硬币鉴伪技术在投币系统中的应用

提出了一种采用电涡流传感器对硬币真伪进行快速无损鉴别的双频率测量的方法,介绍了相关电路设计.设计采用了单片机、电涡流传感器、语音芯片和LCD显示器,可对硬币进行非接触无损检测,实时剔除假币,可广泛应用于公交等投币场合,解决了假币带来的一系列问题.     

多孔质气体止推轴承跨缝过程时变特性研究

针对某大型超平气浮支撑平台上卫星模拟器所使用的多孔质气体止推轴承,在跨越气浮平台的拼缝过程中存在的运动卡滞和自激振动问题,建立多孔质轴承气体润滑理论模型,考察气体轴承的稳态特性;使用有限元法分析多孔质气体轴承通过拼缝时的动态时变特性,并分析压力分布、承载能力、倾覆力矩的变化。结果表明:平台拼缝间隙的存在对多孔质气体止推轴承压力分布造成了较大的影响,导致跨缝过程中其承载能力大幅降低,从而造成轴承表面划伤,因此在轴承的设计选用中应留有较多的承载余量;多孔质气体止推轴承在跨峰过程中,在其运动方向上存在呈正弦波动的倾覆力矩,但对其正常使用不会造成影响。     

大豆、油菜籽及大豆油中外源基因检测的灵敏度、准确度研究

本研究针对转基因产品中转入的目的基因以及启动子、终止子,设计了相应引物35SCP142、CPNOS165.通过对引物的调整,使PCR扩增产物的大小控制在100～170 bp,从而提高了检测灵敏度.在25μl的PCR反应体系中,可以检测到0.01ng的外源DNA.为了检测以大豆为原料的油脂类产品中的外源基因,我们又设计了NEST-PCR的两对引物35SCP318和35SCP114,并检测到了外源基因的片断.对新设计的引物进行准确度分析,即在不同的样品(包括转基因或非转基因产品)中进行检测,并经测序验证,新设计的引物35SCP142,CPNOS165及NEST-PCR的引物都有高特异性,可用于含有相应外源基因的产品检测.     

双通道荧光PCR快速检测水产品中主要致病性弧菌的研究

目的:建立水产品中副溶血弧菌和霍乱弧菌快速、敏感、特异的双通道荧光PCR同步鉴别体系.方法:针对副溶血弧菌TDH基因和霍乱弧菌ctxA基因设计合成2对特异性引物和2条Taqman探针,优化体系,建立双通道荧光PCR体系.结果:建立的双通道荧光PCR体系特异性强,引物和探针之间无干扰.对副溶血孤菌和霍乱孤菌的检测灵敏度高,下限均能达到5× 104 CFU/mL.体系稳定,重复性好,可操作性强,两种不同浓度基因组DNA无相互抑制现象,适用于不同条件、多种样品的检测.采用该方法对140份采自舟山、象山和杭州的各类水产品进行检测,副溶血弧菌和霍乱孤菌检出率分别为25.7％和3.6％,未见霍乱弧菌和副溶血弧菌混合污染的样品,表明建立的双重荧光PCR是一种可用于水产品等样品中副溶血弧菌和霍乱弧菌的快速、灵敏、特异的鉴别方法.     

基于自回归谱外推的全聚焦成像分辨力提升

针对相邻缺陷全聚焦超声成像混叠问题，结合低阶、宽有效频带自回归谱外推方法，压缩超声波时域脉冲宽度，实现亚波长级全聚焦（Total focusing method，TFM）成像分辨力。建立碳钢试块模型，设置两个中心间距1.8 mm，直径1.3 mm圆孔，选用中心频率2.25 MHz，32阵元相控阵探头采集全矩阵数据。针对全矩阵数据，选择自回归阶数为2，信号频谱最大幅值下降14 dB为有效频带，建立自回归模型并外推有效频带外的高频与低频成分，随后对全矩阵数据进行延迟叠加处理和TFM成像。仿真结果表明，低阶、宽有效频带自回归谱外推处理方法具有较高的鲁棒性和准确性，TFM成像后可有效分离中心间距0.7λ（λ为超声波长）圆孔，保留缺陷横向位置信息的同时，定位误差不超过0.73%。对碳钢试块中相同位置及尺寸的圆孔进行试验验证，定位误差不超过1.06%，有效地提高TFM成像分辨力。     

列车车轮踏面滚动接触疲劳研究进展

随着高速与重载铁路的发展,车轮踏面滚动接触疲劳损伤问题变得更加显著,不仅影响乘车舒适度,增加维护成本,还会直接危害行车安全,目前尚无根本的解决办法。对国内外车轮踏面滚动接触疲劳损伤的形成机理、研究方法及影响因素进行了归纳总结。车轮滚动接触疲劳损伤形式有很多,根据疲劳裂纹在踏面下方萌生位置的不同,将踏面滚动接触疲劳损伤分为表面滚动接触疲劳、次表面滚动接触疲劳和较深层次滚动接触疲劳。随着冶金和车轮制造技术的提高,由低周疲劳或棘轮效应造成的表面滚动接触疲劳损伤成为主要的疲劳损伤类型。车轮踏面滚动接触疲劳损伤的研究方法主要包括现场调研、数值仿真和试验研究。结合已有研究成果,主要从车轮材料、车轮既有损伤、线路条件、列车运行参数、轮轨间第三介质等方面对踏面滚动接触疲劳损伤的影响因素进行了总结,并进一步提出了减缓踏面滚动接触疲劳损伤的具体措施。此外,探讨了车轮踏面滚动接触疲劳损伤未来的研究方向。     

LB技术制备的ZrO2纳米薄膜摩擦学行为

在单晶硅表面制得花生酸锆hngmuir—Blodgett薄膜，对该薄膜在500℃条件下热处理30min，得到致密ZrO2薄膜。利用AFM，XPS，SEM对其结构和形貌进行表征，摩擦磨损试验结果表明，利用该方法制备的ZrO2薄膜表现出良好的减摩抗磨性能。