等离子喷涂改善秸秆压块机模块耐磨性的研究

针对当前秸秆压块机模块耐磨性差、易失效等问题,分析了模块失效机理,提出了采用等离子喷涂改善模块表面性能。通过试验,研究了电压、电流及喷涂距离等因素对材料耐磨性的影响,优化了等离子喷涂工艺参数。结果表明:喷涂电流的影响最为显著,其次是喷涂距离;等离子喷涂Ni60+50WC涂层后,试样的抗磨损性能大幅提高。     

用于TCSC阻抗控制的积分投切式PID控制方法

可控串补(TCSC)的阻抗控制是整个串补装置成功与否的关键。文中分析了常规比例积分微分(PID)控制在命令阻抗从不同阻抗阶跃到同一阻抗时鲁棒性不好的原因，得出了常规PID控制的效果主要与接到阻抗阶跃命令后命令阻抗和测量阻抗所包围的第一块面积有关的结论，并据此提出了一种实用的积分投切式PID阻抗控制方法。该方法在接到阻抗阶跃命令后切除积分环节，而在测量阻抗第一次超越命令阻抗时才投入积分环节。与常规PID控制的仿真结果比较表明，该方法在响应各种阻抗阶跃命令时具有较强的鲁棒性、良好的动态和静态性能，能满足工程要求。     

电力市场中考虑发电机组功率速度约束的市场力分析

电力商品的特殊性决定了电力市场是一个不完全竞争的市场，一般用市场力来衡量不完全竞争的程度。作者在回顾、分析和评价Lerner指标、HHI指标和总需求比总供给指标的基础上，阐述了机组功率速度约束影响上述指标的机理。分析了因这一约束造成的机组有效响应能力与负荷变化之间的矛盾，其表现为市场力指标不是单调地随时间而变化，这说明任何机组都有产生市场力的可能性。最后指出进行市场力指标评价时应当考虑的条件。     

网络规划法在电力市场竞价交易计划算法中的应用

提出了竞价交易计划算法。该算法将电力市场中的竞价交易计划问题分为机组最优组合和经济负荷分配2步来求解，并应用网络规划法的最短路径Dijkstra算法和最小费用流对偶算法分别求解。用VC 6．0编程实现了该算法。算例结果表明，文中所提的电力市场竞价交易计划算法是可行的，而且网络规划法应用于竞价交易具有一定前景。     

可控串补（TCSC）模糊变结构控制器

本文分析设计了基于模糊逻辑的可控串补变结构控制器。该控制器对不确定参数变化和外部干扰呈不灵敏性，决策过程与网络结构和系统的工作点无关。仿真结果表明：所设计的控制器具有较好的动态性能和鲁棒性，能有效地改善系统的暂态响应。     

基于纵联比较原理的广域继电保护算法研究

提出了基于纵联比较原理的广域继电保护算法。该算法通过广域继电保护系统收集特定保护范围内各智能电子设备(IED)的故障方向信息,结合文中定义的IED动作系数AF和关联系数RF进行简单运算,即可确定出故障的位置。借鉴电力系统分析中的N?1原则,提出广域继电保护系统N个元件中的某一个元件失效时整个系统应仍能正确工作的N?1概念,分析了继电保护系统的N?1运行状况,提出了基于广域信息应对该运行状况的继电保护策略。算例分析表明:文中提出的广域继电保护算法原理简单、运算方便、判断结果准确,能较好地克服N?1运行状况带来的影响,可明显提高继电保护系统的性能。     

炭/炭复合材料热梯度CVI工艺中温度场的数值模拟

阐明了用于制备炭/炭复合材料的热梯度化学气相沉积工艺过程和原理,测定了沉积过程中预成型体内不同位置的温度.建立了炭/炭复合材料热梯度CVI的2D轴对称几何模型,以及热梯度CVI工艺中的导热微分方程,对热梯度CVI工艺中的梯度温度场进行了模拟分析,并将模拟结果与实际测试结果进行了对比.     

电抗器品质因数对TCSC特性的影响及阻抗特性的双解现象

可控串联电容器(Tcsc)装置的晶闸管控制支路电抗器(TCR)品质因数只能是有限值，该文通过时域数字仿真分析了这一参数对TCSC稳态阻抗特性的影响。仿真分析结果表明在电抗器品质因数有限的情况下，TCSC等效阻抗特性的谐振点相对理想情况会出现偏移；同时，在容性运行区间，对于同样的触发角指令，Q值越小，TCSC的等效基频电抗也越小，而在感性运行区间，情况则刚好相反。这种影响在感性和容性运行区间还因TCSC同步触发控制方式不同而存在较大的差异。当以电容电压过零点为同步触发参考时标时，触发角指令与等效阻抗之间是单值对应关系，而以线路电流为同步触发参考时标时，触发角指令与等效阻抗之间是双值对应关系，即所谓的双解阻抗特性。文章进一步研究了线电流同步方式下TCSC等效基频阻抗呈现双解的现象，指出产生该现象的根本原因是采用了不同的触发参考时标。TCSC等效基频阻抗特性的双解现象实际上是在以线路电流过零点为触发参考时标时TCSC表现出的一种特殊运行特性。它与以电容电压同步触发参考时标的阻抗特性之间具有确定的对应关系。在两种不同的触发时标下，通过详细时域仿真验证了上述结论。     

TlGaS_2和TlGaS_2：Er~（3＋）单晶的光谱研究

用布里奇曼法生长出ＴｌＧａＳ２单晶和ＴｌＧａＳ２：Ｅｒ（３＋）单晶。长成的单晶，其光致发光机理与深层能级及Ｅｒ（３＋）离子有关。由施主─受主对复合引起的宽发射谱带，对ＴｌＧａＳ２单晶，在５９６、６１０、６９６和７１６ｎｍ处，对ＴｌＧａＳ２：Ｅｒ（３＋）单晶，则在６３２和７５９ｕｍ处．由Ｅｒ（３＋）引起的窄发射谱带，在５５２、５５９、６６６、８１３、８１６和８２７ｎｍ处。