MF-47型万用表的电路分析

本文主要介绍“MF-47型”万用表的各档的测量原理和整机电路的分析。     

县区电网电压无功控制系统设计

针对目前地区电网电压无功控制的现状,提出了电网电压无功监控系统的设计方案。说明优化控制系统应该实现的功能,选用线性规划(LP)算法为核心程序,正常状态下以有功网损最小为目标函数。依据分离原理提出两层分级控制的系统结构,分析优化控制系统的工作流程及特点。     

电流叠加型CMOS基准电压源

介绍了一种CMOS基准电压源,该电路由NMOS管阈值电压的温度系数及NMOS管迁移率温度系数形成温度补偿,产生低温度系数的基准电压。与传统的带隙基准比较而言,不需要三极管;另外,通过结构的改进,变成正负温度系数电流叠加型的基准电压源,可以按需要任意调节输出基准电压的值,而且可以同时提供多个基准电压。电流叠加型基准电压源电路已经在3μmCMOS工艺线上实现,基准电压源输出中心值在2.2 V左右,温度系数为80 ppm/℃。     

新型的芯片间互连用CMOS/BiCMOS驱动器

从改善不同类型 IC芯片之间的电平匹配和驱动能力出发 ,设计了几例芯片间接口 (互连 )用 CMOS/Bi CMOS驱动电路 ,并提出了采用 0 .5 μm Bi CMOS工艺 ,制备所设计驱动器的技术要点和元器件参数。实验结果表明所设计驱动器既具有双极型电路快速、大电流驱动能力的特点 ,又具备 CMOS电路低压、低功耗的长处 ,因而它们特别适用于低电源电压、低功耗高速数字通信电路和信息处理系统。     

无线电基础知识讲座

电路分析中常用的定律和定理（中） 5等效电源定理 常见电源有两类，一类是电压源，一类是电流源，分别如图6-（1）和6-（2）所示。电压源中有恒定的电动势E和内阻r，当其内阻r=0时，称理想电压源。因其内阻为零，根据全回路欧姆定律，无论外接负载大小，它供出的电流怎样变化，其内阻都不会产生压降，所以其输出电压永远是恒定的，为此也称之为“恒压源”。     

数字电路中电源电压瞬间下降的成因及改进

通过分析数字集成芯片多输出中电源电压瞬间下降的原因,对常规驱动电路结构进行改进。改进后单输出电路的峰值电流降为原来的2/3,再通过优化版图的电源布线,能有效防止电源电压下降,使芯片正常稳定地工作。     

应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性

以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGe pMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于Si pMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同Si pMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGe pMOS呈现穿通击穿机制.     

电压源逆变器供电感应电机系统的直接转矩控制综述

本文回顾了近年来在电压源逆变器供电的感应电机系统中采用的直接转矩控制（DTC）技术。阐述了以下几种控制方案，基于开关矢量的DTC（ST-DTC），转矩直接自控制（DSC），恒开关频率空间矢量调制DTC（DTC-SVM）。同时，本文也介绍了基于神经模糊逻辑控制器的这种最新技术的DTC-SVM。文中给出了一些波形图来说胆这些控制特性。     

ADI公司电源时序控制器

美国微芯科技公司（Microchip Technology Inc．）宣布，PICkit2开发编程器现可对特定PIC单片机产品进行在线调试。据称这将有助于工程师、学生及任何有兴趣的人以非常低的初始投资，对PIC单片机产品进行开发和评估。