低温气相硅外延前氩微波等离子原位溅射清洗对薄膜界面的损伤

本文研究了在超高真空低温CVD（chemicalvapordeposition）硅外延中，ECR（electroncyclotronresonance）微波等离子原位溅射清洗对外延层界面损伤的情况。超高分辨透射电镜（TEM）照片表明，界面引起的损伤是较严重的，损伤层的宽度与衬底偏压的高低和溅射时间的长短直接相关。     

扇聚焦等时性回旋加速器性能的改进和提高

安装了ＥＣＲ离子源及其外注入系统后，增加了离子种类、提高了束流强度。扇聚焦等时性回旋加速器（ＳＦＣ）主要工作点分布于三次谐波加速区域，为了匹配外注入系统，仔细地研究了中心区，重新设计加工了Ｄ盒及假Ｄ。为了改进ＳＦＣ性能，提高运行效率，同时进行了其它改进工作。介绍了改进后的ＳＦＣ的调束工作。     

间热式大面积六硼化镧中空阴极

介绍了适用于强流离子源的间热式大面积六硼化镧中空阴极。在１５ｃｍ双潘宁离子湖泊 上放电特性研究表明，该阴极性能良好，能可靠工作，使用过程中多次暴露于大气中，发射性能并未变坏，加热功率为１．４５ｋＷ，ＬａＢ６发射电流密度为２０Ａ／ｃｍ＾２，放电电流４００Ａ，脉冲宽度３０ｍｓ，放电波形重复性很好。使用１００ｈ后，发射体尺寸无明显变化。     

在线Nielsen源的研制

描述如何简单地把标准Ｎｉｅｌｓｅｎ源必建成在线离子源，对它的一些性能进行测试并与标准离子源作了比较，讨论了它们的判别和产生的原因。实验结果表明，两离子源的放电特性无差别，改建后的离子源可考虑用来进行整体靶离子源试验。     

平面光波导膜的ECR—PECVD制备及特性研究

采用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积技术，在单晶硅衬底上制备了用于平面光波导的ＳｉＯ２薄膜研究了沉积速率与工艺参数之间的，并对身频偏置对成膜特性的影响作了初步实验研究。通过Ｘ射线光电子能谱、傅立叶变换红外光谱、扫描电镜、原子力显微镜、以及扫措隧道显微镜三维形貌和椭偏仪等测量手段，分析了样品的薄膜结构和光学特性等。结果表明，在较低温度下沉积出均匀致密、性能优良的ＳｉＯ２薄膜。此外，还成功制备     

15cm双潘宁离子源等离子体产生器

介绍研制的１５ｃｍ双潘宁离子源等离子体产生器的结构和工作原理，研究了磁场、气压和弧功率等运行参数对源特性的影响，最后结合朗缪尔探针测量结果进行了讨论。该产生器的探针饱和离子流密度已达到２００ｍＡ／ｃｍ２以上，引出面附近的离子密度径向不均匀度＜±５％，噪声水平＜±１０％。     

弗里曼离子源灯丝中毒现象

根据近十年的工作实践，分析了Ｔ５１－２００／ＺＫ型金属离子注入机弗里曼离子源失效机理，着重讨论了以ＭｏＣｌ＿５为工作物质时的灯丝中毒现象。结合作者的工作经验，提出了减少灯丝中毒现象的一些具体措施。     

LZL—204型四极质谱计的设计特点

介绍了LZL-204型四极质谱计的设计特点。离子源附加一聚集电子束的小磁铁,使仪器灵敏度达到0.4A/Pa以上。四极杆和电子倍增器之间的偏转板能有效地使离子束偏转,并使噪声最低,最小可检分压强低于5×10-~(11)Pa。四极分析器的机械结构和射频电源的精度,能保证仪器的长时间稳定性。峰高优于±5％/4 h,峰伊优于0.5u/4 h。讨论了小磁铁提高灵敏度的机制。