结合Inception模型的卷积神经网络图像去噪方法

为更有效地去除图像中的噪声，提出一种结合Inception模型的深度卷积神经网络（Convolutional Neural Network，CNN）图像去噪方法，以完整图像作为输入和输出，利用Inception结构密集提取原始图像和噪声多个不同空间尺度的特征，并采用多种调优策略，增强网络的整体学习能力。为避免梯度消失，使用线性修正单元（Rectified Linear Unit，ReLU）激活函数；为加速网络的训练，增加批量规范化（Batch Normalization，BN）操作；加入跳跃结构进行残差学习（Residual Learning，RL），提升网络的去噪性能。基于公共数据集BSDS300的三种高斯噪声等级实验结果表明，与其他图像去噪方法相比，模型在降低计算复杂度、提高收敛速度的同时，视觉效果更好，平均峰值信噪比（Peak Signal to Noise Ratio，PSNR）提升了约1.28 dB。     

SOI和pHEMT双刀五掷开关对比设计与实现

采用0.32μm CMOS-SOI工艺和D-mode 0.5μm GaAs pHEMT工艺设计了同一款双刀五掷射频开关,CMOS-SOI开关的设计应用了负压偏置电路和堆叠管子技术实现,GaAs pHEMT版本采用直流电压悬浮技术和三栅管与前馈电容技术实现。在0.9 GHz和1.9 GHz时,SOI和pHEMT开关的插入损耗分别为0.41dB/0.65dB和0.27dB/0.52dB,隔离度分别为26.9dB/25.7dB和24.1dB/31.3dB。两个版本在输入功率为28dBm且频率为1.9GHz时,二次、三次谐波均小于-49dBm。     

8毫米雪崩注入锁定放大器

简述了注入锁定放大器的基本原理。对基本电路结构进行合理选择与改进,实现电路与崩越器件的最佳阻抗匹配。采用特殊措施抑制崩越管特有的低频振荡现象,防止器件烧毁。所研制的8毫米雪崩注入锁定放大器在33～36GHz内,最大输出功率600mW,带宽达1 000MHz,增益13dB。     

应用于S频段的宽带高谐波抑制的F类功率放大器的设计

采用InGaP/GaAs HBT工艺设计了一个适用于S频段的宽带F类功率放大器,管芯大小为3×3×0.82mm3。为了同时实现高谐波抑制和宽带,在宽带匹配电路中使用了谐波陷波器。在1.8~2.5 GHz范围内,该匹配网络的输入阻抗约为一个常电阻,二次谐波阻抗约为零而三次谐波阻抗接近无穷大,因此提高了功率放大器的效率。输入测试信号为连续波,测试结果表明该功率放大器在1dB压缩点下的输出功率约为34dBm,PAE约为57%,2到4次谐波分量功率均小于-53dBc。     

高效率高谐波抑制功率放大器的设计

介绍了一种对功率放大器高次谐波处理的方法,该方法通过在输出低通匹配网络中引入多个LC谐振网络来对功率放大器产生的谐波能量进行回收,抑制了负载处的谐波分量,同时也提高了功放的效率.利用该方法采用InGaP/GaAs HBT工艺设计了一个供电电压为5V、工作于2 GHz频率的功率放大器.测试结果表明,该功率放大器的增益为35 dB,饱和输出功率为35.2 dBm,效率为48％,2次到5次的谐波分量分别为:-53 dBc、-58 dBc、-65 dBc、-60 dBc.     

Design of broadband class-F power amplifier for multiband LTE handsets applications

A broadband class-F power amplifier for multiband LTE handsets applications is developed across 2.3-2.7 GHz. The power amplifier maintains constant fundamental impedance at the output matching circuit which is operating for broadband. The nearly zero of second harmonic impedance and nearly infinity of third harmonic impedance are found for highly efficient class-F PA. The harmonic control circuits are immersed into the broadband output matching for fundamental frequency. For demonstration, the PA is implemented in InGaP/GaAs HBT process, and tested across the frequency range of 2.3-2.7 GHz using a long-term evolution signal. The presented PA delivers good performance of high efficiency and high linearity, which shows that the broadband class-F PA supports the multiband LTE handsets applications.     

用于包络跟踪功率放大器的三电平包络调制器

提出了一种三电平(3-level)包络调制器结构,使用3-level开关变换器取代两电平(2-level)开关变换器,通过三电平拟合的方法使开关变换器的输出电流摆率能够跟随输入包络的幅度自适应变化,有效减少线性放大器的输出电流,达到降低线性放大器动态功耗的目的,从而提升系统的整体效率。电路设计采用55 nm CMOS工艺,仿真结果显示,在3.3 V供电,10 MHz LTE输入信号下,基于3-level包络调制器的功率放大器输出功率为27.5 dBm,效率为85%,与传统结构相比,效率提升了2%。     

面向5G应用的毫米波CMOS射频功率放大器的研究进展

为满足未来激增的移动数据流量需求,5G通信系统将采用更复杂的非恒定包络调制方式,导致发射信号的峰均比很高,因而对毫米波射频功率放大器的性能提出了更严苛的要求。CMOS工艺兼具低成本和高集成度的优势,是实现5G射频模组全集成化的理想选择。介绍并对比了各类提升功率放大器效率和线性度的技术,重点阐述包络跟踪技术的研究现状,最后分析功率放大器在5G应用中的发展趋势。     

八毫米四倍频器

研制了一种中大功率容量、高效率的８毫米四倍频器，具有结构合理、调试容易、体积小等特点。主要性能：输入功率容量５００ｍＷ，最大效率１５％，输出频率３４．４～３５．２ＧＨｚ，在２００ＭＨｚ带内功率起伏小于０．４ｄＢ。所用器件为南京电子器件研究所最新研制的ＷＢ７３型ＧａＡｓ功率变容管。     

2.5~2.7 GHz高效率低谐波失真的功率放大器

基于InGaP/GaAs HBT工艺设计了一款工作频段为2.5～2.7 GHz的高效率低谐波失真的功率放大器.该功放通过在输出匹配网络中引入多个LC谐振网络组合有效抑制了在负载处的高次谐波能量,进而提高了效率.仿真结果表明,该功率放大器在4.5 V的供电电压下,可以在2.5～2.7 GHz工作频率范围内实现37.6 dB的高增益输出,饱和输出功率可达32 dBm以及对应大于36%的功率附加效率(PAE),二次和三次谐波都小于-60 dBc.