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91.
锂离子二次电池及其正极材料结构与性能研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
林奇扬 《中国锰业》2002,20(4):23-28
研究了锂离子二次电池的结构与性能、电化学反应原理 ,并对影响锂离子二次电池性能的几个问题作了探讨。同时 ,论述了其正极材料的研究及其主要制备方法。  相似文献   
92.
The electrochemical lithium insertion process has been studied in the family of monophosphate tungsten bronzes (PO2)4(WO3)2m, where m = 7 and 8. Structural changes in the pristine oxides were followed as lithium insertion proceeded. Through potentiostatic intermittent technique the different processes which take place in the cathode during the discharge of the cell were analyzed. The nature of the bronzes Lix(PO2)4(WO3)2m formed was determined by in situ X-ray diffraction experiments. These results have allowed establishing a correlation with the reversible/irreversible processes detected during the electrochemical lithium insertion.  相似文献   
93.
为了降低液压泵出口的压力脉动,设计了一种复合式广谱液压脉动衰减器。该衰减器由1个扩张室、2个容积室、2个限流管和8个质量室构成。通过对复合式广谱液压脉动衰减器的参数进行合理配置,可实现对多个频率段的脉动进行衰减。采用插入损失来评价复合式广谱液压脉动衰减器的衰减效果,利用MATLAB软件对其衰减效果进行仿真,并分析了脉动衰减器主要结构参数与衰减效果的关系。结果显示,该液压脉动衰减器在20~1000 Hz的脉动频率范围内具有良好的衰减效果。复合式广谱液压脉动衰减器结构紧凑,衰减频率带变宽,衰减效果好,符合设计要求。  相似文献   
94.
A practical and environmentally friendly strategy for generating alkoxycarbonyl radicals from readily available carbazates under metal‐free conditions has been developed. In the presence of tetrabutylammonium iodide and tert‐butyl hydroperoxide, 2‐isocyanobiphenyls smoothly underwent radical alkoxycarbonylation with carbazates to afford phenanthridine‐6‐carboxylates.

  相似文献   

95.
Considering resource abundance, high volumetric energy density, and safer anodic electroplating, the Mg‐based battery is thought to be one of the most promising systems beyond current Li‐ion batteries. However, the development of Mg batteries is hindered by the narrow electrochemical window of electrolytes as well as by inapplicable cathode frameworks. In this work, it is proposed, for the first time, to utilize a fast surface redox process to replace sluggish lattice migration for improving the kinetics of Mg batteries. Taking fluorinated graphene nanosheets (FGSs) as model material, a reversible capacity higher than 100 mAh g?1 is achieved in a pseudocapacitance behavior from 2.75 to 0.5 V. Different from traditional storage mechanisms, this proof‐of‐concept Mg/FGS system is activated by a prior anionic process followed by reversible cationic storage. The dilution of charge density by forming large‐sized monovalent complex cations and the easy access to surface redox sites are responsible for the negligible voltage polarization without an evident MgF2 nucleation phenomenon.  相似文献   
96.
CdTe-based solar cells have long been of interest for terrestrial usage because of their high potential conversion efficiency (in the range of 18–24%) with low-cost manufacturability and concern over environmental effects. In order to conserve material and address environmental pollution concerns as well as to reduce carrier recombination loss throughout the absorber layer, efforts have been carried out to decrease the thickness of the CdTe absorption layer to 1 μm. As a result, to date, the experimental part of this study has realized cell efficiencies of 15.3% and 11.5% with 7 and 1.2-μm-thick CdTe layers, grown by close-spaced sublimation (CSS) [N. Amin, T. Isaka, T. Okamoto, A. Yamada, M. Konagai, Jpn. J. Appl. Phys. 38 (8) (1999) 4666; N. Amin, T. Isaka, A. Yamada, M. Konagai, Sol. Energy Matter. Sol. Cells 67 (2001) 195]. Since some problems remain with such thin 1 μm CdTe layers, possible methods to realize higher efficiency have been investigated using novel solar cell structures, with the help of numerical analyses tools. In the theory part of this study, numerical analysis with a 1-D simulation program named NSSP (Numerical Solar Cell Simulation Program) has been used to simulate these structures. We investigated the viability of CdTe thickness reduction to 1 μm together with the insertion of higher band-gap materials (i.e., ZnTe) at the back contacts to reduce carrier recombination loss there. The study shows potential results of the thickness reduction of CdTe absorption layer for a conventional CdS/CdTe/Cu-doped C structure with around 16% efficiency for cells below 3  μm CdTe. Decreases were found in spectral response that suggest from minority carrier recombination loss at the back contact interface. A higher band-gap material like ZnTe has been inserted to produce a back surface field (BSF) to inhibit the minority carrier loss at the back contact. An increase in the efficiency to about 20% has been found for a 1 μm-thin CdTe cell, which can be attributed to the increased BSF effect at the back contact of thinner CdTe-based cells.  相似文献   
97.
采用两个pin二极管设计、仿真,制作了一个8~20 GHz并联结构的高功率容量的单刀双掷开关。首先通过采用一个新的电路结构,该电路结构除了传统的并联pin单刀双掷开关结构外,还有微带线匹配电路部分,克服了并联结构单刀双掷开关难以实现大的带宽的缺点。然后选择合适的二极管,根据其参数,建立开路、短路等效电路模型;利用Ansoft Designer软件对电路进行了仿真和优化。最后根据优化结果制作并测试了单刀双掷开关。该单刀双掷开关插入损耗在频率8~20 GHz内小于1.7 dB,在频率8~15 GHz内小于1.5 dB;开关隔离度在整个频带内大于21 dB;在14 GHz耐功率容量大于10 W(CW)。  相似文献   
98.
提出了一种波导三路功分器结构,该功分器采用E面T型缝隙耦合结构来实现功分比的调节。通过调节耦合缝隙以及感性膜片,使输入阻抗匹配并且实现等功率同相位的三路功分输出。为了实现功率合成,采用对称的两个三路功分器进行背靠背级联实现功率合成网络,仿真结果显示出良好的驻波效果和极低的插损。最终对加工出的实物进行测量,在32.5~36 GHz频段内实现了输出功率幅度不平衡度小于0.5 dB的良好效果。通过背靠背连接两个功分器实现了在33.3~35.3 GHz带宽内插损小于0.3 dB的功率分配/合成网络。  相似文献   
99.
常晓夏  潘亮  李勇 《中国集成电路》2011,20(9):36-39,68
UHF RFID是一款超高频射频识别标签芯片,该芯片采用无源供电方式,对于无源标签而言,工作距离是一个非常重要的指标,这个工作距离与芯片灵敏度有关,而灵敏度又要求功耗要低,因此低功耗设计成为RFID芯片研发过程中的主要突破点。在RFID芯片中的功耗主要有模拟射频前端电路,存储器,数字逻辑三部分,而在数字逻辑电路中时钟树上的功耗会占逻辑功耗不小的部分。本文着重从降低数字逻辑时钟树功耗方面阐述了一款基于ISO18000-6Type C协议的UHF RFID标签基带处理器的的优化和实现。  相似文献   
100.
基于硅基波导、十字状波导交叉和基于波导微环的光交换器件的损耗特性,对 Torus结构的芯片上光互连网络建立了损耗模型,利用该模型来对芯片上光互连网络进行光器件级、光路由器级和网络级的损耗特性分析,同时建立芯片上光互连网络损耗自动分析系统。依据该系统可以得到不同网络规模下的最大损耗,并分别分析了基于crossbar、cygnus和crux路由器的torus结构网络的损耗特性。可以得到,传输损耗随着网络规模的扩展而增加,最小的传输损耗出现在M=N时。同时,可以得到采用Crux路由器构成的芯片上光互连网络的传输损耗最小,小于Cygnus构成的芯片上光互连网络约5dB。  相似文献   
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