低气压放电灯阴极发射特性的测试与研究

用射频噪声法测出了低气压放电灯(荧光灯、紧凑型节能灯、紫外杀菌灯等)阴极的零场发射电流,进而研究了阴极温度和阴极零场发射之间的变化规律,最后,得到了一种比较简单、方便、实用的测试阴极发射特性的方法。     

高性能螺线管微电感的制作

利用MEMS技术制作了高性能的空芯螺线管型射频微机械电感.这种微电感采用铜线圈以减小线圈寄生电阻,整个微电感的面积是880μm×350μm,与平面螺旋型微电感相比,有效地节省了芯片面积.测试结果表明,微电感在较宽的工作频率范围内具有高Q值,微电感最大Q值为38(@6GHz),对应的电感量为1.82nH.     

标签技术发展新趋势

随着消费者的需求多样性，行业竞争越发激烈，标签行业又增添新技术，这就是用于软包装标签的无线射频识别方式（RFID）。RFID与SAW芯片都是通过照相平版技术逐步被晶体管电路技术替代。其中一些产品正在实验中，而其他一些产品已经被研制生产。比如在英国的Plastic Logic正在使用这样的产品，通过照相平版技术及喷墨、涂层技术生产产品。加拿大X-INK和其他的同行企业目前使用的是上光型、传导型油墨，他们使用X-照片和胶印及其他高速印刷技术来制作RFID标帖．     

拉远基站与系统设备的互联互通

随着3G牌照发放日期的逐步临近,人们对第3代移动通信(3G)的认识也更加清晰.2G与3G将融合发展,平滑过渡.2G业务增长的数据显示,2G还有很大的发展空间,2G与3G的过渡将是一个长期的过程.3G将首先在一些热点地区、业务量大的地方优先使用,在开始的时候没有必要大规模铺网,只需采用一些拉远基站就可以解决这些地区的3G覆盖问题.文章从网络应用的角度论述了拉远基站在未来3G组网中的重要作用,分析了目前部署3G拉远基站可能存在的问题,对互联互通、站址和网管等问题的解决方法提出了建议.     

LDMOS射频晶体管满足2.5G和3G蜂窝基站的新挑战

运行在869MHz-2.17GHz频段内的蜂窝无线基站是射频功率晶体替如今最大的市场。其中，基中硅的LDMOS器件被广泛使用于500MHz=2.5GHz之间的射频功率放大器应用当中。作为增强模式的N沟道MOSFET，LDMOS器件(LD代表侧面扩散，描述了器件的沟道结构)专门被设计成为具有高的工作电压(长沟道）和低寄生电容，从而能在高频下工作。在早     

为中国通信厂商提供优质服务—访威讯联合半导体总裁Bob Bruggeworth先生

12月6日,在无线通信产品专用射频集成电路(RFIC)领域居于领先地位的供应商美国RFMicroDevices公司(威讯联合半导体),在北京经济科技开发区星网工业园区新落成的工厂举行了隆重的开业庆典。该工厂包括测试及卷带封装作业系统和销售与客户支持办事处,业务重点是装配元器件,并向中国手机制造商、原设备设计制造商(ODM)和国际手机制造商在中国的生产提供支持。庆典上,记者采访了威讯联合半导体总裁BobBruggeworth先生。Bruggeworth先生说,在北京设立工厂表明威讯公司在亚太地区业务日益成长,同时显示了他们在中国这个世界上规模最大、成长…     

12864-12 LCD模块与射频SoC nRF9E5的串行接口设计

本文首先介绍一种具有2位或3位串行、4位或8位并行多种接口方式，内部含有国标一级、二级简体中文字库的图形点阵液晶显示模块12864-12，以及该模块的技术特性、串行接口方式和操作指令。然后介绍射频片上系统nRF9E5的片内微控制器结构与其接口资源，给出在无线数据传输系统中12864-12与nRF9E5串行连接的硬件电路和部分程序。最后，论述了该方案的优点。     

超高频低噪声晶体管失效分析

本文通过对超高频低噪声晶体三极管DG504的失效分析，明确了该器件的失效模式和失效机理，并提出了相应的改进措施，取得了良好的效果。     

用COMS工艺实现创新射频技术

随后登场的Silicon Laboratories公司副总裁：EdHealy，深入剖析了如何用COMS工艺实现创新射频技术，该技术为COMS收发器与数字信号日后的集成埋下了伏笔，引起现场听众的高度重视。