808 nm波长光纤耦合高功率半导体激光器

采用柱透镜对半导体激光器（ＬＤ）的输出光束进行了有效收集、预准直及多模光纤之间的耦合实验。采用８０８ｎｍ波长,１５０μｍ条宽结构的激光器件,与２００μｍ芯径平端光纤的耦合效率高达９０％以上,光纤输出功率为１．０Ｗ。分析了影响耦合效率的主要因素     

基于MSP仿真平台利用蒸汽引射汇流装置对热电联产机组的节能改造

研究在非采暖季,机组较低负荷工况下,利用蒸汽引射汇流装置,将对外工业供汽由高排蒸汽供汽改为高排卷吸四抽联合供汽的方案。基于MSP仿真平台,建立引射汇流装置模型,通过修改仿真机模块库变量,将引射汇流装置接入系统,利用仿真机的趋势曲线功能,直观地表示出机组典型经济性指标的变化。结果表明,机组负荷在不低于250 MW时,引射汇流装置节能效果最为明显。     

平均偏角对火炮远距离直瞄射击的影响

简要介绍了远距离直瞄射击作战地位和平均偏角产生的原因，用一实例定量分析了平均偏角对火炮远距离直瞄射击的影响，并对远距离直瞄射击提出了注意事项。     

介绍一种U形压弯模

<正> 图1所示为我厂产品中的一个双向U形弯曲件。由于第一道U形弯曲已弯出15mm高的直边,在进行第二道弯曲时的关键就是要保证 R35处不起皱。     

气相色谱-质谱联用技术测定溴系和氯系阻燃剂的研究进展

阻燃剂所引起的环境问题日渐显现。气相色谱-质谱联用技术测定溴系阻燃剂的研究主要工作集中在针对不同的检测样品采用不同的样品前处理方法来实现溴系阻燃剂的提取和检测,现用的样品前处理方法主要包括索氏抽提-多层硅胶氧化铝柱分离净化、超声波辅助萃取、微波辅助萃取、顶空固相微萃取等技术。超声辅助萃取、微波萃取等技术也同样用于有机磷酸酯类阻燃剂的前处理。     

基于多波长合束技术的光纤耦合模块设计

高功率激光器是一个发展趋势,而单独芯片半导体激光器很难实现大功率输出。基于合束技术中的波长合束原理,应用ZEMAX软件设计出大功率光纤耦合模块。多波长合束技术能够有效提高激光功率,同时不影响光束质量。应用24支输出功率12W,波长分别为915nm、940nm、976nm的半导体激光器,耦合进芯径100μm/0.22的光纤中。输出功率达到284.5W,耦合效率达到98.7%,亮度达到115.3MW/cm~2-str。通过Solid Works软件和ANSYS软件优化分析耦合模块热沉结构,得到有效散热的新热沉模型,优化后模块最高结温下降1℃左右。     

汽车用水性实色白面漆外观优化的研究

在深入探究水性汽车涂料外观形成机理特别是水性实色白面漆配方特殊性的基础上,通过一种固定的研究模式:从外观机理研究,到确定外观影响因素,到配方设计改变影响因素,到物理化学性能分析确定影响因素变量,再到喷涂应用试验确认外观的优化。可靠地验证了两种外观形成的可能机理,同时为客户涂装现场的外观改进提供了配方优化的方案。     

Progress in 4H-SiC homoepitaxial growth by hot-wall LPCVD

Recent progress in 4H-SiC homoepitaxial growth by using hot-wall low-pressure chemical vapor deposition (HW-LPCVD) at the authors' group was reviewed. Horizontal air-cooled low-pressure hot-wall CVD (LPHWCVD) system was developed and employed to get high quality 4H-SiC epilayers. Homoepitaxial growth of 4HSiC on off-oriented Si-face (0001) substrates was performed at a typical temperature of 1 500 ℃ by using the stepcontrolled epitaxy. The typical growth rate was controlled to be about 1.0 μm/h. The background doping was reduced to 2 × 1015- 5 × 1015 cm-3. The FWHM of the rocking curve was 0 308 nm in 2 μm× 2 μm scale. Intentional N-doped and B-doped 4H-SiC epilayers were obtained by in-situ doping of NH3 and B2 H6, respectively. Thermal oxidization of 4H-SiC homoepitaxial layers was conducted in a dry O2 and H2 atmosphere at 1 150 ℃ and 4H-SiC MOS structures was obtained. Schottky barrier diodes with reverse blocking voltage of over 1000 V were achieved preliminarily.     

基于演化深度学习的图像描述自动生成技术研究

针对现有基于视觉注意力和基于文本注意力的图像描述自动生成模型无法同时兼顾描述图像细节和整体图像的问题,提出了一种基于演化深度学习的图像描述生成模型(evolutionary deep learning model for image captioning, EDLMIC),该模型是一种包含图像编码器、演化神经网络和自适应融合解码器三个子模块的图像描述自动生成模型,能够有效地融合视觉信息和文本信息,自动计算这两种信息在每个时间步所占的比例,从而基于融合的视觉文本信息更好地生成给定图像的相关描述。在Flickr30K和COCO2014两个公开数据集的实验结果表明,EDLMIC模型在METEOR、ROUGE-L、CIDEr和SPICE四个指标均优于其他基线模型,并且在多种不同的生活场景中具有较好的性能。