氧化物弥散强化材料的搅拌摩擦焊分析

为了探索搅拌摩擦焊技术应用于氧化物弥散强化材料的可焊接性及其基本特点,文中对厚度为4 mm的氧化物弥散强化铜合金进行了焊接试验,并对焊接接头的宏观形貌、微观组织、显微维氏硬度进行了分析. 发现焊接接头横截面由搅拌区、热力影响区、热影响区和母材区4部分组成. 前进侧热影响区与热力影响区形成明显的分界线,后退侧则相对模糊. 搅拌区的组织为细小的等轴晶粒,出现了洋葱环和L线,热力影响区晶粒沿一定方向发生形变,热影响区组织粗化. 沿焊缝横截面的显微维氏硬度呈V形分布,其中搅拌区硬度值最低.     

Mn掺杂ZnO纳米线的制备及其磁学性能

采用气相沉积方法在ZnO纳米线中实现了磁性元素的原位掺杂,获得大量高结晶质量的Zn1-xMnxO纳米线.X射线衍射、光电子能谱和透射电镜结果表明,Mn确实固溶入ZnO中而没有形成杂质相.采用超导量子干涉仪研究了Zn1-xMnxO纳米线的磁学性能,发现其铁磁性与Mn的掺杂含量有关.     

[(Fe1-xCox)0.75B0.2Si0.05]96Nb4金属玻璃的磁谱研究

对[(Fe1-xCox)0.75B0.2Si0.05]96Nb4(x=0.1、0.2、0.3、0.4)金属玻璃在1kHz～15MHz间的磁谱进行了研究,该系列金属玻璃的磁谱是典型的德拜型谱线.由于钴元素的添加,表现出较高的弛豫频率(f0)和较高的电阻率(ρRT),但是复数磁导率实部幅值降低.当x=0.4时,弛豫频率达到最大值1.1×106Hz.电阻率随着钴元素加入从212μΩ·cm增加到272μΩ·cm.     

退火温度对(Fe0.2Co0.8)76.9Cu0.6Nb2.5Si11B9软磁合金磁谱的影响

研究了退火温度对(Fe0.2Co0.8)76.9Cu0.6Nb2.5Si11B9纳米晶软磁合金磁谱(频率范围在100Hz～110MHz)的影响,进一步分析了退火温度与(Fe0.2Co0.8)76.9Cu0.6Nb2.5Si11B9纳米晶软磁合金初始磁导率、弛豫频率及品质数的关系.发现在673～873K范围内,退火温度只改变(Fe0.2Co0.8)76.9Cu0.6Nb2.5Si11B9纳米晶软磁合金磁谱中μ′-f曲线高低,而对磁谱曲线的形状几乎没有影响;当退火温度Ta=673K时,该合金在高频下有优良的软磁性能:μ′i(0.05A/m,1MHz)=420,弛豫频率f0=3.5MHz.     

常压条件下制备SnO_2纳米线及其光学性能研究

在常压条件下采用气相沉积方法制备出SnO_2纳米线,X射线衍射和Raman光谱结果均表明制备出来的产物为金红石结构.在样品的光致发光谱中观察到缺陷发光峰.研究还发现蒸发源及其放置时间在SnO_2纳米线的形成过程中起重要的作用.     

Bridgman法生长的MnxCd1-xIn2Te4晶体相形成规律和物理性能研究

采用Bridgman法生长了x为0.1,0.22和0.4的四元稀磁半导体化合物Mn_xCd_1-xIn₂Te₄晶体.研究了三根晶体中相的形貌、结构、成分和Mn_0.1Cd_0.9In₂Te₄晶体中各组元沿轴向和径向的成分分布.晶体生长初始端的组织为α+β+β₁,随着生长的进行,形成β相的单相区.在晶锭末端,形成In₂Te₃类面心立方结构化合物.组分x增大后,Mn_xCd_1-xIn₂Te₄晶体的吸收边向短波方向移动,禁带宽度则线性增大.磁化率测量结果表明:晶体在高温区的x^-1-T曲线服从居里-外斯定律,在低温区(<50K)则表现出顺磁增强现象.     

Sn掺杂ZnO半导体纳米线的制备、表征及光学性能

采用化学气相沉积法获得了Sn掺杂含量约为2.4%(原子分数)的Sn掺杂ZnO半导体纳米线。X射线衍射结果表明,Sn的掺杂并没有改变ZnO的纤锌矿结构。掺杂纳米线的室温光致发光光谱在409.2nm和498.0nm处出现了蓝绿光发光峰。探讨了其发光机制,认为前者可能来源于从导带到Zn空位形成的浅受主能级的跃迁以及从氧空位形成的浅施主能级到价带的跃迁;而后者来源于从氧空位形成的浅施主能级到锌空位浅受主能级的跃迁。     

一种P掺杂ZnO纳米梳的制备及其光致发光性能研究

采用化学气相沉积(CVD)方法制备了P掺杂ZnO纳米梳,扫描电子显微镜(SEM)结果显示,纳米梳状产物均匀分布在Si衬底上。P掺杂ZnO纳米梳为高度结晶的六方纤锌矿结构,ZnO中P的掺杂含量约为2%(原子分数)。室温光致发光(PL)光谱表明,P掺杂ZnO纳米梳在样品不同区域的发光性能略有不同,但是均出现3个发光峰:紫外、绿光和近红外发光峰。同时PL结果也表明样品的整体结晶质量比较好。     

绝缘剂用量对FeSiAl磁粉芯性能影响的研究

探讨了不同绝缘剂用量对磁粉芯综合性能的影响，实验选用粒径为100gm以下机械破碎制备的合金粉末，绝缘剂用量为1％～5％（质量分数）。绝缘剂用量控制在2％以内，粉芯样品有较高的磁导率，可达到130左右；当用量加到3％时，样品频率特性较好，在f=50kHz、Bm=100mT的测试条件下损耗为550mW／cm^3，具有良好的综合性能。