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951.
952.
利用热力学基础数据和相关软件对F-T合成催化剂COS和H_2S中毒的热力学进行了计算。在热力学上,Ru、Fe、Co的COS中毒在F-T合成反应可以发生的条件下均是自发过程。F-T合成反应体系中10~(-9)级的COS即可使Ru基催化剂中的金属Ru生成RuS_2而中毒。Fe和Co毒化后生成的硫化物种类较多,对这些反应的热力学计算结果表明,对于不同的反应,其平衡常数的差异很大,对应中毒反应发生时,所需的COS和H_2S的浓度也不同,对COS的要求更为严格。由于Fe基F-T合成催化剂活性相的复杂性,利用对催化剂相关性质的修饰开发具有一定抗硫性的铁基F-T合成催化剂是可行的;对于Co催化剂,利用F-T合成的反应特点和催化剂改性开发具有一定抗硫性催化剂是可能的。 相似文献
953.
954.
955.
着重阐述了交流抗电击穿装置的容量指标问题。在确定抗电击穿装置的容量时,不仅要考虑到被试样件在两极之间的等效电容值,还要估计到在击穿过程可能产生的击穿电流值。对于某种绝缘材料或构件,合理选定抗电击穿装置的容量对正确进行试验是很重要的。 相似文献
956.
一种新型电荷放大器的设计与研究 总被引:4,自引:0,他引:4
介绍了一种新颖电荷放大器的设计结构及其工作原理,阐述了实验样机的的工作模式,给出了实验样机的实验结果。 相似文献
957.
自适应模糊自抗扰控制器的研究与设计 总被引:2,自引:0,他引:2
针对普通PID在实际工程控制中参数整定难,抗干扰能力差的问题,设计了一种基于模糊控制原理的改进型自抗扰控制器.该控制器充分结合了模糊控制器和自抗扰控制器的各自优势,并对其进行了随动系统的仿真.仿真结果表明,该控制器可设计成为一个响应速度快、静差小的控制系统,与经典PID控制器在同样的系统中比较,自适应模糊自抗扰控制有较好的控制性能. 相似文献
958.
一种基于特征点匹配的图像拼接技术 总被引:3,自引:0,他引:3
兼顾算法的精度和效率两个方面,基于图像特征的图像配准算法,逐渐成为众多学者研究的热点.本文中采用的Harris算法就是基于图像灰度的自相关函数,直接从灰度图像中检测兴趣点的算法.其优点是方法简单,定位准确,对多个区域的结点也能精确检测,并且对局部噪声不敏感,抗噪能力较强. 相似文献
959.
960.
黄芳 《网络安全技术与应用》2008,(10)
本文介绍了椭圆曲线密码体制的相关概念,在对椭圆曲线密码原理进行分析、研究的基础上,对椭圆曲线密码的抗攻击性进行了分析,最后详细说明了基于椭圆曲线密码体制的系统权限设置的实现过程。 相似文献