射频磁控溅射制备SiO_2膜

利用石英靶射频磁控溅射制备SiO2膜的工艺，采用L型阻抗匹配网络，并计算得到了等离子体的等效电容及等效电导。指出射频功率密度是最重要的沉积参数，靶面自偏压及SiO2膜沉积速率均随功率密度的增加而线性增加。溅射气压及氧分压对自偏压的影响较小，但两者的增加将导致SiO2沉积速率的降低。制备了可见光区透光性良好，折射率为1．46，沉积速率为35nm／min的SiO2膜。     

综艺节目音频录制时易忽视的几个问题

具有地方特色的各种专题、综艺节目是一款款精心打造的、老少皆宜的精神文化快餐,以其独特的风格和视角,叙述一方水土风情,是中小电视台极具魅力的电视节目,有较高的收视率,因而对中小电视台的事业发展和地方经济建设发挥着重要的作用。但在录制过程中,由于经济技术条件的限制,常常存在一些问题。如:本台近期新推出的大型户外综艺节目创意很好,策划也周到,形式也活泼,但实际播出时发现音频信号的各种干扰成份未能得到有效的抑制,播出效果并不太理想。通过实地观察以及同事们的潜心研究,发现了一些在实际工作中容易被忽视的细节,根据多年工作…     

用AD8367简化接收机AGC电路设计

本文通过具体电路详细介绍了如何使用AD8376简化接收机AGC电路的设计,指出了实际使用中常遇到的问题,并有针对性的给出了具体分析和解决办法。     

1.9 GHz CMOS低噪声放大器的结构分析与设计

对低噪声放大器(LNA)的结构及性能进行了详细的分析。采用SMIC 0.18μm射频CMOS工艺,设计了用于GSM1900无线接收机系统的两种不同结构的差动式LNA(电流复用式PMOS-NMOS LNA)和典型的NMOS LNA。利用Cadence-SpectreRFTM,对这两种结构的LNA进行了电路级仿真和对比分析。结果表明,在功耗相近时,PMOS-NMOS LNA能够提供比较大的电压增益,其噪声特性与NMOS LNA相近;NMOS LNA在线性度以及芯片面积上有更多的优势。     

低通型阻抗匹配网络的简捷设计

本文研究Ｂｕｔｔｅｒｗｏｒｔｈ响应和Ｃｈｅｂｙｓｈｅｖ响应低通型阻抗匹配网络的简捷设计，给出了设计２阶和４阶阻抗匹配网络旭一元件值显公式和计算高阶阻抗匹配网络元件值的公式，从而把复杂的设计过程简化成简单的数值计算。     

天然橡胶/丁苯橡胶/Ni/MWCNTs复合材料的结构与吸波性能

以Ni和多壁碳纳米管(MWCNTs)为填料,天然橡胶(NR)/丁苯橡胶(SBR)共混物为基体,采用机械共混法制备了性能优异的NR/SBR/Ni/MWCNTs多维复合材料,研究了填料共混及其组成对复合材料微观形貌和电磁损耗网络行为的影响。结果表明:Ni与MWCNTs共混有助于促进两者在橡胶基体中的分散,形成更优的双填料网络结构;当Ni与MWCNTs体积比为7∶3时,NR/SBR/Ni/MWCNTs复合材料在频率10.00 GHz、厚度2 mm处反射损耗可达-31.53 dB,有效吸收带宽达到3.58 GHz,阻抗匹配行为优于其他填料比例的复合材料;复合材料良好的吸波性能源于填料网络优异的阻抗匹配和多重损耗共同作用。     

无源UHF RFID标签的低成本阻抗匹配网络设计

提出了一种符合ISO/IEC18000-6C标准的无源RFID(射频识别)标签的低成本阻抗匹配网络。该设计基于复功率波反射系数的概念,修正芯片输入阻抗,在片内添加阻抗匹配电路。通过变化芯片阻抗和天线共轭匹配及失配间切换,有效完成信号的调制反射。提出的电路结构简单,易于实现,在读写器、标签天线和芯片之间实现了功率传输的最大化,提高了芯片输入电压以及读写器对标签反射信号的识别率。采用该阻抗匹配网络的芯片基于chartered 0.35μm CMOS工艺实现。测试结果表明,在923MHz频带下,倍压电路输出可达1.47V,标签满足系统设计要求。     

基于低功耗约束的CMOS LNA的优化设计

针对低功耗电路发展的趋势,在传统的共源共栅结构基础上,同时引入实现噪声优化的PCSNIM技术和提高增益的级间匹配技术,通过合理调节晶体管的尺寸实现了低功耗的指标.电路采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺进行设计,模拟结果表明,在2.45 GHz工作频率下,输入输出匹配良好,增益为14.274 dB,噪声系数为0.669 dB,1 dB压缩点为-16.1 dBm,IIP3为-4.858 dBm,直流功耗仅2.628 mW.     

2.1GHz射频CMOS混频器设计

设计了一个用于第三代移动通信的2.1 GHz CMOS下变频混频器,采用TsMC 0.25 μm CMOS工艺.在设计中,用LC振荡回路作电流源实现低电压;并用增大电流和降低跨导的方法提高线性度.在Cadence RF仿真器中对电路进行了模拟,在1.8 V电源电压下,仿真结果为:1 dB压缩点PtdB-10.65 dBm,lIP3 1.25 dBm,转换增益7 dB,噪声系数10.8 dB,功耗14.4 mW,且输入输出端口实现了良好的阻抗匹配.并用Cadence中的Virtuoso Layout Editor软件绘制了电路的版图.