聚变堆材料第一次国际会议将在东京召开

由东京大学名誉教授、东京理科大学授教桥口隆吉(R.R.Hasiguti)负责组织召开的聚变堆材料国际会议第一次会议(ICFRM-1)将于1984年12月3日至6日在日本东京举行。会议目的是推进聚变堆材料科学技术的发展;重点是在聚变环境下(以及用裂变堆、加速器和其它辐照源模拟的辐照条件下)材料的辐照效应实验与理论的研究。会议内容有:材料与堆的设计、材料数据及材料/设计接口、增殖材料、特种材料、高热通     

Pb（Mg1／3Nb2／3）O3—PbTiO3的介电,弹性,压电和热电性质

研究了准同型相界附近组分的Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－ＰｂＴｉＯ３铁电晶体〈００１〉方向的介电、弹性、压电和热电性质。室温时压电应变常数ｄ３３约为８００ｐＣ／Ｎ。在２００Ｋ～３６０Ｋ的温度范围内,机电耦合系数ｋｔ约为０．５３,近似为一常数。而压电应力常数ｅ３３和热释电系数ｐ３随着温度的上升而单调地增大,弹性刚度常数ｃＤ３３却逐渐减小。其铁电相变的弥散性程度很高,介电临界指数γ为１．８８。     

掺锑对二氧化锡压敏电阻性能的影响

通过对样品V-I特性和势垒特性的测试和分析,研究了掺锑对二氧化锡压敏电阻性能的影响.snO2@Co2O3基本上不具有电学非线性,掺杂很少量的Sb2O3可明显改善材料的非线性.研究中发现掺杂x(sb2O3)为0.01%的样品具有最高的质量密度(ρ＝6.90g/cm3)、最高的视在势垒电场(EB＝276V/cm)和最好的电学非线性(a＝12.89).提出了SnO2@Co2O3@Sb2O3的晶界缺陷势垒模型.     

论我国主流意识形态网络话语权建设的基本原则与实践方略

加强我国主流意识形态网络话语权建设是具有重大意义的现实议题。在当前，我国主流意识形态网络话语之主体、内容、载体和评估建设均存在一定不足。因此，必须坚持话语继承与话语创新相结合、话语批判与话语包容相结合以及话语自信与话语合作相结合的原则，不断加强主体建设、内容建设、载体建设和评估建设，在培育多元话语队伍、做好优质话语生产、创新宣传话语模式和提升全程话语效能等方面共同着力，推动我国主流意识形态网络话语权建设取得更大成效。     

新型钨青铜结构晶体SCNN

合成了新型光折变晶体Sr_(1.95)Ca_(0.05)NaNb_5O_(15),并根据其结晶特性设计了生长温场,用提拉法得到了大的单晶。利用X射线衍射方法测定其晶胞参数,确定其为正交相。     

用剩余强度法测定钴在铜中的扩散系数

详细叙述用剩余强度法测定扩散系数的方法。测定了Co~(60)在铜单晶体中的扩散系数。并对一些可能产生的误差来源作了分析。     

PTCR陶瓷材料的介电频响特性

研究了一种以钛酸钡为基的PTCR陶瓷在30kHz至300MHz频率范围内的室温介电频谱。该介电响应可近似地用Debye弛豫方程加以描述,但低频时电导率对介电常数虚部起主导作用。根据介电频谱的测量结果,分别得出了晶粒和晶界的电阻率和介电常数。     

钛酸铋钠系陶瓷的介电热滞现象

测量了（Na0.5Bi0.5)TiO3和（Na0.5Bi0.5)0.94Ba0.06TiO3陶瓷从20－500℃的介电温谱。发现（Na0.5Bi0.5)TiO3陶瓷在150－350℃和（Na0.5Bi0.5)0.94Ba0.06TiO3陶瓷在30－300℃的热滞现象。作者认为此热滞现象是该类材料发生缓慢相变过程的外在表现,对于（Na0.5Bi0.5)0.94Ba0.06TiO3陶瓷直至室温附近的热滞现象,与其常温下处于三角－四方准同型相界（MPB）附近有关,而且这一热滞的存在必然影响（Na0.5Bi0.5)0.94Ba0.06TiO3陶瓷谐振频率等有关压电性温度稳定性。     

Co2O3掺杂对SnO2-Ni2O3-Nb2O5系压敏材料性能的影响

研究并分析了Ni^2＋掺杂和Co^2＋掺杂对SnO2压敏电阻致密度和电学非线性性能的影响。研究了掺Co^3＋对Sno2-Ni2O3-Nb2O5压敏材料性能的影响。实验结果表明，Co2O3在高温下可转变为CoO。Co^2＋的掺入不仅能够增大Sno2-Ni2O3-Nb2O5材料的质量密度，而且在线性系数，在较大程度上提高了Sno2-Ni2O3-Nb2O5压敏材料的性能。