面向RF IC的片上铁氧体磁膜电感

采用集成工艺制作了片上铁氧体磁膜(Ni0.4Zn0.4Cu0.2Fe2O4,Y2.8Bi0.2Fe5O12和Co7ZrO9)射频微电感.铁氧体薄膜采用溶胶凝胶法制作,高频特性较好,适于片上电感的应用.对电感样品进行了测试和等效电路分析,结果表明,与无磁膜结构相对比,铁氧体磁膜电感显著增强了电感性能,是一种实现小尺寸、高性能片上RF IC电感的很有前景的途径.     

SmTbFeCo/ Cr/ TbFeCo 垂直磁化膜的耦合机理与磁特性研究

采用磁控溅射法制备了SmTbFeCo/Cr/TbFeCo系列非晶垂直磁化膜,研究了不同的Cr中介层厚度tCr对薄膜的磁性能和层间交换耦合的影响.VSM检测结果显示:薄膜的垂直磁性能随着tCr的变化而变化,其中饱和磁化强度Ms的变化曲线呈明显的周期振荡特性.饱和场Hs、(1-M/Ms)随tCr的变化曲线表明,两个磁性层的层间交换耦合随着tCr的增加,在反铁磁耦合与铁磁耦合之间振荡变化,周期为16(A),耦合强度逐渐衰减.分析表明,矫顽力Hc的变化主要源于Cr中介层对SmTbFeCo层微结构的影响,而Ms的变化则与层间交换耦合作用有关.文中还分析了稀土非晶膜的氧化问题.     

Pd/SnO2/SiO2/Si集成薄膜的结构与气敏性能

采用磁控溅射技术制备Pd/SnO2/SiO2/Si集成薄膜.研究退火处理对薄膜微观结构和表面形貌的影响,进而测试了相关的气敏性能.实验证明,经过氧化性退火处理,集成薄膜中的SiO2层厚度从3 nm增长到50 nm左右,形成Pd/SnO2/SiO2/Si结构,SnO2薄膜形成金红石结构的多孔柱状晶.气敏测试表明,Pd/SnO2/SiO2/Si集成薄膜在低温区对H2、CH4、CO和C2 H5OH敏感性较高,另外,随着H2气体浓度的增加,相应灵敏度从35递增至73.5.     

双电层对纳米流体润滑与摩擦影响的MD模拟 (2.东南大学MEMS教育部重点实验室 南京 210096）

采用分子动力学方法对带电和不带电两硅板之间的水分子润滑薄膜进行模拟研究,通过加双电层的水分子薄膜润滑与未加双电层薄膜润滑摩擦属性的对比,发现摩擦系数在存在双电层的情况下比未加双电层时要小,两板相对滑动速度对摩擦系数的影响与未加双电层时相似,相对滑动速度越大,摩擦系数在一定的速度范围内平稳增大.当速度大于某个数值时,摩擦系数增大变快.两板之间水分子以及离子密度或数目分布在靠近壁面的地方较大,中间密度相对较小.     

钼掺杂降低TiO2氧敏薄膜最佳工作温度研究

用直流反应磁控溅射法在陶瓷基片上制备出TiO2薄膜.并进行1100℃,2h的退火处理.配置钼酸铵溶液,利用浸渍法处理TiO2薄膜若干时间.取出后,进行500℃,3h退火处理.用气敏测试箱对制备出的TiO2薄膜的氧敏特性进行试验测试,发现对氧气有很好的敏感特性,比未经此项工艺处理的TiO2薄膜的最佳工作温度降低100℃,为300℃左右,并进行SEM测试,分析其表面结构,研究气敏机理.     

纳米WO_3薄膜的光学性质及氢敏特性研究

采用磁控直流溅射法制备出纳米WO3薄膜,在N2气中进行退火处理。采用分光光度计、XRD等对退火前后的WO3薄膜进行了光学特性的分析。研究表明:在623 K进行退火处理的薄膜均匀、致密,呈现出较好的结晶态。采用光源激发对纯WO3薄膜在不同温度条件下的氢敏特性进行了研究,实验显示:WO3薄膜对H2的敏感性与温度有关,在348 K温度条件下,WO3薄膜的氢敏效应最好。     

旋涂-热解法制备WO_3薄膜

采用旋涂-热解工艺,以双亲嵌段共聚物F127为软模板剂,合成出WO3薄膜。通过TG-DSC、XRD、SEM等对其热处理温度、晶相组成和显微形貌进行了测试,结果表明所制备的WO3薄膜材料在350℃时主要为非晶WO3,同时含有少量六方晶相,而在500℃时则主要为尺寸在微米极的单斜晶相;电化学循环伏安和光谱测试分析表明该350℃时制备的薄膜具有更好的电致变色性能,对可见光具有较好的调制功能,其最大透过率调制幅度可达55.4%。     

射频磁控溅射法制备(100)择优取向Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜

用射频磁控溅射法在快速热处理过的Pt／Ti/SiO2/Si（100）基体上制备了Ba0.7sr0.3TiO3薄膜。通过引入溅射因子α，在相同工艺条件（高温大功率溅射）下，对靶材成分进行调整，使薄膜成分无化学计量比偏离。薄膜成相较未调整前有显著改善，低角区的衍射杂峰消失。{100}方向有择优生长，同体材料及sol-gel法制备的BST薄膜有明显不同，研究认为是成分调整后，薄膜成分无偏离所致。     

金属基复合透明导电膜的研究

透明导电薄膜作为一种新型的光电材料显示出多种优异的光电性能和具有广泛的应用背景。综述了金属基复合透明导电膜的发展历程与研究现状，重点讨论了电介质，金属，电介质（D/M/D）和透明导电氧化物，金属，透明导电氧化物（TCO/M/TCO）这两种类型的多层复合膜，分析了其设计原理和存在问题，并指出了控制金属层的厚度和界面扩散是制备高性能光电薄膜的重要方面，最后介绍了金属基复合膜应用，并对其研究进行了展望。     

ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜国内的研究现状

综述了以氧化锌铝陶瓷靶为靶材制备透明导电ZAO薄膜的制备技术,系统地研究了各工艺参数,如氩气压强、射频功率、衬底基片温度、退火条件和氧流量等对其结构和光电特性的影响。在纯氩气中且衬底温度为300℃时制备的ZAO薄膜经热处理后电阻率可降至8.7×10-4Ω.cm,可见光透过率在85%以上。X射线衍射谱表明,ZAO晶粒具有六角纤锌矿结构且呈c轴择优取向,晶粒垂直于衬底方向柱状生长。