用各向异性介质构造的一维光子晶体的特性分析

本文根据单轴晶体的传输矩阵，研究了一种由各向异性介质周期排列构成的一维光子晶体，分析了在不同入射角度和折射率条件下，该周期结构的反射和偏振的光学特性。分析结果表明，各向异性介质在折射率比值较大或与高折射率同性介绍结合使用，可获得较宽的禁带，并可实现在可见光范围内的全偏振全角度反射。     

绕扰流片分离流动的壁面压力测量

在风洞中用电子扫描阀进行测压实验，研究了底部间隙和锯齿高度对扰流片引起的壁面压力分布的影响。结果表明底部间隙在g／h≥1．0时对扰流片上游壁面压力分布曲线有较大影响，而对下游回流区压力分布曲线的影响主要在0≤g／h≤2．0的区域内；并且在g／^=0．2、1．0时，流动结构发生改变。另外，锯齿扰流片的当量面积与平板扰流片相等时，锯齿高度对下游底板压力分布特性的影响亦主要限于0≤x／h≤2．0的区域。     

通用USB接口设备控制器的研究

简要介绍了USB技术的发展与现状；详细论述了USB系统的硬件结构；深入研究了USB系统的特点；探讨了USB系统目前仍在的问题。     

Low-resistance polysilicon process in contact application for high density devices

For the lowest resistance, it is required to have the epitaxial silicon contact between the silicon plug and the substrate and good step coverage at the high aspect-ratio contact holes, simultaneously. In this work, a double polysilicon (DPS) deposition technique was proposed for the requirements. The first, thin silicon layer is deposited in a single-wafer process chamber with an in-situ H₂-RTP (rapid thermal process) treatment for the epitaxial contact, and the second silicon layer is formed in a batch-type furnace for good step coverage. From chain resistance, Kelvin R_c, and current-voltage (I–V) measurement, the DPS process meets both low resistance and good uniformity, so that it suggests a breakthrough in the small-sized, semiconductor device application.     

STM tunneling spectroscopy on high Tc superconductors

STM tunneling spectroscopy has been performed on the bulk single crystals of BiSrCaCuO (BSCCO) and the epitaxial thin films of YBaCuO (YBCO) at cryogenic temperatures. The STM images and tunneling spectra observed on the (001) surfaces can be classified into three cases; 1) Atomic image is visible. However, the tunneling spectrum shows semiconducting or smeared superconducting gap structures, depending on the tip-sample distance. 2) Clear atomic image can not be obtained. But, the tunneling spectrum shows flat bottom region with quite low zero bias conductance. 3) Tunneling spectra demonstrate gapless behavior, independent of the tip-sample separation. These observations support the quasi-2D electronic picture in whichs-wave like 2D superconducting layers are coupled with each other through the Josephson effect.     

双戗堤截流时下戗堤的作用分析

立堵截流计算的核心内容是龙口流速的求取，因为龙口流速的大小直接影响到截流时所选择抛投料粒径的大小，可以说是衡量截流难度的一个重要指标。本文在分析单戗堤立堵截流龙口流速变化规律的基础上，着重研究了在双戗堤立堵截流中，当上戗堤最困难的时候，也就是流速最大的时候，下戗堤是否能够壅水，从而降低上戗堤的截流难度这个问题，论证了双戗堤立堵截流水力控制条件的正确性，为双戗堤立堵截流的顺利施工提供判断依据一     

液晶分子附着能和盒间隙对响应时间的影响

通过理论分析和实验研究液晶分子附着能和液晶盒间隙对响应时间(τ0)的影响。用液晶盒有效间隙法和表面动力学方程法两种方法推出分析公式,由这两种方法推出的结果是一致的。实验数据与简化方程τ0-dx基本拟合(其中d是液晶盒的间隙,x是指数)。在两种极端的(极大或极小)附着能极限下,指数x分别接近2和1。这个结论有助于优化液晶显示器件的应用。     

多孔硅（PS）制备新方法

介绍了两种制备多孔硅的方法：电火花刻蚀法和激光辐射腐蚀法。讨论了这两种新方法制备的多孔硅样品的结构和发光特性，同时，与电化学法制备的多孔硅的结构和发光特性进行了比较。最后指出这两种新方法对于多孔硅形成机理和发光机制研究是有所帮助的。     

穿孔顶头表面氧化膜浅析

分析了穿孔顶头表面氧化膜的形成过程、性质、作用、界面行为，以及对顶头使用寿命的影响。指出了提高该氧化膜耐久性的途径。     

响洪甸电站引水隧洞进口水下岩塞爆破施工

响洪甸抽水蓄能电站水下岩塞爆破施工要求高,技术新,难度大.由于施工准备充分,并进行了一系列材料及施工试验,工程进展顺利,排孔造孔、导洞药室开挖、药管与起爆体加工、装药与堵塞、网络施工、充水补气等工程施工质量符合设计要求,岩塞爆破准时成功起爆.