光电对抗仿真试验系统综述

论述了研制光电对抗仿真试验系统建设的目的和意义,光电武器系统的现状和发展趋势,介绍了光电对抗仿真试验系统的一般组成,给出了光电武器系统的常规试验内容和试验流程,并论述了可能采用的试验方法。     

光开关器件有很强的市场增长前景

从事光学市场研究的通讯工业研究公司(CIR)最近的研究报告指出：2003～2006年间，光开关器件市场将以每年高于24％的速率增长。生产者在市场的成功将很大程度地取决于生产开关器件选择的技术和产品投放的时效。     

新型槽栅nMOSFET热载流子效应的模拟研究

应用二维器件仿真程序 PISCES- ,对槽栅结构和平面结构器件的特性进行了模拟比较 ,讨论了槽栅结构 MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应的影响。槽栅结构对抑制短沟道效应和抗热载流子效应是十分有利的 ,而此种结构对热载流子的敏感 ,使器件的亚阈值特性、输出特性变化较大     

一种新的用于射频功率放大器的模拟预失真技术

本文研究了一种新的模拟预失真线性化技术,这种技术利用并联的二极管产生预失真信号。在此基础上进行了改进,将预失真通路分为两路,分别控制调节IMD3和IMD5,从而有效的压缩了相邻信道的频谱再生。将该线性化技术应用于射频功率放大器中,可使双音互调IMD3和IMD5分别改善10dB。     

径向水平井弯曲转向机构影响因素仿真研究

针对径向水平井钻进中钻杆弯曲转向前进运动困难的问题,通过建立弯曲转向机构仿真有限元模型,对其主要影响因素:滑道轨迹曲率、间隙、工作压力、滚轮形状与位置和钻杆壁厚等用ANSYS软件进行仿真研究。研究表明:影响截面变形的主要因素是滑道曲率的改变和滑道摩擦因数,钻井失败时钻杆所受阻力的增大不是因为升高工作压力导致截面变形过大与滑道干涉所致,钻杆经校直段,钻头中轴线与校直中心线存在一定的角度,即钻杆的前进轨迹就会偏离理论值,或与地层干涉,或可能再次发生弯曲变形;另一主要原因是转向器滑道工作恶化。增加钻杆壁厚,降低工作压力和滑道摩擦因数,设计合理弯曲转向机构是解决问题的关键。     

双层有机电致发光器件有机层厚度优化的数值研究

在陷阱电荷限制电流传导理论的基础上,提出了双层有机电致发光器件的数值模型,研究了结构为"阳极/空穴输运层(HTL)/发光层(EML)/阴极"的器件中电流密度和量子效率随有机层的特征陷阱能量、陷阱密度和载流子迁移率的依赖关系. 研究发现,对于给定的HTL和EML的特征陷阱能量、陷阱密度和载流子迁移率,存在一个最优的HTL和EML之间的厚度比率,在此最优厚度比下,器件的电流密度和量子效率达到最大.通过有机层厚度的优化,器件的电流密度和量子效率可提高多达两个数量级.另外,还研究了最优厚度比随有机层特征陷阱能量、总陷阱密度和载流子迁移率之间的定量关系.     

一种基于软件无线电的扩频通信接收机的设计

为了适应信号处理技术数字化、软件化和智能化的发展，提出了一种直接序列扩频接收机的软件无线电方案，并用计算机仿真了系统的性能指标，仿真结果验证了本设计方案的可行性。该接收机采用模块化设计，尽可能使用现有的可编程器件通过软件编程实现各种功能。优点是结构简单，灵活性好，可扩展能力强。     

GaN-MOCVD设备反应室流场的CFD数值仿真

采用计算流体力学方法对生长半导体材料GaN的重要设备MOCVD(金属有机物化学气相沉积)反应室中的流场结构进行了三维数值仿真.数值模拟采用基于非交错网格系统的SIMPLE算法,用有限体积方法对控制方程进行离散,并采用改进的压力-速度耦合方法进行求解.数值仿真给出了具有复杂几何结构和运动方式的GaN-MOCVD反应室中的流场结构,研究了改变几何尺寸和运行参数对MOCVD反应室流场结构的影响,对正在试制开发中的MOCVD设备的几何结构的改进和运行参数的优化提出了指导性建议.