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101.
用N iMnCo触媒利用温度梯度法在高温高压下合成优质Ⅱa型宝石级金刚石。研究发现在约5.5GPa和1230℃的条件下,除氮剂Ti(Cu)的加入使合成金刚石的温度区间下限抬高而变窄,因而在设备控制精度符合要求的条件下实验解决了组装的稳定性问题;与此同时Ti(Cu)的加入也使金刚石晶体生长过程中更易俘获包裹体而出现熔坑,从而影响晶体的生长速度。本文分析了Ti(Cu)掺入量对晶体生长速度的影响。实验表明合成无色Ⅱa型宝石级金刚石合适的Ti(Cu)掺入量为1.8 wt%。降低生长速度使包裹体和熔坑问题得到解决。实验获得了~4mm的优质Ⅱa型金刚石大单晶。红外测试分析表明该金刚石含氮量小于1×10-6。 相似文献
102.
103.
为考察高铁酸盐氧化法对四溴双酚A的降解规律、毒性控制效能和降解机理,利用烧杯试验研究了氧化剂投加量、溶液p H对四溴双酚A降解的影响,利用发光细菌考察急、慢性生物毒性的变化及控制效果,并提出可能性降解机理.结果表明,高铁酸盐可高效地降解四溴双酚A,当两者质量浓度均为0.15 mg/L时,在不同p H条件下(6.0~9.0)四溴双酚A均能被完全降解.更高毒性有机中间产物的积累导致反应初期水样的急、慢性毒性有所增强,但随着反应时间延长高铁酸盐氧化法对急、慢性毒性均有良好的控制效果,最佳反应p H为8.0,此时急、慢性毒性当量分别降低至0.02和10.5 TU.机理分析表明,四溴双酚A的降解途径主要包括加成反应、β位断裂反应、去质子化反应和脱溴反应. 相似文献
104.
Ⅱa型优质金刚石大单晶的合成 总被引:3,自引:3,他引:3
在触媒KOV(FeNiGo合金)的基础上加上一定含量的的Ti和Cu,用温度梯度法首次在国产的六面顶压机上合成出-1.5mm高质量的Ⅱa型金刚石单晶。分析了合成Ⅱa型金刚石单晶过程中出现晶体表面熔坑现象的原因。晶种的质量和清洁度导致晶体表面熔坑的一个重要原因。通过降低晶体的生长速度可以避免熔坑的出现。 相似文献
105.
106.
全反射X荧光分析技术及其应用 总被引:2,自引:1,他引:1
介绍了自行研制的一种目前应用尚少的基于全反射原理的X荧光(TXRF)分析装置。该装置最低检测限,对于Cu靶,Mo靶达到pg级,其相对检测达到10^-12,使用该装置对某公司的高盐的镍电解液中的痕量元素采取阴离子交换树脂富集分离的方法,进行分析,给出了比较满意的结果。 相似文献
107.
基于构件的开发方法的目标是将分布在Internet上的构件,自动或半自动组装成为一个新的粒度更大的构件或者一个新的软件,加快系统的开发周期,降低开发成本,提高系统的灵活性、可靠性、可扩展性和易维护性。在对构件组装编译的研究过程中,提出一种新的基于XML的构件组装编译解决方案。利用XML(Schema)对构件组装规约进行形式化描述,采用数据绑定技术,对用构件组装规约描述的XML文档进行组装编译的解析,最后利用标准代码编译器进行编译。实例证明了该技术的可行性。 相似文献
108.
城市快速发展可能引发公园绿地供需关系偏离规划目标,导致其供需矛盾日益加重。为探索公园绿地供需差异并解决供需研究尺度的局限性,以500 m×500 m网格为基础研究单元,以公园绿地分级设置要求为阈值,采用高斯两步移动搜索(Ga2SFCA)法和供需水平测度方法分别分析2010、2018年哈尔滨主城区公园绿地可达性时空分布变化和供需时空差异。研究表明,哈尔滨主城区公园绿地供给水平未达城市绿地规划标准要求,尽管公园绿地面积增多,但不合理的空间配置反而加剧了公园绿地供需失衡,不同区域间公园绿地种类的不均衡性是引起供需空间差异的关键。经进一步推测,建设时期、土地资源、城市规划和市场机制是公园绿地供需差异的主要影响因素。根据供需匹配结果,提出针对性的公园绿地布局优化策略,为公园绿地供需平衡提供精细有效的参考依据。 相似文献
109.
田宇 《中国新技术新产品》2018,(5)
目前,我国面临水资源地域分配不均匀、水资源相对短缺的局面。本文对我国当前水利施工技术现状进行了分析和探讨,列举出一些影响水利施工的因素,总结出水利施工过程中容易出现的问题和解决方案,并提出我国水利施工技术改进举措。为我国水利施工技术发展提供一定的参考。 相似文献
110.
为了适应第三代红外焦平面高密度、微型化发展方向,设计了一款大面阵小像元低功耗640×512-5μm InGaAs短波红外焦平面读出电路。重点研究了3T像素单元简易结构的性能,分析其对芯片暗电流、焦平面噪声的影响,实现了卷帘曝光工作方式、列级缓冲器动态工作以及四通道输出功能。利用可编程增益放大器,实现增益可调以及噪声抑制功能。基于0.18μm 3.3V标准CMOS工艺,在输入时钟频率为5MHz条件下,对小像素单元进行性能分析,阵列窗口进行四通道输出以及线性度仿真。结果表明,电容反馈跨阻放大器(CTIA)输入级偏压变化约30mV,工作帧频为54Hz,输出摆幅为1.7V,最大功耗小于150mW,线性度为99.987%。 相似文献