自调Q掺饵光纤激光器

研制出一种结构新颖的掺饵光纤激光器，该激光器利用线性光纤环形镜和半导体激光器芯片的背向反射镜组成谐振腔。采用半导体激光器芯片作为饱和吸收体，在９ｍＷ的泵浦功率下，该激光器实现了自调Ｑ脉冲输出。输出光脉冲宽度为１２μｓ，脉冲峰值功率约为２２ｍＷ，脉冲序列的重复周期约为６５μｓ。     

FP腔掺铒光纤激光器输出特性的解析表示

通过求解掺铒光纤的稳态传输方程，对FP腔掺铒光纤激光器的输出特性进行了分析，获得了用掺饵光纤材料参数和激光器谐振腔结构参数表示的激光器输出光功率、阈值泵浦功率和科率效率的解析表达式。就泵浦光残余反射率对激光器性能的影响进行了分析。     

色心激光器及其发展

色心激光器由于其特殊的调谐范围及单频、窄线宽的工作特点,可作为高分辨率的分光仪的理想窄带光源而用于分子振动一转动跃迁的研究,在光纤通信、超高速现象的研究等方面也有其独特的应用。本文叙述色心的构造及其特点,色心激光器的泵浦及泵浦的最佳化,调谐方式及新调谐范围的进展,单频、窄线宽运行的实现、激光脉冲的压缩等。最后指出色心激光器的发展方向和可能的应用。     

偏振相关测试仪技术方案及其分析

文章首先描述了偏振相关测试仪（PDM）的结构和原理,然后重点介绍了几种常用的偏振控制仪模块结构,包括波片型,可穹法拉第旋转片（VFR）型,楔形双折射晶体型,光纤环型,挤压光纤型,液晶型,铌酸锂（LiNbO3）型,电光陶瓷型等。文章最后结合光通信的发展,分析了各种结构的偏振测试功率计的发展趋势。     

基于和频效应1.5 μm波段新型高速全光波长转换器

基于周期极化反转铌酸锂(PPLN)光波导的和频(SFG)二阶非线性效应,提出并实验验证了1.5-μm波段信号光到抽运光的高速全光波长转换。输入信号光采用重复频率为40 GHz,脉宽为1.57 ps的皮秒脉冲或是40 Gbit/s的非归零(NRZ)码信号,输入抽运光为连续光,输出抽运光变为脉冲光,并且是输入信号光的反向波长转换。     

基于半导体光放大器交叉增益饱和的波长转换的理论分析

建立了基于半导体光放大器交叉增益饱和的波长转换的理论模型。分别讨论了小信号下波长转换特性和大信号下转换波形的畸变情况。结果表明,半导体光放大器的载流子寿命是导致输出波形畸变的主要因素。     

二维磁性光量子阱对共振隧穿光谱特性的影响

基于非磁性材料开腔光量子阱结构设计了非磁性闭腔光量子阱和磁性材料光量子阱结构。用时域有限差分法(FDTD)计算了这三种量子阱结构的透射谱和光场分布,研究了各量子阱中的量子化能态,论证了完全依靠自身结构在很大程度上增强透射光谱强度的可行性。研究发现,光子隧穿磁性光量子阱结构时透射率接近1,能量损失小;与非磁性闭腔光量子阱结构相比,能够减小器件体积,增加能带工程的自由调节度,获得更加丰富的光子束缚态,因而更具优越性。计算结果表明,开腔光量子阱为行波阱,这种阱俘获光子的能力较弱;闭腔光量子阱和磁性材料光量子阱均为驻波阱,局域光子的能力很强,且磁性材料光量子阱可以产生更大的光场梯度。     

基于紫外光刻的双轴张应变Ge/SiGe多量子阱电吸收调制器北大核心CSCD

采用紫外光刻工艺(ultraviolet lithography technique,UVL),在互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)兼容的硅基平台上制作了基于悬空微桥结构在Ge/SiGe多量子阱材料中引入双轴张应变的低偏振相关电吸收调制器。利用拉曼光谱测试了器件引入双轴张应变的大小,并对器件在横电(transverse electric,TE)偏振和横磁(transverse magnetic,TM)偏振下的光电流响应、调制消光比和高频响应等性能进行了测试。器件的低偏振相关消光比在0 V/4 V工作电压下可达5.8 dB,3 dB调制带宽在4 V反向偏置电压时为8.3 GHz。与电子束光刻工艺(electron beam lithography technique,EBL)相比,采用UVL制作的器件在调制消光比、高频响应带宽等性能上略差一点,但具有曝光时间短、成本低和可大批量生产等优势,应用前景广阔。     

140 Mbit/s全光波长转换的实验研究

对基于半导体光放大器交叉增益调制的波长转换进行了实验研究。实现了速率为１４０Ｍｂｉｔ／ｓ 信号的１．３１５２ μｍ 和１．３０１４ μｍ 间的波长转换。并对实验结果作了解释     

导线特性曲线和安装曲线的绘制程序

介绍了利用ＣＡＤ的Ａｕｔｏｍａｔｉｏｎ技术编制的导线特性曲线、安装曲线的绘制程序。该程序使得在线路设计工程中特性曲线、安装曲线绘制实现了自动化。