电动汽车用电池管理系统的研究

在大量动力电池充放电动态响应试验研究的基础上,研制了电动汽车动力电池在线监测系统.系统以MC9S12DP256B微控制器为核心,实时监测电池电压、电流和温度等信息;利用电池的电压模型、安时平衡模型,模糊控制模型估算荷电状态;通过CAN和多能源管理系统进行通信;将电池的状态信息保存于EEPROM中.试验结果表明:该管理系统对车用管式铅酸电池荷电状态的预测具有较高的精度.     

一种制备CdSe纳米晶体的方法

CdSe纳米晶体因其独特的新颖性质具有广阔应用前景，但常用的非水相方法所用的原料，如三正辛基氧化膦等，价格昂贵且毒性大．为此，引入了价格便宜、环境友好的新溶剂A，在其中合成了CdSe纳米晶体，并利用紫外可见光谱、荧光发射光谱、透射电镜、能量分散X射线谱和X射线衍射对得到的纳米晶体进行了表征．结果表明，在新溶剂中合成的CdSe纳米晶体粒度均匀，粒径可控，具有高的结晶度和良好的光学性质．新溶剂A降低了合成成本，使合成更加符合绿色化学的原则．     

双模板法同步诱导合成硒化汞微球和纳米颗粒

利用大葱生物膜内外有别的结构特性模拟生物矿化过程，在室温下同步诱导合成出颗粒状和球状两种不同形貌的硒化汞材料，前者尺寸约为200nm的大纳米颗粒，该产物可能是由尺寸约30nm的小纳米粒子组装而成；后者尺寸约为3μm的高度致密的带花边的实心圆球，该产物可能是自发生长或由直径约1μm的小球组装而成．其结构均为立方相，晶格常数为0．608nm．通过紫外可见光谱（UV—Vis）和荧光光谱（Fluorescence，FL）对产物的光学性质进行了研究．初步探讨了硒化汞的合成机理．     

橙黄色电致发光器件发光特性的研究

本文叙述了橙黄色薄膜电致发光器件(TFEL)和采用陶瓷厚膜作为绝缘层、ZnS:Mn作为发光层的橙黄色陶瓷厚膜电致发光器件(CTFEL).测量了器件的电致发光光谱和亮度-电压曲线,研究了效率-电压等特性.     

不同的氧氩比对ZnO薄膜性能的影响

利用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C轴择优取向的ZnO晶体薄膜,在其他反应条件不变的情况下,改变氩氧比,测量了样品的晶体结构和导电性能.随着反应气氛中氩气含量的增加,(002)面衍射峰的强度有所提高,说明薄膜的结晶质量有所改善,衍射峰略向θ角减小的方向移动.随着反应气氛中氩气含量的增多、氧气含量的减少,ZnO薄膜的方块电阻明显减小,说明薄膜的电阻率随反应气氛中氩气的增加而明显减小.     

直流磁控溅射氧化铟锡薄膜的低温等离子退火研究

提出了一种可显著改善室温下直流磁控溅射氧化铟锡(ITO)薄膜晶体结构、光学和电学性能的后处理方法,将ITO薄膜分别置于氩气、氨气和氧气中进行低温等离子体退火处理.同单纯的退火处理相比,在3种气氛下,低温等离子退火均可使室温溅射沉积的ITO薄膜在相对低的温度(150℃)时,由非晶态转变为晶态,其相应的电学和光学性能都有较大的提高.实验证明:氨气气氛下退火温度为350℃时,玻璃衬底上ITO薄膜在波长为600 nm的可见光区内的透光率可达88.5%;薄膜表面的针刺很少,表面平整度小于2.08 nm;方块电阻由348.7Ω降到66.8Ω,相应的电阻率由4.1×10-3Ω.cm降到7.9×10-4Ω.cm.该方法更能满足柔性有机聚合衬底的ITO薄膜对低温退火的要求.     

单振子双腔体压电薄膜泵的研究

利用雕刻技术，以有机玻璃为原材料，加工制作了一种可双向工作的单振子双腔体压电薄膜泵，并对该结构压电泵的工作原理进行了阐述．通过对单振子双腔体压电薄膜泵的输出流量和压力的测试，得出在输入100V正弦交流信号时，它的最佳工作频率为20Hz，输出流量为785mL／min，输出压力为14kPa，表明单振子双腔体压电泵在低频工作时，其输出流量优于单振子单腔体压电泵，而且能够提高机械转化效率，工作过程无脉动现象．     

钙钛矿La0.67Pb0.33MnO3薄膜的制备及表征

利用磁控溅射法在单晶LaAlO3(100)衬底上成功的外延生长了La0.67Pb0.33MnO3薄膜。用X射线衍射、原子力和超导量子干涉仪、振动样品磁强计对其进行了表征。结果表明,薄膜为赝立方钙钛矿结构,晶胞参数为a=3.861 nm,具有良好的单晶外延结构和光滑的表面。居里温度TC=345 K,在居里温度附近,发生铁磁-顺磁转变。此材料呈现出一种典型的自旋玻璃特性,是由于应力造成的。在室温条件下,当H=0.8T时,磁电阻效应非常明显,此现象是由于固有磁电阻效应引起的,并不是低场磁电阻效应引起的。室温下,其矫顽力只有50奥斯特。     

铁酸钴的流变相合成及电化学性能研究

以FeCl2·6H2O，CoCl2·6H2O和H2C2O4·2H2O为原料，用流变相法合成草酸盐先驱物，将先驱物在不同温度下热解，得到面心立方结构的CoFe2O4。实验结果表明，CoFe2O4的电化学性能因热处理温度不同而存在较大差异，其循环稳定性因热处理温度不同而不同。     

磁控弧光增强等离子体CVD(化学气相沉积)法制备立方氮化硼薄膜

采用一种新的自行设计的磁控弧光增强等离子体化学气相沉积法制备立方氮化硼(c-BN)薄膜.现已成功地在单晶硅上制备出了含量较高的立方氮化硼(c-BN)薄膜.制备出的薄膜用傅立叶红外(FTIR)光谱和X射线衍射(XRD)谱来表征.同时研究了各个沉积参数(基底直流负偏压、弧光等离子体放电电流、气体流量比)对立方氮化硼薄膜制备的影响.