首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   134篇
  免费   5篇
  国内免费   15篇
工业技术   154篇
  2023年   2篇
  2019年   2篇
  2018年   2篇
  2017年   5篇
  2016年   7篇
  2015年   6篇
  2014年   6篇
  2013年   1篇
  2012年   4篇
  2011年   5篇
  2010年   6篇
  2009年   10篇
  2008年   4篇
  2007年   26篇
  2006年   13篇
  2005年   13篇
  2004年   9篇
  2003年   16篇
  2002年   1篇
  2001年   5篇
  1999年   1篇
  1998年   2篇
  1997年   4篇
  1996年   1篇
  1991年   3篇
排序方式: 共有154条查询结果,搜索用时 203 毫秒
111.
安培型免疫传感器通过检测其产生的电流信号,可实现生物分子信息的检测与识别.通过对安培型免疫传感器输出信号的研究,提出了一个合理的传感器电路模型,运用多种方法对模型进行了参数提取并通过Matlab进行了验证.传感器的建模可以给信号处理电路的设计提供更好的参照,避免参数之间的冲突,同时也使得传感器可以和信号处理电路放在一起进行仿真,提高了前后端电路信号的一致性和芯片设计的成功率.  相似文献   
112.
该文提出一种基于锆钛酸铅(PZT)的低电压驱动微机电系统(MEMS)电场传感器。该传感器基于电荷感应原理,其敏感单元由固定电极和可动电极构成。固定电极与可动电极均为感应电极,同时两者又是屏蔽电极。在PZT压电材料的驱动下,可动电极产生垂直于敏感芯片基底的振动并且与固定电极形成交互屏蔽,当存在待测电场时,分别在可动电极和固定电极上产生相位差为180°的感应电流信号。该文进行了传感器的设计和有限元仿真,提出敏感微结构的加工工艺流程,突破了基于PZT压电材料的可动电极MEMS工艺兼容制备技术,完成了敏感芯片制备,对传感器进行了性能测试。该传感器具有工作电压低的突出优点。实验测试表明,在0~50 kV/m电场强度范围内,采用1 V交流驱动电压,电场传感器的灵敏度为0.292 mV/(kV/m),线性度为2.89%。  相似文献   
113.
该文研究设计一种新型ISFET/REFET/PRE传感器与信号检测电路集成于一体的芯片系统。采用商业标准CMOS工艺实现了基础集成芯片,探索研究与集成芯片兼容的敏感薄膜制备技术及其相关后续工艺,着重研究电聚合法制备的H+敏感PPy膜;与采用低温Ta2O5敏感薄膜技术研制的集成芯片进行了比较。集成芯片具有灵敏度54mV/pH,响应时间0.1s,在pH1~12范围内线性相关系数99.99%的优良性能。  相似文献   
114.
本文简要地叙述了真空微电子学的主要进展,在介绍场发射阵列FEA、场发射显示器FED、真空微电子微波毫米波器件等的发展过程中,重点叙述了有关器件对FEA的特殊要求、可能的解决办法和存在的问题,并介绍了发展真空微电子微波管的主要内容和意义;最后提到了有效地发展我国真空微电子器件需重视的一个问题.  相似文献   
115.
利用溅射法在多孔聚四氟乙烯薄膜上制备了铂金属和金属钴,利用阳极氧化法将金属钴氧化成氧化钴,并将氧化钴制成工作电极;在相同的聚四氟乙烯薄膜上制备了铂黑电极,以氢气为参比气体.选择电极工作电位为0.33 V,检测合成氨联醇工艺原料气中微量氨的含量.检测器对体积分数1.0×10-6的氨气输出电流27.8 μA,检出限为体积分数0.06×10-6,响应速度45 s,恢复速度100 s,氨气浓度在0~2.0×10-6范围内,检测器电流输出与氨气浓度呈线性关系.  相似文献   
116.
针对基于MEMS技术的微型静电场传感器的输出信号微弱、信噪比低等特点,采用高精度运算放大器和直接数字合成器芯片设计出了一种基于封装小但没有浮点运算器的单片机的微型静电场传感器系统,并通过一定的算法解决了单片机运算能力弱的问题,最终整个系统的测试精度能达到5%,分辨率能达到500 V/m,检测时间小于1 s.  相似文献   
117.
MEMS中的微组装技术   总被引:3,自引:0,他引:3  
随着微机电系统(MEMS)的迅速发展,对微组装技术的需求日益迫切。介绍了微器件组装技术的研究和发展概况,包括顺行和并行微组装技术,并对各种微组装技术进行了比较。对未来微组装技术的发展和应用前景进行了讨论。  相似文献   
118.
设计了一种新型的热驱动微型电场传感器,该传感器具有驱动电压低、工作频带宽、工艺步骤简单等优点;阐述了该电场传感器的工作原理,描述了设计方案,并给出了驱动部分的仿真结果,计算了感应电流的大小;讨论了所涉及的工艺过程.  相似文献   
119.
一种小型三维电场传感器   总被引:9,自引:0,他引:9  
电场传感器广泛用于电场强度的探测。目前一般探测电场强度一维或二维方向分量,所检测数据尚无法精确地反映电场强度的实际大小。本文介绍一种小型三维电场传感器,由1路轴向和2路径向电场测量单元、驱动单元、电路单元以及保温单元组成,可用于探测空中电场强度的三维方向矢量。高空低温模拟试验中,在-70℃的环境温度下,传感器内部温度一直保持0℃以上,能充分保证传感器内部电路板的正常工作。在实际标定与测试中,该传感器表现出输出信号与电场强度的预期理论关系,证明厂三维电场传感器结构设计和检测方法的合理性。  相似文献   
120.
应用新的体硅加工技术和新的电极表面修饰方法,提出了一种新型电流型微电极传感器.以与IC兼容的硅作为基底材料,利用体硅加工工艺,采用各向异性硅腐蚀及SU-8微反应池方法制成了新型体硅加工电极.同时,铂化并聚合被首次用来作电极表面修饰.以葡萄糖检测为例,使用吡咯作为聚合材料,新传感器与传统的电流型传感器相比,有较小的敏感面积(1mm×1mm)、较大的敏感系数(39.640nA.mM-1.mm-2)、较低的检测下限(1×10-4M)、较宽的检测范围(1×10-4~1×10-2M)、较好的重现性(五次测量的RSD为3.2%)与稳定性(温室保存一个月后活性保留95%以上)、以及易于与处理电路集成等优点.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号