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我们研究了T1-2212超导薄膜在带有YSZ/CeO2缓冲层和带有Ce02/YSZ/CeO2缓冲层的Ni金属RABiTS基带上的生长情况.基带上的缓冲层是采用PLD方法制备的,T1-2212薄膜的制备采用了磁控溅射和后热处理两步方法.XRD实验结果表明。T1-2212薄膜都具有很好的C轴垂直于膜面的织构,并具有双向外延生长特性.在CeO2/YSZ/CeO2/Ni基带上制作的T1-2212薄膜的Tc达到102.8K,J,(77K,0T)达到2.6MA/cm^2;在YSZ/CeO2/Ni基带上薄膜Tc可达97.7K,Jc(77K,0T)也可以达到0.45MA/cm^2. 相似文献
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研究了蓝宝石(1102)基片在不同温度和时间下退火时表面形貌和表面相结构的变化,以及它对CeO2缓冲层和Tl-2212超导薄膜生长的影响.原子力显微镜(AFM)研究表明,在流动氧环境中1000℃温度下退火,蓝宝石(1102)的表面首先局部区域形成台阶结构,然后表面形成叠层台阶结构,随着退火时间的延长,表面发生了台阶合并现象,表面形貌最终演化为稳定的具有光滑平台的宽台阶结构.XRD测试表明,通过高温热处理可以大幅度提高蓝宝石基片表面结构的完整性.在1000℃温度下热处理20 h的蓝宝石
关键词:
Tl-2212超导薄膜
蓝宝石
缓冲层 相似文献
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本文报道了在(001)掺钇氧化锆(YSZ)基片上生长高质量CeO2缓冲层和Tl-2212超导薄膜的制备方法,以及不同厚度的超导薄膜对其特性的影响.XRD和SEM测试表明,在经过合适条件退火的基片和CeO2缓冲层上,所生长的Tl-2212薄膜具有致密的晶体结构、优良的面内和面外取向.最佳样品的临界转变温度(Tc)和临界电流密度为(Jc)可以分别达到107.5 K和 4.24 MA/cm2(77 K,0 T).实验结果表明,采用该工艺所制备的不同厚度Tl-2212超导薄膜的主要指标能满足开发多种超导器件的要求. 相似文献
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我们研究了Tl-2212超导薄膜在带有YSZ/CeO2缓冲层和带有CeO2/YSZ/CeO2缓冲层的Ni金属RABiTS基带上的生长情况.基带上的缓冲层是采用PLD方法制备的,Tl-2212薄膜的制备采用了磁控溅射和后热处理两步方法.XRD实验结果表明,Tl-2212薄膜都具有很好的c轴垂直于膜面的织构,并具有双向外延生长特性.在CeO2/YSZ/CeO2/Ni基带上制作的Tl-2212薄膜的Tc达到102.8K,Jc(77K,0T)达到2.6MA/cm^2;在YSZ/CeO2/Ni基带上薄膜的Tc可达97.7K,Jc(77K,0T)也可以达到0.45MA/cm^2. 相似文献
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TlBa_2 Ca_2 Cu_3 O_9(Tl-1223) films have promising applications due to their high critical temperature and strong magnetic flux pinning. Nevertheless, the preparation of pure phase Tl-1223 film is still a challenge. We successfully fabricate Tl-1223 thin films on LaAlO_3(001) substrates using dc magnetic sputtering and a post annealing two-step method in argon atmosphere. The crystallization temperature of Tl-1223 films in argon is reduced by 100℃ compared to that in oxygen. This greatly reduces the volatilization of Tl and improves the surface morphology of films. The lower annealing temperature can effectively improve the repeatability of the Tl-1223 film preparation. In addition, pure Tl-1223 phase can be obtained in a broad temperature zone,from 790℃ to 830℃. In our study, the films show homogenous and dense surface morphology using the presented method. The best critical temperature of Tl-1223 films is characterized to be 110 K, and the critical current J_c(77 K, 0 T) is up to 2.13 × 106 A/cm~2. 相似文献