非晶CN薄膜的制备及性质

采用磁过滤真空溅射离子沉积技术制备了一组非晶ＣＮ薄膜，利用红外光谱，紫外－可见吸收光谱和电导测量研究了其光学和电学性质，用Ｘ射线光电子能谱确定膜中Ｎ的原子百分比，结果表明ａ－ＣＮ膜有２２００，１５００和１３５０ｃｍ＾－１三个吸收带，表明Ｃ和Ｎ是以化学共价键形式结合的。这种膜有较宽的光能隙４．１４ｅＶ，极代的电导率１０＾－１５（Ω．ｃｍ）＾－１，膜中Ｎ原子百分比最大为４７％。     

ZnO与TiO2的质量比对染料敏化太阳能电池性能的影响

采用低温水溶液法制备ZnO微米棒;ZnO微米棒与TiO2纳米粉以不同比例混合,制备复合浆料;采用刮涂法把复合浆料涂敷在透明导电玻璃上,制备ZnO/TiO2复合薄膜光阳极。通过电池的I-U特性和电化学阻抗谱测试,研究ZnO微米棒与TiO2纳米粉的比例对电池性能的影响。结果表明:当ZnO与TiO2的质量比为1∶1时,DSSC的效率最高,此时的光电转换效率比纯TiO2电池的效率提高了31%。这主要得益于ZnO微米棒更高的光利用率和良好的电子转移特性。     

碳纳米复合对电极染料敏化太阳能电池的电化学性能

在染料敏化太阳能电池(DSCs)碳对电极中添加多壁碳纳米管,制作碳纳米复合对电极。通过循环伏安法研究复合电极中碳纳米管对I3?/I?氧化还原行为的影响。采用电化学阻抗谱表征,比较纳米炭黑、石墨鳞片、碳纳米管、纳米炭黑-纳米碳管复合材料对碳电极/电解质界面的影响。结果表明:添加纳米碳管后,电极的催化还原电位降低,电流密度增大;碳纳米管的加入使电极表面催化活性点增多,碳电极与电解液的界面电势差减少。光伏性能测试表明,添加10%(质量分数)的碳纳米管的DSCs的开路电压提高了17.9%,短路电流提高了24.1%,填充因子提高了14.4%。     

ZnO—TiO2染料敏化太阳能电池的制备和性能

采用低温水溶液法制备ZnO纳米花,将其与TiO2纳米颗粒以不同的质量比混合制备成复合浆料,采用刮涂法涂敷在掺氟的SnOz透明导电玻璃（FTO）上制备ZnO纳米花-TiO2纳米颗粒复合薄膜光阳极,与Pt对电极和电解质组装成染料敏化太阳能电池（DSSC）。通过光伏性能和电化学阻抗谱测试分析,研究ZnO纳米花与TiO2纳米颗...     

ZnS薄膜制备和光学性能研究

采用化学水浴法,以硫酸锌、硫脲、联氨、氨水和去离子水为反应前驱物制备ZnS薄膜。采用SEM、EDS、XRD和透射光谱分析方法,研究反应前驱物中氨水以及联氨的浓度对ZnS薄膜形貌、成分、结构和光学性能的影响,同时对ZnS薄膜的形成机理做进一步分析。结果表明:ZnS薄膜由纳米颗粒组成,这些ZnS纳米颗粒为非晶态结构。ZnS薄膜中S与Zn原子比最大为0.79∶1,薄膜中夹杂少量ZnO或Zn(OH)2。ZnS薄膜在可见光波段的透过率大于80%,禁带宽度为3.74～3.84 eV。氨水和联氨浓度对薄膜形貌、成分和光学性能有较大的影响。当反应前驱物中氨水浓度为0.5～0.8 mol/L、联氨浓度为0.5～1.0 mol/L时,溶液中的化学反应以在衬底上发生的离子-离子反应占主导作用,能在衬底上形成致密且颗粒大小分布均匀的ZnS薄膜,S与Zn的原子比接近1∶1。     

密度可控的TiO2纳米线束阵列合成及其在量子点敏化太阳能电池上的应用

采用水热合成技术, 以盐酸、去离子水和钛酸丁酯为反应前驱物, 直接在透明导电玻璃(FTO)衬底上合成了具有金红石结构的TiO₂纳米线束阵列。通过改变反应前驱物中钛酸丁酯的添加量, 实现了对TiO₂纳米线束阵列密度的调控。以TiO₂纳米线束阵列为光阳极、CdS为敏化剂, 组装了量子点敏化太阳能电池器件, 并研究了纳米线束阵列的密度对电池光伏性能的影响。结果表明: 纳米线的密度过高或过低均不利于电池光伏性能的提高。纳米线的优化密度为11.8×10⁶ /mm², 此时电池的光电转换效率达到了0.947%。     

基于SOPC的SDRAM测试技术研究

介绍了一种基于可编程片上系统(System on Programmable Chip, SOPC) SDRAM的通用测试方法和测试技术的系统实现。采用Altera的FPGA芯片EP3C40F484I7作为SDRAM的控制器,建立基于SOPC的嵌入式系统,编写对应的控制和测试程序。通过选择时钟频率和锁相环的相移,使得SDRAM时钟和控制器时钟同步,确保该SDRAM测试技术平台能够系统验证SDRAM芯片的工作状态。     

四配位非晶碳薄膜的研究进展

四配位非碳薄膜是近年来发展的一种新型宽带隙半导体材料,具有独特的物理化学特性,本文对四配位非晶碳薄膜的研究意义,制备方法,形成机理,结构和性能表征及应用前景作较全面的介绍。     

功能碳薄膜化学键成分的椭偏光谱研究

用磁过滤真空离子溅射系统，改变加在单晶Si(100)村底上的衬底偏压．制备不同sp2C键与sp2C键比例的碳薄膜样品。测量了2．0～5．0eV光子能量范围内各个碳薄膜样品的椭偏光谱。发现该谱与碳薄膜中的sp键比例有明显的关系。我们提出一种较简便的分析解谱方法，分析所测得的各个椭偏光谱．半定量地确定各碳薄膜样品的sp3C键与sp2C键比例。所得结果还与同类样品的拉曼光谱与吸收光谱测量结果相比较．结果基本上是一致的。研究结果表明椭偏光谱方法可以发展成一种较简便的、对样品无损伤的测定功能碳薄膜中的sp3C键成分的新方法。     

材料电子复合型工程技术人才专业定向和知识结构初探

文章就材料电子复合型工程技术人才的必然性、专业定向、培养目标和课程设置进行了讨论，因而确定了“3＋3”三主三副的专业方向和“3＋3＋4”的知识能力素质结构。