增强体对铝硅合金复合材料中硅相形貌的影响

采用挤压铸造法制备Ａｌ２Ｏ３／Ａｌ－Ｓｉ合金复合材料。文章研究了增强体对铝硅合金中硅相形貌的影响。结果表明，氧化铝短纤维和硅相之间存在共格界面。此纤维可为硅相的非自发形核提供适宜的结晶衬底。复合材料中的初生硅可在短纤维表面形核并生长为颗粒状。复合材料中的纤维在Ａｌ－Ｓｉ共晶体的共生生长过程中，可触发硅相中的孪晶，导致纤维附近的共晶硅呈变质形态。     

节能电磁搅拌对半固态A356铝合金初生相的影响

利用自制电磁搅拌装置在低过热度浇注工艺下制备了半固态A356铝合金浆料,研究了电磁搅拌过程对半固态A356铝合金初生相的影响。结果表明,利用自制的电磁搅拌装置能够制备满足流变成型需要的半固态A356铝合金浆料;通过试验研究,获得了合适的制备工艺参数,并且节省能耗。     

铝钇共晶反应及其产物对亚共晶铝硅合金初生相的细化研究

研究了稀土Y在亚共晶铝硅合金中诱发稀土-铝共晶反应对铝合金初生α相的细化效应;应用Bramfitt提出的方法,计算了Al-Y共晶反应产物Al3Y与α-Al界面的二维点阵错配度,结果显示两者的二维错配度<6%,即Al3Y可作为α-Al的异质形核质点,且能达到中等有效形核而起到细化晶粒的作用,并通过实验验证计算结果如下:选用稀土元素Y作为A356合金细化剂的同时,将A356-Y熔体分别在稀土钇-铝共晶温度上、下10℃左右保温2 min后快速冷却,获得试样的金相组织照片后利用图像分析工具得到A356-Y合金初生α相的平均晶粒尺寸和平均形状因子。实验结果表明:A356-Y合金在Al-Y共晶温度之下保温,可获得较理想的初生α相形貌和较小的晶粒尺寸;结合二维错配的计算结果,可推断初生α相细化的主要原因为异质形核质点的增加:Al-Y共晶反应产物Al3Y与α-Al的二维点阵错配度在中等有效形核范围内,具有细化合金初生α相的作用;另一共晶产物α-Al与初生α相具有相同的晶体结构和点阵常数,则其也可作为异质形核质点而起到细化合金的作用。稀土Y可作为半固态A356合金中初生α相的优质细化剂。     

酸枣果三萜皂苷抑菌和抗氧化活性的研究

对纯化的酸枣果三萜皂苷进行抑菌和抗氧化活性研究。结果表明,三萜皂苷具有广谱抗菌效果,对实验所用的致病菌有较强的抑制和灭活作用。对金黄色葡萄球菌、乙型溶血性链球菌和炭疽杆菌的MIC可达0.078mg/mL。MBC值范围为0.180～0.712mg/mL,尤其对绿脓假单胞菌和白色假丝酵母菌显示明显的抑制作用。通过清除DPPH自由基、铁还原抗氧化能力法、降低能量、硫代巴比妥酸法和抑制β-胡萝卜素漂白等体外抗氧化反应来研究其抗氧化性能,并以人工合成的抗氧化剂BHT作对照,结果表明三萜皂苷具有显著的抗氧化效应。因此,酸枣果可作为食品、化妆品和药品行业的天然原料来源。     

高炉家：系统才是成功之秘

综合来看，高炉家的成功关键是系统竞争力突破的结果；而沿着成功的足迹，按照现有的方法在“家文化”上继续演绎却未必明智。     

早产儿应用静脉丙种球蛋白的免疫效果

35例早产儿应用静脉丙种球蛋白（IVIG）．并以未应用IVIG的3O例早产儿和20例正常足月新生儿为对照，同时进行血清lgA、lgG和IgM检测及外周血T淋巴细胞亚群计数。结果表明，早产儿血清lgG水平较足月新生儿低，静注IVIG可以增加早产儿血清IgG．对早产儿感染起预防和治疗作用。早产儿CD4细胞减少，应用IVIG未见免疫抑制现象，而可提高CD4细胞数和CD4／CD8比值，增强抗病能力。     

浅拉深件的工艺改进

<正> 图1所示是自行车脚蹬内板零件,材料B2F,料厚1.5mm。我厂原采用的工艺过程见图2,为①落料、拉深;②整形;③切边;④冲Φ19大孔;⑤冲小孔。共五道工序分别在五台设备上完成。由于各工序间半成品定位不准确,零件质量很难达到要求,     

Characteristic studies on positive and negative streamers of double-sided pulsed surface dielectric barrier discharge

The mechanisms of streamer generation and propagation in double-sided pulsed surface dielectric barrier discharge (SDBD) on both sides have been analyzed and investigated by experiment and numerical simulation. The fully exposed asymmetric SDBD has two discharge processes located on the high voltage electrode (HVE) side and the ground electrode (GE) side. Discharge images of the HVE side and GE side are taken by a digital camera under continuous pulse and ICCD (Intensified Charge Coupled Device) is utilized to diagnose the generation and propagation of streamers in single pulse discharge. In order to understand the physical mechanisms of streamer evolution more deeply, we establish a 2D simulation model and analyze it from the aspects of electron density, ion density, reduced electric field and electron impact ionization source term. The results show that the primary and secondary discharges on the HVE side and the GE side of the double-sided SDBD are composed of positive streamer and negative streamer, respectively. On the HVE side, the accumulation of positive charges on the dielectric surface causes the direction of the electric field to reverse, which is the principal factor for the polarity reversal of the streamer. On the GE side, both the negative charges accumulated on the dielectric surface and the falling voltage are the key factors for the streamer polarity switch.