Fe盐掺杂镁合金微弧氧化膜的性能

为满足航天器电子结构产品对热控、防腐蚀功能的需求,采用Fe盐对镁合金微弧氧化膜层进行掺杂改性。采用扫描电镜、X射线衍射仪辐射计及极化曲线研究了Fe盐对微弧氧化膜层微观形貌、热控性能以及耐蚀性的影响。结果表明:镁合金微狐氧化膜层经Fe盐改性掺杂后,膜层微观孔径增大,外观为灰黑色至黑色;Fe盐以氧化物的形式均匀掺杂到膜层中;膜层经掺杂改性后,半球发射率由0.73提高至0.85以上,热控性能显著提高,而耐蚀性能较未掺杂膜层略有下降。     

Nd/Si共掺钇铝石榴石粉体的制备及其性能表征

采用乙醇作为溶剂,通过溶剂热法在低温(270℃)低压(18.2 MPa)条件下合成了Nd/Si共掺的钇铝石榴石(YAG)粉体。利用XRD、TEM、发射光谱和吸收光谱等测试手段对产物微观形态和晶体结构进行了表征研究。在270℃下保温4 h可以得到粒径为200~300nm的球形单分散YAG粉体,粒度比较均匀。粉体的发射光谱与Nd:YAG透明陶瓷的发射光谱近似一致。晶格常数、发射光谱和吸收光谱的结果表明,Nd与Si已掺入YAG晶格中。热处理条件与Nd和Si的掺杂对粉体的光学性质具有显著影响。     

NGAM-2008天然射线灰分仪在代池坝选煤厂的应用

介绍了NGAM-2008天然射线灰分仪在代池坝选煤厂的安装环境和运行校准情况;对产量校准数据和灰分比对数据进行了分析评价:结果表明,灰分仪的产量计量精度优于0.25%,灰分检测精度1.08%;论述了代池坝选煤厂对该天然射线灰分仪的管理和维护经验;总结了天然射线灰分仪不使用放射源、测量精度高等功能特点。     

为使古镇焕新颜 愿化碧血作甘霖——记陕西省西安市临潼区斜口街道党工委书记张友社同志

他是一位普通的基层领导干部,然而在当地干部群众的心目中,他又是个不平凡的人。在他的带领下,斜口积极承接西安东扩和临潼西进战略,实施文化产业园区建设,成为临潼最具发展活力和发展前景的区域;在他的带领下,斜口各项工作处于全区前列,2005年招商引资合同额占全区三分之一强,财政收入由2003年的252万元增长到2005年的827万元;在他的带领下,斜口从一个排位中下游的乡镇一跃成为临潼区的一流街道。近几年来,斜口先后被授予陕西省教育强街,陕西省社会治安综合治理优胜街道,陕西省计生服务优质街道,临潼区六个好街道党工委,临潼区目标考评一类…     

脑血管病伴糖尿病患者介入治疗后对比剂对肾功能的影响

【摘要】 目的 探讨神经介入治疗对脑血管病伴糖尿病患者肾功能的影响。方法 回顾性分析2013年3月至2016年3月采用神经介入术治疗的108例脑血管病伴2型糖尿病患者临床资料。所有患者介入术中对比剂用量＜250 mL,观察术前、术后24 h血清肌酐（sCr）、血清胱抑素（Cys）C水平变化,根据肾脏疾病膳食改良（MDRD）公式和Larsson公式分别计算肾小球滤过率估计值（eGFR）。结果 与术前相比,所有患者术后24 h sCr、血清Cys C水平均显著增高（P＜0.000 1,P=0.015）,eGFR明显降低（MDRD公式 P＜0.000 1,Larsson公式 P=0.021）,均未出现需要治疗的肾损害。结论 神经介入术对比剂应用可引起2型糖尿病患者肾功能下降,sCr、血清Cys C联合测定有助于尽早发现对比剂应用后肾功能改变,对比剂常规剂量对2型糖尿病患者神经介入手术是安全的。

     

成形法磨削斜齿轮的齿形误差分析

在成形法磨削斜齿轮的过程中影响齿轮加工精度的原因很多;根据磨削加工过程,从成形砂轮廓形修形误差和砂轮与齿轮的相对位置误差两方面对其所产生的齿形误差进行了分析,并用数值方法模拟出齿形误差的大小;分析结果和数值模拟结果对设计数控成形磨齿机及编制数控成形磨齿工艺具有重要的参考价值.     

浅谈地图资料的CNMARC格式著录

依据中国文献编目规则、地图资料著录规则及中国机读目录格式的相关说明,探讨地图资料的CNMARC格式著录问题。     

水乡周庄——“东方威尼斯”

古镇、廊棚、老街、小桥、流水、人家……旖旎的水乡风光、特有的人文景观、传统的建筑格局、淳朴的民间风情,再加上九百年的悠远历史、九百年的文化底蕴,于是,中国人有了这样一句话:上有天堂,下有苏杭,中间有一个周庄;外国人有了这样一句话:水乡周庄——“东方的威尼斯”……1998年,周庄被建设部命名为“中国历史文化名镇”。     

8-羟基喹啉铝/镁结接触特性研究

在常温下测量了ＩＴＯ／８－羟基喹啉铝／Ｍｇ／Ａｇ结构的有机结型器件的电容－电压和伏安特性．它与常见的半导体结型器件特性有很大不同．在小偏压下，界面附近的空间电荷和表面层积累的载流子共同决定对器件的界面特性．在高偏压下，隧穿注入的载流子在膜层内的漂移对器件的电学特性产生主要影响．     

非晶Si-B-C-N陶瓷的电学特性研究

采用高温热裂解法制备出Si-B-C-N陶瓷样品,在1100℃和1400℃退火5h后XRD结果显示两个样品均保持非晶状态.采用电流-电压直流测试方法,确定了样品在室温至1100℃温度范围内的直流电导率,材料的电导率在整个温度范围内均随着温度的升高而增大,呈现出非晶半导体的特性.退火温度升高导致电导率显著增大,这与高温退火过程中H的失去有关.