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11.
用强迫水解的方法制备粒径为5 nm的无定形Fe2O3微粒, 并用滴膜的方法制备ITO/Fe2O3电极. 在KCl, Na2SO4, NaOH电解质溶液中研究这种电极的光电化学特性. 同时对光生载流子在Fe2O3膜/电解质溶液界面的传递过程进行讨论. 根据紫外-可见吸收特性及光电流的产生电位实验数据绘制了无定形Fe2O3的能级示意图.  相似文献   
12.
聚苯胺(PANI)是一种导电性良好、光电转化效率高的p型有机半导体.采用旋涂法制备了聚苯胺/氧化铟锡(PANI/ITO)电极,然后通过静电吸附将脲酶(urease)固定在PANI/ITO表面,形成Urease/PANI/ITO复合电极.利用脲酶分解尿素(urea)产生的氨可以改变PANI膜质子化状态,从而影响其光电性能的原理,发展可特异性检测尿素的光电化学(PEC)方法.该方法对尿素的线性检测范围较宽(10-3~10-8mol·L-1),特异性、稳定性和可重现性也较好,可用于人体尿液中尿素含量的测定.  相似文献   
13.
模拟海水中铜腐蚀及缓蚀的光电化学研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
用光电化学方法现场测量铜电极的开路光电压,用开路光电压的变化来反映铜的腐蚀行为及缓蚀剂BTA的缓蚀行为。实验发现开路光电压由正变负即光响应由P型光响应转变为N型光响应表明铜电极受到Cl-的侵蚀,在铜板电极表面形成了含有CuCl在内的复杂相。在本文条件下从w(缓蚀剂BTA)为5×10-6%时开始产生缓蚀作用,随着w(缓蚀剂)的增加,CuBTA膜变得越致密越厚,缓蚀作用越好,表现为开路光电压越来越小。并用表面电子能谱技术测试结果佐证  相似文献   
14.
采用光电化学方法和交流阻抗方法将不同浓度的BTA(苯并三氮唑)和4CBTA(4-羧基苯并三氮唑)在硼砂缓冲溶液(pH9.2)中对铜电极的缓蚀性能作了比较。发现在阳性向电位扫描中,一定农度的BTA作用下,铜电极光响应由p型转化为n型,并可依此判断缓蚀剂的缓蚀性能。n型光响应越大,缓蚀剂的缓蚀性能越好;而在4CBTA作用下,铜电极光响应保持p型,然其阴极向扫描中最大光电汉变化明显,并可据此判断缓蚀剂诉  相似文献   
15.
酸度对偏钛酸水热法合成纳米TiO2的影响   总被引:3,自引:0,他引:3  
考察了酸度对偏钛酸作前驱体水热合成TiO2纳米粒子的影响,结果表明,该法合成的TiO2纳米粒子为锐钛矿型,增加酸度有利于提高合成的TiO2纳米粒子的粒径并获得较高的光电转换效率.  相似文献   
16.
TiO2是一种常见的n型半导体材料,将TiO2与其他材料复合构成异质结能够拓宽TiO2光响应范围,减小光生空穴与光生电子重新结合的几率,提高整个体系的光电转换效率。主要对异质结作用于光催化的基本原理以及基于TiO2异质结在光电化学传感领域的应用做了相关综述。  相似文献   
17.
采用金属催化化学蚀刻法制备硅纳米线阵列(silicon nanowire arrays,Si NWs),通过高速旋涂仪将自上而下法制备的石墨烯量子点(graphene quantum dots, GQDs)负载到Si NWs上。X射线光电子能谱(X-ray photoelectron spectroscopy, XPS)等表征结果证明,GQDs能够通过高速旋涂仪负载到Si NWs上。扫描电子显微镜(scanning electron microscopy, SEM)形貌观测结果表明,蚀刻时间与Si NWs纳米线长度成正比。光电化学测试结果表明,性能最优的蚀刻时间为45 min。与原始硅片相比,GQDs负载的Si NWs光电密度达到了0.95 mA/cm2,性能提升了30多倍。电化学交流阻抗(electrochemical impedance spectroscopy, EIS)测试结果表明:GQDs的加入能显著提升载流子的传输效率。紫外–可见漫反射光谱(ultravioletray-visible diffuse reflectance spectroscopy, UV-Vis DRS)结果显示负载GQDs可以有效提升Si NWs对光的吸收效果。  相似文献   
18.
采用涂覆法制备了纳米管钛酸钠薄膜电极,并用TEM、DRS、XRD和SEM对电极材料和电极表面进行了表征,用光电化学方法研究了纳米管钛酸钠的光电化学行为,通过与TiO2(P25)薄膜电极进行比较,得出了纳米管钛酸钠显示出P型光响应的结论。  相似文献   
19.
半导体纳米粒子的合成,性质及其光电化学应用   总被引:4,自引:2,他引:2  
介绍了半导体纳米粒子的特性、制备和在光催化处理环境污染、光电太阳能转换方面的应用.  相似文献   
20.
以三嵌段共聚物为模板剂,钛酸正丁酯为无机前驱体,采用溶胶一凝胶法制备了TiO2溶胶,利用提拉法获得了纳米晶介孔TiO2薄膜,对薄膜的制备条件进行了优化。研究表明,将介孔TiO2薄膜电极浸入含有三乙醇胺的缓冲溶液中,在紫外光照射条件下,三乙醇胺作为电子供体,能够显著增强介孔TiO2薄膜电极的光电流强度。  相似文献   
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