丙基乙烯基亚砜的合成

本文以正丙硫醇和环氧乙烷为原料,经开环加成,脱水和氧化反应合成丙基乙烯基亚砜,用IR,′H-NMR光谱对产物进行了表征。本合成方法适合于其他低碳(≤C_6)烷基或苯基乙烯基亚砜的合成。     

OTFTs结构与器件性能

在重掺杂的Si衬底上分别制备了底电极（Bottom—contact organic thin—film transistors，BCOTFYs）和顶电极（Top—contact organic thin—film transistors，TC—OTFYs）有机薄膜场效应晶体管，探讨了源、漏电极位置对器件性能的影响。结果表明，顶电极可以形成良好的欧姆接触，其器件的迁移率和开关电流比均高出BC—OTFYs器件三个数量级。研究了栅绝缘层的薄膜厚度对器件的电性能的影响。结果表明，在相同电压下，薄的绝缘层增大了沟道区域的电场，可积累更多的电荷，以填充更多的陷阱，使器件的场效应迁移率和工作电流得到了明显的提高。     

GaAlAs超发光二极管

本文报导在GaAlAs双异质结激光器腔面上,蒸镀ZrO2减反射涂层,制成了GaAlAs超发光二极管,室温连续输出最大功率为9.1mW,光谱带宽为155A.     

1.3μm超辐射发光二极管

本文报告了电子束蒸镀 Si_3N_4减反射膜的结果,并制成了1.3μm 超辐射发光二极管。室温连续输出功率1.2mW,光谱半功率宽度9nm。     

无序结点网络图在关门山水库工程中的应用

过去,在水利水电工程设计与施工管理中,对工程的工序安排和时间控制一直运用横道图技术。横道图具有简单、方便、直观、形象等优点,但也有工序间内在联系不明确,不便对时间、资源与费用进行控制与优化,不能     

并四苯晶体的物理气相沉积

设计了水平沉积系统,物理气相生长了并四苯晶体。仅用10－30mg的源,得到了面积达20mm^2的片状晶体。报道了可重复性的晶体生长条件。测试表明,晶体表面光滑,结构非常有序。     

808nm高功率量子阱远结激光器及其电噪声特性

介绍了８０８ｎｍ高功率最子阱远结半导体激光器的结构和器件特性,测试了器件的低步电噪声,讨论了噪声与频率、注入电流及器件质量的关系。结果表明,８０８ｎｍ高功率量子阱远结半导体激光的阈值电流在老化初期随时间的延续而降低,其噪声在低频段主要为１／ｆ噪声,且以阈值附近有量大值,器件噪声与器件质量有一定的相关性。     

预应力碳纤维布加固一次二次受力梁抗弯试验研究

就CFRP布加固RC梁的未加预应力、施加顸应力以及施加预应力后梁的未有初始应力(一次受力)、有初始应力(二次受力)等不同工况共八根梁进行了对比试验,同时进行了锚固端不同锚固方式共五种工况的加固效果的对比试验。试验结果分析表明：CFRP布预应力施加方法简便且易在加固施工实践中应用;CFRP布施加预应力在加固效果上明显优于不加预应力的加固方法;施加预应力加固时必须在端头锚固且锚固效果良好。