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合理的调频指令分配策略以及有效的指令跟踪控制方法是利用集群电动汽车(aggregate electric vehicles, AEVs)联合火电机组开展调频控制、改善调频质量、提高调频经济性的关键。基于此,提出了基于变分模态分解(variational mode decomposition, VMD)和双层模型预测控制(model predictive control, MPC)的AEVs参与系统调频控制方法。首先,设计AEVs联合传统火电机组的频率协调优化控制结构,建立火电机组及负荷频率控制模型,同时将AEVs转化为虚拟调频单元,构建AEVs参与下系统单区域多机组负荷频率控制模型;然后,利用VMD将电网调频指令信号分解为含不同频率成分的本征模态函数,整合高频分量作为AEVs的调频指令,低频分量作为火电机组群的调频指令,并通过双层MPC分别在AEVs和火电机组群内部实现调频指令的优化再分配及跟踪控制;最后,对控制方法进行了仿真验证,结果表明,所提控制方法能够实现对系统频率的有效调节,同时兼顾了调频的经济性和动态性能。 相似文献
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采用晶种原位形成与水热合成法,在SiO2大孔材料中原位生长出氧化锌纳米线(ZnO NWs)。纳米线是由六方纤锌矿型氧化锌晶体构成,在孔道内呈现无规纳米线团形貌,且分散良好、结构稳定,其直径为15-20 nm。ZnO NWs/SiO2复合能有效负载四羧基酞菁铁(Fe(Ⅲ)-taPc),最高负载量(质量分数)为11.5%。进一步制备出Fe(Ⅲ)-taPc/ZnO NWs/SiO2三元复合光催化剂,通过扫描电镜(SEM)、粉末衍射(XRD)、紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis)、Raman光谱(Raman)对其进行表征,并以有机染料罗丹明B为目标降解物考察了其可见光光催化降解性能。结果表明,在可见光照射下三元催化剂能快速催化降解罗丹明B,降解反应遵守一级动力学方程。Fe(Ⅲ)-taPc负载量(质量分数)为3.5%的三元复合光催化剂显示出最高的活性,在60 min内使罗丹明B的降解率达到98.6%,ZnO NWs的存在使Fe(Ⅲ)-taPc的光催化活性平均提高77%。6次循环使用后三元复合催化剂的活性没有明显下降,表明催化剂性能稳定,可重复使用多次。 相似文献
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以新型SiO2大孔材料为模板,采用原位聚合及真空热解的方法制备出大孔C/SiO2复合电极,并先后在孔道表面负载单质硫及聚合物膜后得到具有Polymer-S-C/SiO2多层结构的复合大孔电极。用SEM对电极结构进行表征,并测定了比表面积和负载物的平均厚度;用EIS和充放电测试对电极的电化学性能进行了研究。结果表明:聚合物膜厚度的增加可使电极的交流阻抗迅速增大,同时能明显改善锂硫离子电池的逆循环性,说明聚合物膜的存在能够有效抑制多硫化物中间产物的流失。改变单体的用量可以调控聚合物膜的厚度,当聚合物膜平均厚度为8.0 nm时,锂离子电池的循环性能达到最佳,其首次放电比容量达792 mA·h/g,经过50个循环后,可逆容量仍达到635 mA·h/g。 相似文献
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采用Zn(Ac)2/聚乙二醇600(PEG600)/H2O三元混合溶液作为前驱物,通过100~200 ℃温度范围内的两阶段加热使Zn(Ac)2水解,再经过高温煅烧使ZnO晶种在SiO2孔壁上形成.以锌氨络合物为锌源,在90 ℃下热分解后生成的Zn(OH)2沉积在孔道中,并在100 ℃下利用水热合成原位制备ZnO纳米线,通过改变三元前驱物组分用量以调节ZnO晶种的尺寸与分布,进而控制纳米线的形貌,最终获得了直径为15~20 nm的ZnO纳米线,其以无规线团形貌均匀填充于三维孔道中.XRD和拉曼光谱表明纳米线为六方纤锌矿型ZnO晶体.考察了ZnO纳米线/大孔SiO2复合物对猪胰脂肪酶的吸附性能,实验测得复合物的吸附量是单纯大孔SiO2材料的5~6倍,其最大固定量为286.8 mg·g-1,最高酶活为425.5 U·g-1,被固定的酶蛋白在缓冲溶液中经过48 h浸泡不易脱落,且活性保持稳定. 相似文献
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针对LiTi2(PO4)3基固态电解质电导率低的问题,采用浙江三门高岭土矿作为主要原料,以高温固相法制备铝、镁、硅共掺杂钠超离子导体(NASICON)型快离子导体Li1+2x+2yAlxMgyTi2-x-ySixP3-xO12.研究掺杂比例、温度对固态电解质离子电导率的影响.结果表明,组成为Li1.8Al0.1Mg0.3Ti1.6Si0.1P2.9O12固体电解质在423 K时有最高离子电导率7.86×10-4 S·cm-1.以该组成固态电解质为基片,喷雾热解原位制备Al/ Li1+xV3O8/ Li1.8Al0.1Mg0.3Ti1.6Si0.1 P2.9O12 /C全固态电池并在1.8~3.9 V电压区间进行50次充放电测试.该电池具有较好的稳定性及循环容量保持能力.30次循环以后放电容量基本稳定在190~205 mAh·g-1之间,充放电效率大于90%. 相似文献
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