首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   2692篇
  免费   447篇
  国内免费   1219篇
数理化   4358篇
  2024年   20篇
  2023年   72篇
  2022年   77篇
  2021年   97篇
  2020年   61篇
  2019年   116篇
  2018年   85篇
  2017年   133篇
  2016年   124篇
  2015年   151篇
  2014年   222篇
  2013年   180篇
  2012年   176篇
  2011年   165篇
  2010年   159篇
  2009年   193篇
  2008年   225篇
  2007年   186篇
  2006年   198篇
  2005年   169篇
  2004年   154篇
  2003年   162篇
  2002年   156篇
  2001年   158篇
  2000年   96篇
  1999年   86篇
  1998年   90篇
  1997年   104篇
  1996年   90篇
  1995年   69篇
  1994年   62篇
  1993年   47篇
  1992年   62篇
  1991年   69篇
  1990年   43篇
  1989年   67篇
  1988年   13篇
  1987年   9篇
  1986年   6篇
  1985年   4篇
  1984年   1篇
  1981年   1篇
排序方式: 共有4358条查询结果,搜索用时 15 毫秒
21.
The one-dimensional super-symmetric ferromagnetic t-J model is studied via the thermal Bethe ansatz.Analytic expressions of the free energy for T→O are obtained.A new critical behaviour beyond the universal class of Luttinger Liquids is found in this system.  相似文献   
22.
芪盐LB单分子层膜的非线性光学性质   总被引:7,自引:4,他引:3  
  相似文献   
23.
24.
25.
Polycrystalline silicon film was directly fabricated at 200℃ by the conventional plasma enhanced chemical vapour deposition method from SiCl4 with H2 dilution. The crystallization depends strongly on the deposition power.The maximum crystMlinity and the crystalline grain size are over 80% and 200—50Onm, respectively. The results of energy dispersive spectroscopy and infrared spectroscopy measurements demonstrate that the film is mostly composed of silicon, without impurities such as Cl, N, C and bonded H. It is suggested that the crystallization at such a low temperature originates from the effects of chlorine, i.e., in-situ chemical, etching, in-situ chemical cleaning, and the detachment of bonded H.  相似文献   
26.
本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.  相似文献   
27.
本文简要地介绍了同创材料表面新技术工程中心低温等离子体相关技术在材料表面处理的应用与发展以等离子体产生、离子源技术为基石,大力发展复合离子注入、复合离子沉积及镀膜设备和相关工艺。以离子源、多弧、磁控溅射等核心技术,多元化发展等离子体表面处理设备、产品和工艺。以国家自然科学基金等科研项目为依托,大力推进科研成果向工业和民用产品转化紧跟等高子体技术的国际发展,积极开拓国际市场,推进离子源、等离子体源等技术的标准化和国际化。  相似文献   
28.
我国低温等离子体研究进展(Ⅰ)   总被引:7,自引:0,他引:7  
江南 《物理》2006,35(2):130-139
低温等离子体物理与技术的研究在国内受到了越来越多的重视.在等离子体中发现的一些有趣的物理现象,如磁场重联、尘埃等离子体等,使人们对等离子体物理的研究掀起了新的热潮.在应用方面,几乎所有理工类实验室都有涉及低温等离子体技术的实验装置,这使得在我国低温等离子体应用方面的研究非常普及,包括微电子工业中的等离子体工艺,各种坚硬、耐腐蚀、耐摩擦材料的制备,纳米材料的制备,聚合物以及生物材料的表面改性,等等.随着低温等离子体技术的发展,低温等离子体的诊断技术也随之发展起来.文章简要地介绍了近几年来低温等离子体研究在我国的发展,介绍了一些有关低温等离子体的热点研究课题.  相似文献   
29.
借助于共生纠缠度和输入输出保真度考察了初始处于纠缠态的两粒子在联合噪声环境中的消纠缠特性。结果表明:两粒子纠缠态可分为相干保持态和脆弱纠缠态,对于脆弱纠缠态分析了它们在低温条件欧姆型耗散下的纠缠消相干演化动力学。  相似文献   
30.
低温太阳热能与化学链燃烧相结合控制CO2分离动力系统   总被引:3,自引:1,他引:2  
本文探索并提出控制CO2分离的低温太阳热能与清洁合成燃料甲醇-三氧化二铁化学链燃烧相结合的新颖能源动力系统。基于图象(?)分析方法,明确地指出甲醇化学链燃烧能量释放过程燃烧堋损失减小和低温太阳热能品位提升的机理。从能源有效利用和环境相容出发,研究和揭示化学链燃烧与太阳能有机整合共同减小CO2分离能耗的特性规律。相比不分离常规联合循环,新系统(?)效率提高约6.2个百分点;与分离CO2的联合循环相比,新系统媚效率提高约14.2个百分点。同时,低温太阳热能热转功效率可达到22.5%。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号