醇解技术在制备皮革加脂剂方面的研究进展

本文介绍了醇解反应的动力学、影响醇解反应收率的因素以及醇解反应在合成加脂剂方面的应用。     

二维电容式硅微加速度传感器的刚度求解

硅微电容式加速度传感器具有灵敏度高、噪音低、漂移小、功耗低、结构简单等优点,在军民两用市场中有着广泛的应用前景.本文针对自主开发设计的一种带折叠梁的二维叉指电容式硅微加速度传感器,采用力法求解了其主轴刚度,为进一步研究该二维微加速度传感器的动态响应特性提供了理论依据.     

癸二酸二甲酯与1,2,2,6,6-五甲基哌啶醇的酯交换反应

对癸二酸二甲酯与1,2,2,6,6-五甲基哌啶醇的酯交换反应进行了研究;分别考察了四异丙基钛酸酯、氨基锂、氧化二辛基锡3种催化剂的性能;采用氢核磁共振确定了产物的结构;考察了以四异丙基钛酸酯为催化剂时反应温度、反应时间、原料配比和催化剂用量对反应的影响。实验结果表明,四异丙基钛酸酯催化剂的催化效果最好;在癸二酸二甲酯与1,2,2,6,6-五甲基哌啶醇摩尔比1∶1.79、四异丙基钛酸酯催化剂的用量为反应物总质量的0.31%、反应温度180℃、反应时间6h的条件下,所得产物中单(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)癸二酸甲酯(简称单酯)质量分数为23%和双(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)癸二酸酯(简称双酯)质量分数为73%,单双酯质量比为1∶3.17,产物收率为93.3%。该方法可得到理想的单双酯比例及产物收率,具有很好的工业应用前景。     

Ru的添加量对FeMn尖晶石的结构 及其氧化性能的影响

 考察了随着FeMn尖晶石催化剂中Ru的添加量的变化以及助剂Cu的加入，催化剂物理结构及化学性质的变化。结果表明，Cu的添加不仅对催化剂的比表面和孔径分布有较大的影响，还对各元素的化学环境有较大的影响。当n(Ru)/n(Mn)为0.05时，由于尚未破坏尖晶石的结构，Ru的存在对于催化剂中其它元素如Mn、Fe和O的化学环境具有较大的影响，当n(Ru)/n(Mn)大于0.15时，尖晶石结构被破坏，Ru含量的增加对于其它元素如Mn、Fe和O的化学环境影响不大，对于比表面积和孔径分布等物理性质也影响很小。所研究的催化剂均可催化氧化醇至醛或酮，Ru的含量越大，催化醇液相氧化性能越好。     

IEDM大会展现微米/纳米电子技术方面的进步

“2003年国际电子器件大会”(IEDM)于2003年12月8日至10日在美国华盛顿希尔顿大酒店举行。有关微米和纳米电子器件及工艺方面的进展情况在会上发表的诸多论文中有所涉及。此次展会囊括了硅器件和非硅材料器件技术、光电子、MEMS以及分子电子器件方面的最新成果。     

应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性

以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGe pMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于Si pMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同Si pMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGe pMOS呈现穿通击穿机制.     

含锌离子的聚硅硫酸铝的合成及性能研究

采用一步法制备聚硅硫酸铝絮凝剂合成了含锌离子的聚硅硫酸铝并研究了其性能.含锌离子絮凝剂是一种无毒高效的絮凝剂,且絮凝效果优良,锌离子含量对絮凝剂性能影响很大.     

基于SOI的双极场效应晶体管

在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后，介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出，又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)，同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流，可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET，分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较，由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应，使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。     

单片LCoS光学引擎中彩色LED照明系统设计

LCoS光学引擎作为整个背投的一个要组成部分，其照明系统显著地影响着LCoS背投的性能。详细分析了影响照明效果的各个因素，并利用ZEMAX软件设计出了单片LCoS光学引擎中基于彩色LED光源的照明系统，该系统能达到较好的亮度和均匀性，满足整个光机系统的成像要求。