利用电机低速运行实现主轴定位

在组合机床设计过程中，由于加工工艺的需要，经常需要实现镗刀定向（铣刀定向），以下就称为主轴定位。所谓主轴定位是指每次加工完成后，均应使刀刃处于同一个位置；有时允许偏差是很小的。例如：在精密铣削组合机床上，为了实现在机床同一侧上下工件，又要使精加工后的铣创面不会在回退过程中被刀刃划伤，就要求工件加工完后，铣刀（带修光刃）定向，即每次加工完后修光刃应处于同一位置；在镗削加工中，为了提高加工节拍，在同一把刀杆上装有几把镗刀，同时完成螳多层箱壁上孔径不一的孔，这就要求镗刀能定向，以使工件始起后，几把螳刀…     

计及统一潮流控制器的电力系统双层协调弹性调度

极端天气造成的故障会引发潮流转移,触发连锁故障,从而增加了大规模停电事故发生的概率。高比例电力电子设备接入电网的趋势增加了电网调度的灵活性。因此,提出计及统一潮流控制器的电力系统双层协调弹性调度策略。采用随机场景生成的方法模拟极端天气事件;通过潮流熵定量描述极端天气下潮流分布的不均衡性,以表征发生连锁故障的风险;将弹性调度代价最低和潮流熵最低分别作为上下层模型的目标函数,同时基于统一潮流控制器的调节潮流特性,构建双层弹性调度模型;基于KKT条件和对偶原则,将原双层调度模型转化为单层混合整数线性优化模型进行求解,并通过装有统一潮流控制器的IEEE 39和IEEE118节点系统进行算例仿真,验证了所提模型在降低大规模停电事故概率和提升系统弹性方面的有效性。     

基于自注意力机制的无边界应用动作识别方法

近年来,工业互联网获得了飞速的发展.但是和传统互联网一样,工业互联网也面临着大量的网络攻击威胁和敏感信息泄露风险.而流量识别技术,特别是细粒度的应用动作识别技术,可以辅助网络管理者对异常行为进行检测和及早发现隐私泄露风险,保障工业互联网的安全.然而,现有动作识别技术依赖对流量数据中动作边界的预先分割,无法识别无边界的动作,难以应用于实际场景.为解决这一问题,提出一种无边界动作识别算法：首先构建基于自注意力机制的包级识别模型,对数据包进行动作分类;然后提出动作聚合算法,从数据包的分类结果中聚合出动作序列;最后,建立2种新指标来衡量识别结果的好坏.为验证算法的可行性,以微信为实例进行实验,结果表明该模型能够取得最高超过90%的序列识别精度.这一研究成果将有望极大推动应用动作识别技术的实用化.     

基于等差划分的虚拟机实时迁移技术

研究了虚拟机的实时迁移。对局域网内存迁移的预拷贝算法、后拷贝算法以及由这两种算法构成的混合拷贝算法的特性进行分析,在改进混合拷贝算法的基础上提出了基于等差划分的虚拟机实时迁移技术,该技术把第一轮传输的内存页划分成近似等差数列形式的多段,以减少第二轮传输的内存页。不同工作负载条件下的试验表明,与混合内存拷贝方式相比,基于等差划分的虚拟机实时迁移技术平均减少了25%的同步内存位图时间,29%的后拷贝方式发送的内存页以及2.2%的总迁移时间,在一定程度上提高了混合内存拷贝方式的虚拟机实时迁移性能。     

子带自适应滤波器组参数的选取及其影响

为了研究自适应滤波在噪声消除,干扰抑制以及雷达信号处理中的广泛应用,对滤波器各影响因素进行了分析,提出了各参数的设计规则.以自适应滤波理论为基础,将信号划分成不同的子带通过原型分析综合滤波器组,将处理后的各路信号叠加可恢复原信号.选择合理的参数设置滤波器可以使系统的综合性能最优,同时可以将信号在传输过程中造成的损失减小到最低.通过大量仿真验证了该参数选取规则的准确性和有效性.     

AlGaN/GaN HEMT在N2中高温退火研究

通过N2气氛中对蓝宝石衬底AlGaN／GaN HEMT在200～600℃退火1min和5min的多批实验,研究了在不同温度和时间退火冷却后器件直流参数的变化．对器件欧姆接触和肖特基接触在高温退火前后的特性进行了对比分析．确定出了最有利于高电子迁移率晶体管特性提高的退火温度为500℃．退火时间为5min．该条件退火后高电子迁移率晶体管最大跨导提高8．9%．肖特基栅反向漏电流减小2个数量级．阈值电压绝对值减小．退火后肖特基势垒高度提高．在减小栅泄漏电流的同时对沟道电子也有耗尽作用．这是饱和电流和阈值电压变化的主要原因．采用扫描电子显微镜观察肖特基退火后的形貌，500℃未发现明显变化．600℃有起泡现象．     

变温C-V和传输线模型测量研究AlGaN/GaN HEMT温度特性

通过对异质结材料上制作的肖特基结构变温C-V测量和传输线模型变温测量,研究了蓝宝石衬底AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管的直流特性在25～200℃之间的变化,分析了载流子浓度分布、沟道方块电阻、欧姆比接触电阻和缓冲层泄漏电流随温度的变化规律.得出了器件饱和电流随温度升高而下降主要由输运特性退化造成,沟道泄漏电流随温度的变化主要由栅泄漏电流引起的结论.同时,证明了GaN缓冲层漏电不是导致器件退化的主要原因.     

4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMTs台面隔离技术的改进

采用离子注入和ICP干法刻蚀相结合的台面隔离技术提高了4H-SiC衬底AlGaN/GaNHEMTs的直流特性和高频特性.与只采用干法刻蚀进行台面隔离的器件相比,相邻器件有源区之间的泄漏电流减少了两个数量级,栅肖特基泄漏电流在栅漏电压为-40V时由38.5μA减小到1.2μA,截止频率由3.2 GHz提高到6.7 GHz.分析了器件泄漏电流减小和频率特性提高的原因.     

自适应有源声吸收中误差传声器的优化

针对一个基于最小均方算法的自适应有源消声控制系统，讨论了自由场空间有源声吸收中误差传声器位置的优化问题，分析了误差传声器位置对消声效果的影响，从理论上给出了一般的优化方法，并发现其误差传声器的最优位置并不是唯一的，同时系统初值的选择是实现最佳效果必须考虑的问题。     

矿产资源与可持续发展研究

本文阐述了可持续发展的基本内容、矿产资源特征和我国矿产资源状况,指出两者之间的关联:只有实现矿产资源的可持续性利用,才可能实现社会的可持续发展;提出我国矿产资源可持续发展的目标和实现目标的若干建议。