首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   274篇
  免费   14篇
  国内免费   11篇
工业技术   299篇
  2024年   2篇
  2023年   7篇
  2022年   5篇
  2021年   3篇
  2020年   7篇
  2019年   12篇
  2018年   8篇
  2017年   6篇
  2016年   10篇
  2015年   1篇
  2014年   18篇
  2013年   11篇
  2012年   15篇
  2011年   14篇
  2010年   11篇
  2009年   12篇
  2008年   6篇
  2007年   13篇
  2006年   4篇
  2005年   14篇
  2004年   19篇
  2003年   13篇
  2002年   10篇
  2001年   16篇
  2000年   12篇
  1999年   8篇
  1998年   5篇
  1997年   4篇
  1996年   8篇
  1995年   6篇
  1994年   1篇
  1993年   3篇
  1991年   1篇
  1989年   1篇
  1987年   2篇
  1986年   1篇
  1985年   2篇
  1984年   7篇
  1982年   1篇
排序方式: 共有299条查询结果,搜索用时 125 毫秒
11.
生活垃圾的处理是否得当不仅关系到生态文明建设是否能够顺利进行,而且它将决定我们人类今后的生存空间。针对垃圾分类回收的现有问题,设计了一种能够自动完成垃圾分类回收工作的垃圾桶,用以实现从源头对垃圾进行控制。该方法既符合我国的社会现状,也符合社会对资源以及环境的要求。  相似文献   
12.
刘鸿  童义平  廖亚四  李创海 《化学试剂》2014,(10):897-900,915
以8-羟基喹啉为原料,通过Reimer-Tiemann反应得到8-羟基喹啉-7-醛,然后与邻氨基苯甲酸缩合得到标题化合物及其金属配合物。通过IR、UV、1HNMR、元素分析、热失重分析等对其结构和性能进行表征,确定配合物分子组成为Zn2.5L·2H2O和Al2(L·1.5H2O)·H2O。测定了两种配合物的荧光性,其最大荧光发射波长(λmax)分别为493、497 nm,通过荧光滴定光谱求得标题配合物与Zn2+和Al3+两种离子的结合常数logβ分别为10.391、8.518。  相似文献   
13.
特种V型蒸发式火焰稳定器的总压损失试验研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
研究了特种V型蒸发式火焰稳定器的流阻损失 ,为了能说明问题选用了其它几种蒸发式稳定器与其作对比试验 ,从而揭示了在冷态下该种稳定器总压损失的特点。  相似文献   
14.
利用金相显微镜、扫描电镜、透射电镜和X射线衍射仪研究了9Cr18和9cr18Mo不同热处理状态的显微组织及冲击和拉伸断口.结合力学性能实验结果,分析了材料微观组织对力学性能的影响.结果表明:材料中大量脆性块状共晶碳化物呈带状分布是材料力学性能出现显著各向异性的原因;9Cr18Mo在350-550℃回火时出现的回火脆性,由杂质元素的偏聚引起.两种材料中都没有观察到明显的残余奥氏体相,回火过程中从基体析出的Cr含量不超过1%.  相似文献   
15.
正如《IT时代周刊》所言,不管是国内4大电信运营商,还是沃达丰、德国电信等国际电信巨头,都面临着同样的局势,传统话音业务逐渐萎缩(《电信运营商以转型业务促收入增长抢占未来制高点》,"产业",2007年5月20日)。  相似文献   
16.
17.
18.
19.
CMFB-DWMT多载波系统与DMT多载波系统的比较   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文首先讨论了基于余弦调制滤波器组(cosine modulation filter-banks-CMFB)的多载波调制解调结构的快速实现。然后在性能和抗噪方面对CMFB多载波结构与DMT(discretemulti-tone)作了分析和比较。计算机仿真结果显示,CMFB-DWMT(discrete wavelet multi-tone)在左频域特性、抑制噪声和抑制突发错误方面比DMT有较大的优势。  相似文献   
20.
人射光脉冲波长为1064nm时,GaAs光导开关上的直流电场强度为10~3V/Cm。讨一论了恒定光强和高斯光强时,GaAs杂质吸收载流子浓度随时问变化;将高斯光强时的模拟结果同实验相比较,二者吻合很好。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号