放电等离子烧结制备Ti3SiC2材料的研究

本文报道分别以Ti/Si/C,Ti/SiC/C为原料，采用放电等离子烧结工艺制备Ti3SiC材料的研究结果，以元素单质粉为原料，掺加适量Al作助剂能加速Ti3SiC2的反应合成并提高材料的纯度，在1200－1250℃的温度下能制备出经XRD，SME和EDS表征不含TiC和SiC等杂质相的纯净Ti3SiC2材料，而以Ti/SiC/C为原料时，有无Al作助剂都难以制备出纯净的Ti3SiC2，其反应合成温度明显高于以元素单质粉为原料的。     

铜基复合材料的研究

综述了7种制备铜基复合材料的工艺机理、特点,以及Cu/Al2O3,Cu/WC,Cu/TiB2,Cu/Ti3SiC2 4种复合材料的研究进展.内氧化法主要用于制备Cu/Al2O3复合材料,其氧含量控制困难,成本昂贵;机械合金化法可制备超细颗粒强化的铜基复合材料,具有工艺简单,成本相对较低的特点,缺点是耗能大,易混入杂质;溶胶-凝胶法可制备超细氧化铝强化的铜基复合材料,工艺过程易控制;液相反应法可用来制备性能优良的Cu/5%TiB2复合材料,基体中颗料的含量、尺寸和分布易控制;固相反应生成法产品纯度高,易获得复杂相和亚稳定相,但产品致密度不高;反应喷射沉积法制得的产品晶粒细小,无宏观偏析,颗粒分布均匀,生产工艺简单,生产效率高.最后还分析了铜基复合材料研究中存在的问题.     

原位热压TiC/Ti/Al合成Ti2AlC的研究

以TiC/Ti/Al为原料,采用热压工艺在1400℃原位合成和烧结了含少量第二相Ti3AlC2的Ti2AlC材料.通过不同温度和不同热压时间下合成试样的XRD分析探讨了Ti2AlC的合成过程.结果表明,高温下Ti与Al反应生成中间相TiAl金属间化合物,然后TiC与TiAl金属间化合物反应生成Ti2AlC.初期反应非常迅速,大部分Ti2AlC在此阶段生成.反应后期反应物减少,速度变慢,同时生成少量第二相Ti3AlC2.不同温度下合成的Ti2AlC颗粒具有不同的形貌特征.     

CaF2掺杂与二次烧结对Ca3Co4O9结构的影响

采用CaF2掺杂固相烧结法制备了Ca3Co4O9热电材料,通过与纯样对比,讨论了掺杂与二次烧结工艺对其显微结构的影响,实验结果表明：掺杂CaF2有利于Ca3Co4O9片状晶体组织的生长,进行二次烧结,对Ca3Co4O9材料矿物的形成更为有利。     

放电等离子烧结含铝Ti3SiC2相的形成规律研究

用放电等离子烧结工艺以元素粉为原料制各Ti3SiC2材料时，掺入适量铝能改善Ti3SiC2的反应合成。应用X--射线衍射和扫描电子显微镜研究不同烧结温度下材料的相组成和显微结构特征。结果表明：含铝Ti3SiC2相在1100℃开始大量形成，经1150一1250℃烧结，能制备纯净致密含铝Ti3SiC2固溶体材料。铝的固溶降低了Ti3SiC2的化学热稳定性．使其分解温度降低至1300℃。     

Fabrication of Al<Subscript>2</Subscript>O<Subscript>3</Subscript>-NaCl composite heat storage materials by one-step synthesis method

Thermal energy storage is an attractive option for effectiveness since it gives flexibility and reduces energy consumption and costs. New composite materials for storage and transformation of heat of NaCl-Al₂O₃ composite materials were synthesized by one-step synthesis method. The chemical composition, morphology, structure, and thermal properties were investigated by XRD, EDS, SEM, and DSC. The results show that NaCl can be absorbed by Al₂O₃ particle from 800 to 900 °C for Al₂O₃ particle surface is rich active structure. The results also indicate that the leakage of NaCl when the phase change can be prevented by Al₂O₃ particles and the enthalpy of phase change of NaCl-Al₂O₃ material is 362 J/g. The composites have an excellent heat storage capacity. Therefore, this study contributes to one new thought and method to prepare high temperature heat storage material and this material can be applied in future thermal engineering.     

Cu/Ti3SiC2新型受电弓滑板材料的研究

选用具有高导电、高导热性的新型陶瓷Ti3SiC2作为弥散强化相,通过与Cu的混合,采用热压和无压烧结后制备成Cu/Ti3SiC2复合材料.该材料是一种具有优良性能的新型受电弓滑板材料.实验中分析了掺杂含量、保温时间及烧结制度等因素对复合材料基本性能的影响.     

掺杂硅热压工艺烧结制备Ti2AlC陶瓷材料

以Ti、TiC、Al为原料，采用热压工艺制备出相组成为Ti2AlC块体材料。合成材料的X-射线衍射和扫描电镜(SEM)分析的结果表明：当烧结温度为1400℃时。材料中的主晶相为Ti2AlC，为10μm大小的板状多晶体；而在1500oC的温度下烧结所得材料的主晶相为Ti3AlC2，其板状多晶体的晶粒尺寸平均约为20μm。掺加硅时，随着温度的提高有利于Ti3AlC2的生成。     

新型层状陶瓷Ti3AlC2的研究进展

综述了可加工性Ti3A1C2陶瓷的研究进展。三元碳化物Ti3AlC2属于六方晶体结构，空间群为P6 3／mmc。它具有许多优良的性能，有较高的强度和弹性模量，还有高的导热和导电系数。室温下有抗损伤能力，高温下有良好的抗氧化性及显著的塑性变形。应用SHS、HP／HIP及SPS(等离子放电烧结)可制备该化合物。用HIP及SPS可制备高纯、致密的Ti3A1C2陶瓷材料。     

放电等离子烧结工艺制备Ti_2AlC材料的研究

以元素粉钛、铝、碳为原料 ,采用放电等离子烧结工艺在 1 1 0 0℃的温度下成功地制备了高纯、致密Ti2 AlC材料。合成材料的X -射线衍射 (XRD)和扫描电镜 (SEM)分析的结果表明 :多晶体Ti2 AlC形貌为板状结晶 ,晶粒大小平均约为 2 0 μm ,厚度在 3～ 5 μm。