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101.
基于密度泛函理论的第一性原理计算获得了α-Ti2Zr的晶体结构、弹性常数、德拜温度和电子分布情况, 研究了它们与压力的关系. 计算得到的晶体结构参数与实验值一致. 运用有限应变方法计算得到了α-Ti2Zr的体积模量B、剪切模量G、杨氏模量E和泊松比σ. B和E的零压值分别为101.2和35.6 GPa. G/B的值较小, 并且随着压力的增加而减小, 表明α-Ti2Zr具有优异的延展性. 基于弹性常数得到平均声速, 从而获得了德拜温度Θ=321.7 K. 通过解Christoffel方程获得的压缩波和剪切波数据揭示α-Ti2Zr具有较强的各向异性. 此外, 压力诱导电子从s轨道到d轨道的转移说明在一定压力下α-Ti2Zr将转变为β相.
关键词:
第一性原理
α-Ti2Zr')" href="#">α-Ti2Zr
物性
高压 相似文献
102.
小学五年级珠心算数学模拟竞赛题,我们优选了含整数、小数、侧重分数四则运算的和差倍、行程、年龄、植树、工程、比例、体积等10道应用题,并用算术法与代数法一题多解。希望同学们结合自己的算法,对照比较,汲取教益。 相似文献
103.
山梨醇是一种用途广泛的化工原料,在食品、日化、医药等行业都有极为广泛的作用,可作为甜味剂、保湿剂、赋形剂、防腐剂等使用. 相似文献
104.
105.
We study the possibility of searching the η→e+e- rare decay on the Cooling Storage Ring (CSR) at Lanzhou. The main features of the proposed Internal Target Experiment (ITE) and External Target Facility (ETF) are included in the Monte Carlo simulation. Both the beam condition at the CSR and the major physics backgrounds are carefully taken into account. We conclude that the ITE is more suitable for such a study due to better detector acceptance and higher beam density. At the maximum designed luminosity (1034cm-2s-1 ), η→e+e- events can be collected every~400 seconds at the CSR. With a mass resolution of 1 MeV, the expected signal-to-background (S/B) ratio is around 1. 相似文献
106.
采用二维核磁共振波谱完全归属了天然有机化合物香茶菜醛的^1H和^13C NMR化学位移,测定了部分质子的偶合常数,并用孤立自旋对近似方法质量处理香茶菜醛的相敏NOSEY谱,根据1/γ^6ij∝Aij计算出相应的质子间距离。其溶液中的三维空间结构采用以NMR结构参数为初始数据的WUPH计算程序和分子力学能量优化(MM2)完成计算。计算结果表明,得到的香茶菜醛在溶液中的三维空间结构反映了该化合物在溶液 相似文献
107.
108.
In this paper, we establish sufficient conditions for existence and controllability of nonlinear neutral evolution integroditferential systems in Banach spaces. The result is obtained by using the resolvent operators and fixed point analysis approach. 相似文献
109.
采用荧光光谱(FS)、核磁共振(NMR)、电喷雾离子化质谱(ESI-MS)和透射电镜(TEM)方法研究过氧钒配合物(NH4)[VO(O2)2(bipy)]·4H2O(1)和(NH4)[VO(O2)2(phen)]·2H2O(2)与朊蛋白淀粉样肽PrP106-126的突变体M109F肽的相互作用。结果表明,过氧钒配合物可直接与M109F肽结合,并通过甲硫氨酸112的氧化作用来达到对M109F肽聚集的抑制作用。与配合物2比较,配合物1显示出对M109F肽更好的抑制作用;过氧钒配合物1和2都可以有效地降低M109F肽诱导的细胞毒性。本工作为潜在金属药物用于神经退行性疾病的研究提供了基础数据。 相似文献
110.
This paper proposes an effective method of fabricating top contact organic field effect transistors by using a pho-tolithographic process.The semiconductor layer is protected by a passivation layer.Through photolithographic and etching processes,parts of the passivation layer are etched off to form source/drain electrode patterns.Combined with conventional evaporation and lift-off techniques,organic field effect transistors with a top contact are fabricated suc-cessfully,whose properties are comparable to those prepared with the shadow mask method and one order of magnitude higher than the bottom contact devices fabricated by using a photolithographic process. 相似文献