纳米材料的表面改性与表面性质的研究

介绍了几种纳米材料的表面改性方法及对其表面性质的表征。     

Al/SiO_2/Si表面Al_2O_3纳米图形的AFM阳极氧化制备方法

采用AFM阳极氧化方法,在控制AFM探针尖端电压和扫描方式的条件下,在Al/SiO2/Si表面制备了Al2O3纳米图形,图形最小尺寸为70nm.研究了表面吸附水层存在下AFM阳极氧化机理.实验结果表明AFM阳极氧化是制备金属氧化物半导体纳米器件的较好方法     

平滑相位的π/4DQPSK调制及其在移动通信系统中的应用

本文详细介绍了一种新型π/ 4DQPSK调制解调方法 ,该方法将π/ 4DQPSK调制中的相位跳变改为平滑变化。仿真实验表明 ,与普通的π/ 4DQPSK相比 ,该方法使高次谐波分量大幅下降 ,可以有效降低功耗 ,压缩频带宽度。     

Ni的添加对TiB2-CU基复合材料微观组织的影响

利用燃烧合成工艺原位合成了TiB2-Cu基复合材料，为了改善TiB2陶瓷和Cu基体的润湿性，将金属Ni作为合金化元素加入到TiB2-Cu复合材料。通过XRD，SEM，EPMA和TEM等检测手段对金属Ni的添加对TiB2-Cu基复合材料微观组织的影响进行了研究。结果表明，含Ni复合材料的金属粘结相的面间距比不含Ni时Cu的面间距均有不同程度的减小；Ni加入后，TiB2-Cu-Ni复合材料的组织较TiB2-Cu复合材料更加致密，但陶瓷颗粒尺寸却大于TiB2-Cu复合材料的颗粒尺寸；Ni的加入降低了复合材料的导热率和冷却速度，使得部分TiB2陶瓷颗粒有足够的时间长成棒状，同时造成TiB2陶瓷颗粒间形成更多的烧结颈；Ni的加入也改善了陶瓷与金属粘结相之间的润湿性，使陶瓷相与金属粘结相的界面结合牢固，看不到TiB2-Cu复合材料中界面脱开的现象。金属Ni的添加有利于改善TiB2-Cu基复合材料的微观组织，进而利于复合材料的致密化。     

4G在悄然兴起

根据GSM协会的统计,今年全球约将有40个新的3G(第三代移动通信)W-CDMA系统开始逐步进入市场.与此同时,4G(第四代移动通信)正悄然兴起.例如,日本的公众管理,家庭事务,邮政和电信部已计划在2005年开发4G,并于2010年商用化.韩国也有类似的计划.印度信息技术部于2002年成立了专门的部门,打算用三年的时间研制包括用户终端在内的4G无线标准……此外,由lcatel,Ericsson,Nokia和Siemens等公司组成的全球无线研究论坛(WWRF)于2001年初就开始着手研究制订4G的相关策略,其成员们也承担了相应的课题研究.     

移动数据通信讲座第三讲移动数据网的演进(下)第三代和第四代移动数据网

本文简要介绍服务质量(QoS)的基本概念、互联网QoS保障机制、第三代移动数据网的服务质量和第四代移动数据网.     

纳米碳酸钙制备技术的研究进展

介绍了国内纳米碳酸钙的几种制备技术,重点对间歇式碳化法、超重力法的制备工艺、技术特点进行了评述.总结了国内纳米碳酸钙的生产现状,并对今后的发展提出了自己的看法.     

充分利用SDH平台,加速发展广电业务

介绍了SDH传输网的特点,总结了基于SDH传输平台的广电业务:广播电视节目传输、DVB数字电视、会议电视系统、构建宽带骨干网等,对广电和电信业务进行了比较,并分析它们的优缺点.     

硅表面上的纳米量子点的自组织生长

纳米半导体量子点以其所具有的新颖光电性质与输运特性正在受到人们普遍重视。作为制备高质量纳米量子点的工艺技术 ,自组织生长方法倍受材料物理学家的青睐。而如何制备尺寸大小与密度分布可控的纳米量子点更为人们所注目。因为这是关系到纳米量子点最终能否器件实用化的关键。文中以此为主线 ,着重介绍了各种 Si表面 ,如常规表面、氧化表面、台阶表面以及吸附表面上 ,不同纳米量子点的自组织生长及其形成机理 ,并展望了其未来发展前景