热灯丝CVD金刚石膜的微结构和形貌对其电子性质的影响

利用热灯丝CVD法在硅衬底上合成出了金刚石膜。金刚石膜的质量和电子性质由扫描电子显微镜、拉曼谱、阴极发光及霍尔系数测量来表征。实验结果表明,沉积条件对金刚石膜电子性质和质量有重要影响。载流子迁移率随甲烷浓度增加而减少,但场发射随其增加而增强。压阻效应随微缺陷增多而降低。异质外延金刚石膜压阻因子在室温下100微形变时为1200,但含有大量缺陷的多晶金刚石膜压阻因子低于200,这是由于薄膜中缺陷态密度增加,并依赖于膜结构的变化。     

有机高分子聚合物LPPP异质结构微腔调谐器可靠性的研究

研究表明有机半导体微腔效应可通过简单地调节有机发光层的厚度来实现。实验结果还指出,由空穴传输型的ＬＰＰＰ和电子转移型掺杂的Ａｌｑ构成的异质结构的微腔器能极大地改进其可靠性。同时用金刚石电极代替金属电极也能提高有机发光器件的稳定性。     

磁场对单壁碳纳米管电子结构的影响

利用“石墨近似”讨论了施加轴向匀强磁场对理想单壁碳纳米管电子结构的影响，建立了相应模型，并采用竹电子紧束缚近似法，对Zigzag型碳管进行了理论分析与计算。计算表明磁场中SWNTs的子能带和磁通量是量子化的，其能带以磁通量子哦为周期，随磁通中作周期性变化，并出现金属一半导体性的周期性转变现象。     

催化剂在碳纳米管制备中的影响

催化裂解法操作简单,便于控制参数,有望成为碳纳米管连续生产的最佳方法.在催化裂解法中最重要的是催化剂,主要从催化剂的选取、制备、颗粒大小、失活等方面对碳纳米管生长速度、管径、密度、产物含量的影响进行浅析.     

碳纳米管中Stone-Wales缺陷的对称性效应

采用π电子紧束缚模型,结合实空间的格林函数方法计算了(10,10),(12,0),(10,7)缺陷碳纳米管的电导和态密度,分析了Stone-Wales缺陷的对称性效应.结果表明,Stone-Wale缺陷产生了2个具有确定宇称的准束缚态,电导中的波谷和局域态密度中的波峰都是由准束缚态产生的.     

碳纳米管场发射薄膜的研究现状

碳纳米管独特的物理性质、化学稳定性和高机械强度,使其成为电子发射领域最有潜力的场发射阴极材料.分析了目前国内外场发射碳纳米管薄膜的制备技术和应用中存在的问题,并讨论了解决方案.     

催化剂晶体结构对碳纳米管生长影响的微观解释

通过对催化剂晶体结构的分析,讨论了温度对催化剂金属晶格结构的影响,温度对催化剂中碳的溶解度与扩散速度的影响;催化剂金属中其他元素的加入对碳活度的影响,以及析出能量、晶体界面等对碳纳米管生长的影响.温度在1000 ℃左右时,催化剂金属铁具有面心立方结构,碳管产量比在其它温度下高;催化剂金属中加入其他可提高碳原子活度的元素,可促使碳从催化剂金属中析出,有助于提高碳管的产量.     

有机硅氟材料的改性研究进展及应用

简单介绍了以物理和化学改性制备有机硅氟聚合物的方法,并介绍了有机硅氟材料在涂料、表面活性剂及金属防腐等重要领域的应用,展望了有机硅氟材料的发展前景。     

一种类石墨材料的场发射性能

采用(CVD)法制备了一种类石墨材料,用场发射扫描电镜(FESEM)和Raman光谱对其形貌和结构进行分析,发现表面形貌为花瓣片状结构,边缘具有突出尖端。采用二极结构对其场发射性能进行测试。结果表明当外加电场1.7 V/μm时获得了μA级的发射电流;当电场为4 V/μm时,电流密度达到1.85 mA/cm2;开启电场为2.5 V/μm,最高工作电压为8×103 V到104 V。     

一种新型保温薄膜材料—CdIn2O4的研究

研究了射频反应溅射三元化合物CdIn2O4薄膜的电学和光学性质，讨论了反应气体中氧气浓度和热处理对CdIn2O4薄膜红外反射率的影响，实验结果表明，CdIn2O4薄膜在红外区域具有很高的反射率，是一种极好的红外反射膜。用它用为冰箱内保温膜和室内及冷库保温窗玻璃，效果十分明显，是一种极好的保温和节能膜。