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盲源分离和小波消噪在碰摩声频信号分析中的应用研究 总被引:4,自引:2,他引:2
碰摩是现代旋转机械运行中常见的一种故障,文中尝试从声频信号的角度对碰摩故障进行分析。在实际环境中,碰摩声频信号常常受到噪声的污染,文中将盲源分离和小波消噪方法相结合,使用P.S.(pre-separation denoising,separation)和P.S.P.(pre-separation denoising,sepamtion,post-sepamtion de-noising)方法对碰摩声频信号进行分析处理,大大提高了信号的信噪比,取得了比较理想的实验结果。 相似文献
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在芯片微细化和互连多层化趋势下,化学机械抛光(Chemical mechanical polishing,CMP)成为集成电路制造的核心技术。针对300 mm晶圆CMP装备被极少数国外厂家垄断、国内300 mm晶圆CMP装备水平远远落后的现状,开展300 mm晶圆CMP装备关键技术研究。研制出300 mm晶圆多区压力抛光头及其压力控制系统,该抛光头具有多区压力、浮动保持环及真空吸附等功能,每个腔室均可实现施加正压、抽负压、通大气和泄漏检测;压力控制系统性能测试结果表明,该系统可实现689.5 Pa的超低压力,其精度和响应速度均能满足常规压力及超低压力CMP的要求;开发了300 mm晶圆超低压力CMP样机,创建出一套比较稳定、可靠的工艺流程,并利用该样机初步开展铜CMP试验研究。试验结果表明:抛光压力为15.169 kPa时,材料去除率达671.3 nm/min,片内非均匀性为3.93%。 相似文献
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化学机械抛光(Chemical mechanical polishing,CMP)材料去除及负载特性主要受界面摩擦影响。对旋转型CMP系统进行了运动学和动力学分析,由此建立了CMP设备抛光界面摩擦负载(包括摩擦力矩和摩擦径向力)表达式。系统研究了CMP设备抛光头抛光盘主体结构负载特性随运动参数的变化规律,发现抛光头/盘转速比对负载影响最为明显:随转速比的增加,抛光头所受摩擦力矩增加,抛光盘所受摩擦力矩减小;且对抛光头而言存在值为1的临界转速比,当转速比小于1时,摩擦力矩对抛光头为驱动力矩;实际工况下转速比接近1时,抛光头所受摩擦力矩几乎为零,因相对运动而产生的摩擦负载主要由抛光盘承载。在此基础上,采用商用有限元分析软件建立了抛光盘及转子有限元模型,分析了抛光盘在螺钉预紧力、偏心轴向力和摩擦力矩复合载荷作用下的变形特性,为CMP装备设计提供了依据。 相似文献
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基于椭球单元网络的旋转机械多故障同时性诊断 总被引:5,自引:0,他引:5
阐述了椭球单元(ElipsoidalUnit)网络的原理及其结构,研究了网络权重初始化方法和网络的训练算法,借助这种高阶网络泛化的有界性,针对大型旋转机械多故障同时性诊断问题,构造了一种由多个子网络组成的分级诊断网络(HDANN)。测试结果表明:用基于椭球单元网络的HDANN网络分级诊断策略解决大规模故障诊断问题是合理有效的,且具有较高的诊断精度,可用于旋转机械工况实时监测和诊断场合。 相似文献
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