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聚吡咯/聚硫橡胶导电复合膜采用电化学一步法制备,并运用电导率四探针测试仪、扫描电镜、X-光电子能谱、多重内反射红外光谱等分析技术对复合膜的两个表面进行了研究.分析结果表明,原位复合过程中聚吡咯分子链上的部分氮原子与聚硫橡胶的端基-SH之间发生了化学作用;复合膜的电导率和表面形貌受溶剂、支持电解质等制备条件的影响,且复合膜在脱杂过程中,聚合物的微观结构重新形成了新的形态. 相似文献
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采用射频磁控溅射法在有机衬底PPA上低温制备出Zn-Sn-O透明导电膜, 并对薄膜的结构和光电性质进行了研究. 制备的薄膜为非晶结构, 薄膜与衬底有良好的附着性. 性能良好的有机衬底Zn-Sn-O透明导电膜的电阻率为1.3×108722;2 Ω8729;cm, 载流子浓度为4.4×1019 cm8722;3, Hall迁移率为12.4 cm28729;V8722;18729;s8722;1. 薄膜在可见光范围的平均透过率达到了82%. 相似文献
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采用热/结构耦合场对非导电膜互连封装玻璃覆晶(COG)模块芯片(IC)的翘曲进行数值模拟,并分析不同热压键合参数和芯片/基板厚度对液晶显示屏(LCD)翘曲的影响.结果表明:在热压键合过程中,键合头温度对COG模块IC翘曲的影响最为显著,键合压力次之,玻璃基板温度最小; IC厚度对IC翘曲的影响不明显,而增加COG模块中玻璃基板的厚度,可有效降低IC翘曲程度.其原因在于较厚的玻璃基板的耐变形能力较高,从而抑制了翘曲. 相似文献
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讨论了管式等离子体化学气相沉积制备SnO_2:Sb掺杂透明导电膜的电学性能与沉积温度,进氧量和沉积时间的依存性.在进氧量为3L/min、沉积温度500℃、沉积时间30min的条件下制得了电阻为17Ω/□的SnO_2:Sb薄膜.并利用电镜显微形貌观察到在500℃时,制得的薄膜晶粒细微密集,致密度高.还测定了薄膜的温阻特性,结果表明该膜具有负温阻特性. 相似文献
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导电膜片叠层型电磁屏蔽胶合板屏蔽持久性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用对比浸渍各个阶段材料胶合性能和屏蔽性能的方法,研究了电磁屏蔽胶合板的屏蔽持久性能。结果表明:电磁屏蔽胶合板在63 ℃热水中浸渍3 h后胶合强度满足GB/T 98462—2004的国家标准要求;浸渍6 h和9 h后其胶合强度下降很大,低于国家标准要求,但在浸渍9 h后胶合板的电磁屏蔽效能平均值都在35 dB以上,平均下降2.54~9.25 dB,反映出胶合板在强度损失的情况下,屏蔽效能下降不大,仍具有一定的屏蔽性能。 相似文献
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采用射频磁控溅射法在有机薄膜衬底和 70 5 9玻璃衬底上在室温下制备出了因淀积时间变化而厚度不同的ZnO :Al透明导电膜 ,并对不同厚度薄膜的结构特性、表面形貌和光电特性进行了比较研究 .铝掺杂的氧化锌薄膜是多晶膜具有六角纤锌矿结构 ,最佳取向为 (0 0 2 )方向 .淀积时间为 3 0分钟的薄膜具有最低的电阻率 ,分别为 2 .5 5× 1 0 3Ω·cm和 1 .89× 1 0 3Ω·cm ,在可见光区的平均透过率分别达到了 80 %和 85 %以上 . 相似文献
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透红外导电膜在夜视光学仪器中有着重要应用。我们在研制过程中推行QC,采用正交试验和电子计算机模拟,大大缩短了研制周期,成功地利用真空蒸镀法,制备了一批优质透红外导电膜,其光学和电学参数超过了国外同类产品。 相似文献