稀土元素的分离技术

对目前稀土元素分离过程中几种常用的分离技术进行了综述，使用得较多的仍然是溶剂萃取法和离子交换法，而且新方法也在不断地出现。     

退火损伤对Er注入GaAs和Yb注入InP发光的影响

本文报道了CaAs∶Er、InP∶Yb发光样品的二次离子质谱、X-射线双晶衍射测量结果及其与Er离子的表面成份的关系.分析讨论了退火损伤对GaAs∶Er和InP∶Yb发光的影响以及Er~(3+)复合体发光中心模型.     

Instability of zeolite Y supported cobalt sulfide hydrotreating catalysts in the absence of H2S

Ion exchanged CoNaY was sulfided at 473 and 673 K and subsequently heated in He at 673 and 773 K. The resulting samples were characterized by means of overall sulfur analysis, temperature programmed Ar treatment and Fourier transform infrared spectroscopy. It was shown that during He flushing at sufficiently high temperature a protolysis reaction occurs resulting in the decomposition of Co sulfide into Co²⁺ ions and H₂S.     

原子高离化态研究装置

介绍了原子高离化态研究装置,包括重离子加速器、测量装置、数据获取和处理系统。     

多离子束反应共溅射制备PbTiO_3铁电薄膜的微结构研究

本文利用多离子束反应共溅射装置，分别在Ｓｉ和ＭｇＯ衬底上原位制备了ＰｂＴｉ氧化物薄膜。研究表明，利用多离子束反应共溅射技术，可以显著降低薄膜后续热处理的温度；薄膜中焦绿石结构的消失温度与薄膜中Ｐｂ的含量有关；较之Ｓｉ衬底，在ＭｇＯ衬底上的薄膜较易获得好的晶体结构和优良的薄膜表面形貌。对所观察到的现象，从衬底与薄膜相互作用的角度进行了讨论     

1μm宽硅深槽刻蚀技术

介绍了硅深槽刻蚀的基本原理和影响刻蚀效果的几个主要工艺因素。提出了一种实现１μｍ宽的硅深槽刻蚀工艺途径；并给出了１μｍ宽、８μｍ深、侧壁及底部光洁的硅深槽刻蚀工艺条件。     

低能重离子及其碰撞产生的级联原子在生物材料中的直接作用范围

用Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ法模拟计算了３０ｋｅＶ和２００ｋｅＶ的Ｎ＾＋与１１０ｋｅＶ的Ｆｅ＾＋在模拟细胞中的射程分布和径迹结构，并将１１０ｋｅＶＦｅ＾＋模拟计算的结果与ＲＳＢ测量的结果相比较，发现计算与测量的结果吻合较好，离子的作用范围小于１μｍ。计算和实验的结果都说明能量相当低的重离子不大可能直接作用引起麦胚深层生物效应。     

Ge/Pd/n-GaAs低阻欧姆接触的SIMS分析

采用Ge／Pd／GaAs结构和快速热退火在n－GaAs上形成了低阻欧姆接触。利用H次离子质谱（SIMS）技术揭示和讨论了低欧姆接触形成的机理。比较了采用X 和CsX 信号检测的Ge，Pd，Ga和As的深度分布。结果表明采用CSX 可以提供更准确的结果和成分信息。     

大尺寸氟化铅晶体的生长

描述了不用高真空条件，在通常的Ｂｒｉｄｇｍａｎ－Ｓｔｏｃｋｂａｒｇｅｒ炉中，用高温下的反应方法，消除了原料及生长炉内残存的Ｏ＾２－及ＯＨ＾－，生长出优质，大尺寸的β－ＰｂＦ２晶体。在晶体生长时，出现的主要问题是在晶体中的针状结构及开裂，但可通过控制条件来解决。