高铟闪锌矿在氧压酸浸中铟浸出动力学的研究

铟是一种重要的多用途战略金属,具有较高的工业应用价值,但无独立可供开采的矿床,常伴生于铅锌等硫化矿中.因此,本文在传统电加热条件下进行了高铟闪锌矿氧压酸浸过程中铟浸出动力学实验的研究.结果表明:采用“有固态产物层的液-固相浸出反应动力学模型”对铟浸出动力学进行了研究,可知其浸出速率受到界面化学反应控制,其表观活化能为69.735kJ/mol,以及高铟闪锌矿氧压酸浸过程中铟浸出率随粒度减小、初始酸度增大、氧分压增大、浸出温度增大而增大.     

Recent progress in the determination of gallium, indium, and thallium

Recent progress in the determination of gallium, indium, and thallium     

石油亚砜萃取铟的机理研究

研究表明，在盐酸介质中，石油亚砜萃取铟的机理与水相酸度有关。低酸度时，亚砜通过氧原子与ＩｎⅢ）配位生成萃合物ＩｎＣｌ３，２ＰＳＯ．Ｈ２Ｏ，高酸度时，亚砜则通过氧原子配位溶剂化，并与Ｉｎ（Ⅲ）反应生成离子缔合物［ＰＳＯ→Ｈ］＾＋［ＩｎＣｌ４．２ＰＳＯ］＾－。     

电子束法沉积 ITO 透明导电膜的研究

论述了ＩＴＯ膜的导电机理及生长机理,讨论了电子束加热真空蒸镀ＩＴＯ膜的方法中,膜的组分、氧分压、衬底温度和蒸发速率等几个参数对ＩＴＯ膜光电性能的影响．在选择合适的工艺条件下制备ＩＴＯ膜,电阻率约４×１０－４Ω·ｃｍ,可见光范围内平均透过率高于９０％．     

铟-桑色素体系吸附溶出伏安法研究

对Ｉｎ（Ⅲ）－桑色素（ｍｏｒｉｎ）配合物在悬汞电极上的吸附伏安特性作了研究,确定了电极过程。在ＣｌＣＨ２ＣＯＯＨ底液中,有桑色素存在下,用１．５次微分吸附伏安法测定铟,线性范围和检测下限分别为３．５×１０－１０～１．５×１０－７ｍｏｌ／Ｌ和５×１０－１１ｍｏｌ／Ｌ。用此法测定了氢氧化铝、银粉和铅粉样品中的痕量铟,结果满意。     

FIA法测定湿法磷酸工艺过程中物料的磷含量

本文报导了使用FIA法(Flow Injection Analysis)测定湿法磷酸工艺过程中物料的磷含量。该法是选用钼酸铵和钒酸铵混合液为磷的显色剂,0.48 molL~(-1)盐酸溶液为载流,对磷矿酸解所得的酸解液和萃取过程中萃余液(水相)等溶液中磷的含量,均可用此法测定。其含磷量在0～500mgl~(-1)的范围内能得到满意的结果。     

铟锡氧化物热等静压时分解氧对裂纹形成的作用

用化学共沉淀法制备的铟锡氧化物复合粉末经冷等静压成形后进行热等静压致密化所得靶材常常会产生裂纹．用电子探针分析了铟锡氧化物热等静压后裂纹处铟、锡和氧的成分分布．结果表明,裂纹处铟含量极低,锡含量极高,而氧含量低于配比含量,这与Ｉｎ２Ｏ３ 和ＳｎＯ２ 在高温下不同的分解行为有关;粉末经高温煅烧预处理后,进行热等静压致密化所获得的靶材的相对密度可达到９８ ％ 以上,且裂纹大大减少．     

OLED电极引线的腐蚀机理分析

有机电致发光器件(OLED)电极引线发生腐蚀是OLED失效的重要原因.用XRD,XPS,SEM和EDX等方法对镀Cr的ITO电极引线样品的腐蚀产物成分、结构和形貌进行了分析,XRD和XPS结果表明镀层Cr反应生成Cr(OH)3和CrO3,SEM和EDX结果表明Cr先腐蚀,ITO随后发生腐蚀.然后通过对引线样品在不同溶液中的极化曲线分析,得知Cr腐蚀产物的价态与其所处的电位有关,且氯离子对ITO腐蚀具有促进作用.最后根据实验结果对电极引线腐蚀的全过程提出一简化模型进行解释.     

ITO薄膜的微结构及其分形表征

采用直流磁控溅射法制备氧化铟锡（ITO）薄膜,用XRD、TEM和分形理论测试和分析了不同退火时间ITO薄膜的微结构。XRD分析表明：退火时间持续增加,薄膜的晶格常数先减小后略有增大,这是薄膜中Sn~（4＋）取代Sn~（2＋）导致晶格常数减小和压应力不断释放导致晶格常数增大共同作用的结果。分形研究表明：分形维数随退火时间的延长先减小后增大,说明薄膜中平均晶粒尺寸先减小后增大,与XRD的研究结果一致。