性将直接影响到供应商的销售利润及公司声誉。文章抛开那些复杂的测试项目，分析了Final Test中常见的0S（Open／Short）失效案例及其应对措施。     

塔北哈拉哈塘油田奥陶系岩溶储层发育模式

针对碳酸盐岩缝洞型储层发育随机性强的特点,通过对哈拉哈塘油田哈601井区进行详细解剖,在充分认识不同时期古地貌及构造运动背景的基础上,通过动、静态多类型储层预测,以塔北奥陶系古岩溶露头认知为指导,将储集体细分为暗河管道厅堂洞、断裂明河双控洞穴、断控洞穴、早期裂缝-孔洞和微裂缝-孔洞共5种成因类型;并依据储集体形态规模及发育规律,明确了研究区最重要的岩溶发育地质控制因素为良里塔格组古地貌古水系、地层岩性、加里东中期和加里东晚期-海西早期断裂。各缝洞系统先后经历了加里东中期断裂发育、良里塔格组水系下切、晚加里东期-早海西期断裂发育3个主要过程,经过后期一定程度改造形成了现今缝洞体形态。同时明确了岩溶内幕区不同缝洞系统对于油井产能的控制,为类似区块的井位部署及开发提供了地质依据。