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本文基于GIS技术的光缆管理系统,通过对光缆基础数据和空间数据的管理和分析,在电子地图上实现对光缆的各种信息的浏览、查询和分析.并实现了当光缆所承载的广播电视节目信息在传输中发生异常时,能够做到快速反应,并精确定位到故障点. 相似文献
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地震综合解释系统发展到今天已经涵盖了地震、测井、地质和测试等多学科的专业应用,涉及到的计算机知识和专业内容种类繁多,软件开发难度越来越大。建立地震解释系统应用框架可以缩短解释系统应用程序的开发周期,增强程序的可靠性,提高软件系统的可维护性,而且更有利于物探方法技术的集成。通过分析解释系统中具有共性的用户需求,基于UML建立面向对象的应用框架模型,利用跨平台的Qt图形库完成地震解释系统应用框架的软件实现。该应用框架为各种解释应用程序的开发提供了稳定的基础和便利的流程。 相似文献
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CoB类非晶合金具有较高的可逆放电容量,是碱性二次电池的理想负极材料,但是其高低温电化学性能亟待改善。采用化学还原法和感应熔炼法分别制备CoB类非晶合金(以CoB表示)和稀土基La0.7Mg0.3Ni3.5合金(以LaMgNi表示),再利用机械球磨法将所制得的LaMgNi合金和CoB合金进行充分混合,获得CoB-LaMgNi复合合金,研究了稀土基LaMgNi合金的添加对CoB合金的宽温区电化学性能的影响机制。采用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分别对所制备的合金进行物相分析和表面形貌分析。合金电极的电化学性能利用恒电流充放电循环、恒电位阶跃放电、高倍率放电(HRD)、电化学交流阻抗(EIS)、线性极化(LP)、阳极极化(AP)等进行测试。实验结果表明,稀土基LaMgNi合金的添加可以显著改善CoB非晶合金的宽温区电化学充放电性能。 相似文献
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采用低能N+ 注入技术对米根霉As3.819 进行诱变选育,以提高该菌株利用混合糖(葡萄糖、木糖)发酵生产L- 乳酸的能力。实验结果表明,菌株的存活率曲线呈典型的“马鞍型”,在注入剂量为50 × 2.5 × 1013ions/cm2时具有较高的正突变率。选育获得突变株N50-7,其L- 乳酸产量为79.42g/L,比出发菌株提高了17.75%,且遗传稳定性较好。对突变株N50-7 的发酵培养基进行了初筛,在混合糖150g/L(葡萄糖100g/L、木糖50g/L)、(NH4)2SO43.0g/L、KH2PO4 0.3g/L、MgSO4·7H2O 0.3g/L、ZnSO4·7H2O 0.4g/L 的条件下发酵72h,L- 乳酸产量最高达到103.81g/L,较初筛前提高了30.71%。 相似文献
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地震尤其强震作用下,土石坝筑坝堆石料会逐渐呈现出软化特性,影响坝坡安全。为有效评估堆石料软化对坝坡稳定性的影响,结合地震动随机性,考虑不同地震强度水平,提出了基于等价极值分布和广义概率密度演化方法的坝坡安全概率分析方法,并基于坝坡稳定最小安全系数、安全系数超限累积时间、累积滑移量3个物理量,对242 m高的面板堆石坝进行随机动力响应分析和概率可靠度分析。结果表明:地震作用过程中,随着地震强度的增加,考虑软化与不考虑软化的计算结果差别逐渐增大,因为地震作用下,堆石料软化特性逐渐显现;同时,在地震激励下,堆石料软化是一个渐进过程。因此,考虑坝坡堆石料软化,对高土石坝抗震性能分析具有重要的意义。此外,单纯从最小安全系数角度考察土石坝坡稳定性,是不合理的,需要结合安全系数超限累积时间和累积滑移量,全面评估坝坡的安全性。提出的随机概率分析方法,可以对土石坝坡的可靠度给出较为准确的评价。 相似文献
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机械搅拌生物反应器的CFD 模拟及其在发酵生产乳酸中的应用 总被引:2,自引:0,他引:2
用计算流体力学(CFD)方法中的Mixsim 模拟3L 机械搅拌生物反应器中不同搅拌转速对搅拌流场的影响,结果显示Mixsim 软件可以很好的模拟机械搅拌生物反应器工作过程中的流场变化。在高转速下,剪切速率较大,菌丝体98% 以上为菌丝体小球,直径在0.1~0.3mm,菌体生长速度慢,产乳酸质量浓度较低;低转速下产生的剪切速率较小,菌体大部分为菌丝形态,产乳酸质量浓度较高,但是大量菌丝不利于后期发酵的进行。在400r/min下米根霉发酵产乳酸质量浓度最高,为106.7g/L,菌体80% 以上为1.0~1.5mm 左右的菌丝球,通过CFD 模拟得到该条件下的剪切速率最大值为1.58m/s。 相似文献
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采用直流反应溅射法,在一定的溅射功率和衬底温度等条件下控制气体组分,优选Ar:O2=8:1成功研制出高响应度n-ZnO/p-Si紫外至近红外增强型广谱光探测器.实验关键是利用缺O法在n-ZnO薄膜内有效引入O缺位Vo,而Vo可增强紫蓝波段的光响应.测试结果显示,ZnO薄膜的光致发光(PL)谱除在388 nm处存在紫外带边发射主峰外,还在416 nm处出现由O缺位导致的发射峰;X射线衍射(XRD)谱表明,薄膜中的晶体为高c轴取向的纤锌矿结构;n-ZnO/p-Si光探测器在光照时I-V特性显示,光电流随反向偏压的增加迅速上升;在5 V的反向偏压下,紫外区(310~388 nm)的光响应高达0.75~1.38 A/W,紫蓝光区(400~430 nm)的光响应大大增强,400~800 nm波段的光谱响应稳定在0.90 A/W. 相似文献