全文获取类型
收费全文 | 3896篇 |
免费 | 401篇 |
国内免费 | 190篇 |
学科分类
工业技术 | 4487篇 |
出版年
2024年 | 35篇 |
2023年 | 150篇 |
2022年 | 140篇 |
2021年 | 152篇 |
2020年 | 188篇 |
2019年 | 120篇 |
2018年 | 128篇 |
2017年 | 177篇 |
2016年 | 165篇 |
2015年 | 134篇 |
2014年 | 251篇 |
2013年 | 261篇 |
2012年 | 226篇 |
2011年 | 271篇 |
2010年 | 201篇 |
2009年 | 204篇 |
2008年 | 145篇 |
2007年 | 168篇 |
2006年 | 184篇 |
2005年 | 137篇 |
2004年 | 115篇 |
2003年 | 114篇 |
2002年 | 96篇 |
2001年 | 99篇 |
2000年 | 93篇 |
1999年 | 70篇 |
1998年 | 75篇 |
1997年 | 57篇 |
1996年 | 39篇 |
1995年 | 28篇 |
1994年 | 35篇 |
1993年 | 27篇 |
1992年 | 25篇 |
1991年 | 25篇 |
1990年 | 38篇 |
1989年 | 30篇 |
1988年 | 11篇 |
1987年 | 8篇 |
1986年 | 10篇 |
1985年 | 9篇 |
1984年 | 6篇 |
1983年 | 5篇 |
1982年 | 9篇 |
1981年 | 6篇 |
1980年 | 4篇 |
1979年 | 2篇 |
1977年 | 1篇 |
1976年 | 2篇 |
1975年 | 9篇 |
1974年 | 1篇 |
排序方式: 共有4487条查询结果,搜索用时 0 毫秒
81.
S. P. Tobin M. H. Weiler M. A. Hutchins T. Parodos P. W. Norton 《Journal of Electronic Materials》1999,28(6):596-602
With good composition control in both p-type cap and n-type base LPE layers, it is possible to make barrier-free two-layer
P-on-n HgCdTe heterojunction photodiodes with very long cutoff wavelengths. Diode arrays with good RoA operability, good quantum efficiency, and low 1/f noise at 60K have been demonstrated at cutoff wavelengths to 16.3μm. The
diode performance continues to improve at lower temperatures, following a diffusion-current trend to at least 35K. Measured
RoA values of 2×105 ohm-cm2 for an 18 μm cutoff at 35K are the highest reported at this very long wavelength. A simple defect model applied to the area
dependence of RoA at 40K implied a defect areal density of 3×104 cm−2 and a defect impedance of 3×106 ohm. 相似文献
82.
给出了一种用于一次性白色圆形餐具表面污渍检测算法的设计思路。算法首先利用形态学边界检测算法提取圆形餐具的外轮廓,紧接着以外轮廓所对应的前景像素点作为样本点,利用最小二乘法拟合外轮廓,给出了最小二乘法拟合圆曲线的详细公式推导过程。利用获得的圆心坐标及半径参数,算法进一步将餐具划分为不同的检测区域,再分别对各个区域进行污渍检测。结合算法处理流程,给出了采用VC++6.0进行算法实现时的核心函数说明。最后结合实例说明了检测算法的实际测试效果。 相似文献
83.
随机产生失效核分布的方法不能反映众核处理器物理拓扑结构的真实状况,在评价相关拓扑重构算法的效能时有失客观性.本文针对这一现状,提出了一种基于缺陷成团效应的众核处理器失效核分布建模方法.实验表明,本方法得到的物理拓扑结构缺陷分布呈现出不同程度的成团特性,且成团效应会显著影响核级冗余技术的拓扑重构效果. 相似文献
84.
原子氢辅助分子束外延生长以GaAs材料性能的改善 总被引:1,自引:0,他引:1
利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了常规分子束外延和原子氢辅助分不外延生长的掺杂Si和Be的GaAs同质结构样品中缺陷的电这特性。发现原以辅助分子束外延生长的样品中缺陷的浓度与常规分子束外延生长的样品相比有明显的降低,这可解释为生长过程中原子对缺陷的原位中和与钝化作用。 相似文献
85.
衬底温度对ZnO薄膜氧缺陷的影响 总被引:2,自引:1,他引:2
采用射频磁控溅射在石英玻璃和单晶硅Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜,研究了衬底温度对ZnO薄膜中氧缺陷的影响。实验发现,ZnO薄膜c轴取向性随温度的升高而增强;当衬底温度达到550。C时,XRD谱上仅出现一个强的(002)衍射峰和一个弱的(004)衍射峰,显示ZnO具有优异c轴取向性。同时,随着温度的升高,ZnO薄膜的紫外透射截止边带向高波长方向漂移,其电导率也随衬底温度的升高逐渐增大,表明薄膜中的氧缺陷逐渐增多。这种氧缺陷是由于ZnO的氧平衡分压高于Zn所致,可通过提高溅射气体中氧含量来改善。 相似文献
86.
弹道导弹飞行主动段和自由段的运动学模型差别很大,在未准确知道导弹关机点时间先验信息前提下如何对弹道导弹主动段到自由段进行连续跟踪已成为目前亟待解决的问题.针对该问题,提出了一种实时交互多模型跟踪算法,根据弹道导弹主动段和自由段不同受力情况建立相应的跟踪模型.该算法包括两个滤波器:一个为对主动段跟踪效果比较好的CA-EK... 相似文献
87.
88.
建立了一种析出模型用来模拟硼在硅中的扩散现象,描述了硼原子与离子注入引起的R.缺陷之间的相互作用,解释了非活性硼峰形成的原因,与实验结果能够较好的吻合,为研究硼的扩散机理提供了很好的依据,为超浅结工艺模拟提供了基本模型,对于开发下一代集成电路研制的工艺模拟程序有着非常重要的意义. 相似文献
89.
The grain boundary layer behavior in ZnO/Si heterostucture is investigated. The current-voltage (I-V) curves, deep level transient spectra (DLTS) and capacitance-voltage (C-V) curves are measured. The transport cur-rents of ZnO/Si heterojunction are dominated by grain boundary layer as high densities of interracial states existed. The interesting phenomenon that the crossing of In I-V curves of ZnO/Si heterojunction at various measurement temper-atures and the decrease of its effective barrier height with the decrement of temperature are in contradiction with the ideal heterojunction thermal emission model is observed. The details will be discussed in the following. 相似文献
90.
针对目前板带钢表面缺陷在线检测过程中无法准确地检测出所有缺陷边缘问题,根据带钢缺陷的特点,分析了结构元素的选取,提出了一种将多尺度形态学和多结构元素有机结合的边缘检测方法。该方法首先进行多尺度形态学滤波降噪,分别求取0°结构元素、45°结构元素、90°结构元素和135°结构元素带钢缺陷图像边缘;其次通过一定的运算组合,提取多结构边缘;最后对得到的带钢缺陷图像的边缘作二值化处理,再细化边缘得到缺陷图像边缘的最终结果。实验结果表明,该方法较好地解决了边缘检测精度与抗噪性能之间的协调问题,实现了在多个尺度上提取板带钢表面缺陷的边缘。同时能够较好地保留图像中缺陷的边缘细节信息,为带钢表面缺陷在线检测系统中自动分割、缺陷识别等后续处理奠定了基础。 相似文献