CMP过程芯片表面氧化膜生成速度影响因素的分析

根据理论和试验分析,将机械化学抛光(CMP)过程分成两个阶段:化学作用主导阶段和机械作用主导阶段,并从机械作用角度导出CMP过程两个阶段芯片表面材料去除率的数学模型,模型全面地考虑了抛光盘特性参数(弹性模量、硬度、表面粗糙度峰的尺寸分布)、CMP工作参数(压力和抛光速度)、抛光液中磨粒的机械作用和氧化剂种类、氧化剂浓度等化学作用的影响。然后根据这两个阶段的平衡点导出定量描述芯片表面氧化膜生成速度的数学模型。详细分析机械作用因素(磨粒的浓度、磨粒的粒度分布特性)、化学作用因素(抛光液中氧化剂种类、浓度)以及磨粒/芯片/抛光盘的材料特性参数对芯片表面氧化膜生成速度的影响规律。该CMP过程芯片表面氧化膜生成速度定量模型的导出,对进一步深入研究CMP材料去除机理和更加准确地控制CMP过程,具有一定的指导作用。     

静态螺旋切割装置制备富氧水及工艺优化

为了满足制备富氧水对低成本、含氧高、稳定性好的要求,采用静态螺旋切割技术,设计了富氧水制备装置。研究了氧气流量、氧气压力、水的流量、水的压力4个关键参数与富氧水含氧量的动态变化关系,并设计正交试验进行工艺优化,对直径DN25静态螺旋切割装置,得到最佳参数组合为氧气流量为0.90 L/min,氧气压力为0.20 MPa,水的流量为0.70 m3/h,水的压力为0.40 MPa。在常温20 ℃、一个标准大气压下,利用最佳参数组合制备的富氧水含氧量可达45.12 mg/L,较优化前提高了32.40%,保存60 d以后,其溶氧量仍然可以保持在25 mg/L以上。结果表明：本装置制备的富氧水含氧量高、稳定性好,可实现大规模工业生产。     

认真贯彻 狠抓落实 全力推进我省煤矿瓦斯治理工作体系建设（摘要）

在看到2008年瓦斯治理成绩的同时,我们应清醒认识到,2008年,全省煤矿瓦斯事故共发生27起,死亡76人。瓦斯事故起数和死亡人数,分别占了全年事故总起数和死亡总人数的26％和44％。这充分说明煤矿瓦斯治理工作还存在很多问题,与瓦斯综合治理工作体系建设的要求还有很大差距,不容忽视。主要体现在：