WLAN应用的CMOS低噪声放大器设计

采用TSMC0.25μmCMOS工艺设计了一个IEEE802.11a标准无线局域网(WLAN)应用的5.8GHz差分低噪声放大器(LNA)。阐述了LNA的噪声优化和设计过程。采用Agilent ADS仿真,结果显示:2.5V工作电压下,LNA增益为14.6dB,噪声系数为1.72dB,1dB压缩点为-10.2dBm,功耗16.5mW。     

应用在GSM系统MS中的新型有源滤波器

本文给出一种新颖可用于ＧＳＭ系统手持机（ＭＳ）的甚小型多产面有源滤波器的结构、等效电路模型、最优化的数学模型和实现方法,提出了提高程序运行效率的“优化筛选法”。计算并了１．８５ＧＨＺ频率下该滤波器的结构参数值和等效电路元件值与射频参数的关系,由此获得了最佳结构参数和等效电路值,计算表明在通带范围内该滤波人有低噪声性能。     

短消息和WAP业务

一、GSM短消息,信息点播业务 全球通短消息服务是一项基于短消息平台的业务。用户可以在全球通数字移动电话上编辑短消息（如Ｅ－ｍａｉｌ）并发送给其他具有短消息功能的全球通移动电话用户。短消息业务类似无线寻呼业务,但又与其有本质区别。无线寻呼业务是单向的寻呼业务,而短消息业务具有双向通信能力,其信令连接如图１所示。移动电话无论处于待机、通话或移动状态均能收到对方发过来的短消息。如果移动手机关机或不在所开通的服务区内,短消息中心的消息发送将被拒绝,所有消息存放在短消息中心的信箱内,一旦用户开机或回到服务…     

应用在GSM系统MS中的新型有源滤波器

给出一种新颖可用于GSM系统手持机MS的甚小型多层平面有源滤波器的结构、等效电路模型和分析方法.计算并讨论了1.9GHz频率下该滤波器的结构参数值、等效电路元件值和结构参数.计算表明在通带范围内该滤波器具有低噪声性能.     

小型超高频低噪声FET放大器的设计和性能

本文报道了UHF频段小型低噪声GaAs MESFET放大器的设计考虑、射频性能和试验结果。采用特殊的匹配网络和CAD技术使电路达到小型化和最佳化。设计的二级700MHz和三级1000MHz放大器均制作在50600.8mm3的陶瓷基片上。其射频性能分别为:功率增益GP为25dB(最佳29dB)和30dB,噪声系数NF低于1.1dB(最佳0.8dB)和1.2dB,带宽W约为40MHz(3dB)和100MHz(1dB)。用700MHz放大器装成的卫星直播电视接收机,接收图像清晰,伴音音质良好。     

1.8GHz O.35μm CMOS低噪声放大器的实现

介绍了一种频率为1.8GHz的低噪声放大器(LNA)的设计方案,采用TSMC 0.35 μ m CMOS工艺实现,增益为25dB,噪声系数2.56dB,功耗≤10mW,IIP3为-25dB或5dBm.     

单片电路应用的超低功耗E型GaAs MESFET研究

本文从器件的几何、材料和工艺参数出发，获得了低功耗低噪声增强型ＧａＡｓＭＥＦＥＴ模型的等效电路元件值。研究了器件的几何、材料和工艺参数及ＲＦ性能和直流功耗的关系，给出了ＥＦＥＴ物理参数的最佳取值范围，可为超低功微订成电路中有源器件的设计提供依据。