半导体的“闪光面”

半导体工业中的绝大多数活动都是围绕着硅开展的；但也没有忽视其它的半导体。美国西北大学量子器件中心（CQD）主任MRazeghi教授指出：“化合物半导体类似于食物中的盐”，它们中的每一种材料都具有其它材料所不具备的重要性。[第一段]     

NREL利用硅纳米结晶确认MEG现象

美国国家可再生能源实验室（NREL）在美国Innovalight公司的协助下，证实“通过硅纳米结晶（量子点，Quantuin Dot）可以高效生成多重激子（Multiple Exciton Generation，MEG）”。MEG可将元，2006年产值应在1．12亿美元，预计到2010年将达到5亿美元。同时，我国铁硅铝磁粉芯的产业规模还很小，2006年的产值大约不到500万元人民币!     

港湾网络面向NGN的综合接入万门局解决方案

随着NGN的到来，传统接入层的建设方式已经不能满足网络发展的要求，接入层的设备应该具有接入NGN的能力、提供统一的综合业务管理平台、具有大容量的多业务融合接入能力，具有性价比更高的建设优势。     

短周期超晶格AlP／GaP能带结构的转变及其带间的光跃迁

介绍了间接跃迁的半导体ＡｌＰ与ＧａＰ形成的超晶格，由于零折叠效应，实现了能带由间接带隙向直接带隙的转变，从而增加了带间的光跃迁几率，并推导了该几率的表达式。     

小垂直发散角大光腔980nm单模InGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱激光器

通过采用经过优化的新型大光腔结构,脊形波导980nm单模InGaAs/GaAs/AlGaAs多量子阱半导体激光器在保持大功率光输出的同时获得了较小的垂直发散角.结果表明波导中的光功率密度可以降低,获得了大于400mW、斜率效率0.89W/A的输出光功率,垂直方向远场发散角也降低到23°.     

自发参量下转换制备双光子纠缠态在量子信息学中的应用

叙述了自发参量下转换制备双光子纠缠态技术的发展历程、技术原理以及在量子信息学中的应用，并介绍了国内这一领域的进展。     

船闸人字门预应力锚杆安装测量方法研究

永久船闸人字门安装为永久船闸安装的关键项目之一，而人字门预应力锚杆是人字门的重要构件，对测量放样精度的要求很高。为满足测量放样精度要求，施工单位选用高性能的电子仪器，在测量控制网的建立，预应力锚杆定位与检测等测量程度上采用了新的方法和相关工艺；目前，二闸首人字门已安装完毕，从检测成果和安装质量看，此方法可靠性高，可操作性好，并能大大提高工效，保证安装工期。对整个安装的工艺过程作了详细介绍。     

张应变,长波长In1—xGaxAsyP2—y／InP量子阱材料的光荧光谱实验室

给出了具有二三个量是的Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ／ＩｎＰ张应变量子阱材料的光荧光谱及ｘ射线双晶衍射摇摆曲线，指出了荧光峰为量子阱中导带子带和阶带子带间本征复合机构所致。理论上分析了光荧光谱中双峰强度比随温度变化的关系，理论计算和实测结果基本一致。     

高州水库厘更副坝左端帷幕灌浆施工技术

本文介绍了厘更副坝防渗，帷幕灌浆设计及施工技术。通过灌浆达到了工程加固的目的，减少了坝体的渗漏，灌浆效果良好，可供类似工程施工参考。     

高温单模工作的1.3μm应变MQW增益耦合DFB激光器

１．３μｍ应变ＭＱＷ增益耦合的ＤＦＢ激光器，在温度高达１２０℃时实现了单模和高功率工作。由于增益耦合效应，使两种布拉格模式存在着很大的模态端面损耗率，从而使激射波长保持了稳定，通过室温时的激射波长对材料益峰值的长波长侧的失谐，使阀值电流受温度的影响很小，这就有效地补偿了较高温度时的波导损耗。在某些温度范围内（取决于失谐值），能实现无限特性温度Ｔ０。