PCM设备电容参数整体校准方法研究

半导体行业中普遍使用的工艺过程监控设备(PCM设备),是芯片产品中测环节必不可少的测量设备。PCM设备电容参数的准确测量，是保证与电容制作相关工艺参数的重要手段。针对国内PCM设备电容参数暂无溯源途径现状，根据其测试原理，研究了基于在片电容标准件的整体无损校准方法。采用增加绝缘层的半导体工艺，研制了高稳定性、频响至1 MHz、电容低至0.5 pF的在片电容标准件，满足了国内PCM设备电容参数自动校准需求，测量不确定度优于1%。研究了PCM设备电容参数溯源方法，从而保证了芯片产品PCM图形电容量值测量结果的准确一致，提高了计量效率。     

电学法热阻测试切换误差评估方法研究

半导体器件电学法热阻测试过程中，电流切换带来的误差是影响测试准确性的重要原因，且该误差目前尚无有效方法评估。在对误差原理分析基础上，设计了“双芯片”测试回路结构避免电流切换，得到不含切换误差的结温参考量值，实现了对仪器测试结果的有效评估。结果显示，该方法能够对热阻测试仪切换过程误差进行定量评估，在热阻测试仪计量方面具有较好的实际意义。