外腔式半导体激光器的输出光谱

用射线法导出了两段式激光器的输出谱公式，分析了外腔式半导体激光器的输出光谱，计算了ＥＣＬＤ被调二极管模式的不同波长处振时的阈值，获得了ＥＣＬＤ模式的波长表达式，讨论了二极管靠近光栅的一面的反射率的波长特性对输出的影响。     

氮化钛薄膜的高分辨AES谱和XPS谱研究

着重讨论了TiNx薄膜俄歇电子谱的定量分析方法和X射线光电子谱中线形的变化。利用已知组元强度定量分析技术和Ti的LMV俄歇电子峰，探讨TiNx薄膜中N含量的定量方法。由该方法给出的定量结果与X射线光电子谱定量结果相一致。同时，利用X射线光电子谱测定了TiN和Ti2N2p轨道的结合能。并针对Ti2p峰形随N含量的变化，给出新的解释。     

金属镱低压吸氘研究

在真空系统中的氘压低于0.1 MPa条件下研究了金属镱的吸氘性能,并对不同原子比的氘化物的物相进行了分析.在常压、300 ℃下,金属镱吸氘不明显;400 ℃时,金属镱经较长时间活化后吸附一定量的氘;500 ℃时,镱升华.400 ℃时的吸氘实验结果表明:从活化至开始吸氘直至吸附平衡需很长时间;氘/镱原子比的高低与吸氘时间有关,饱和吸氘时的原子比最大为2.00;金属镱为面心立方(fcc)结构,a0=0.549 2 nm.具有不同原子比的氘化镱的X射线衍射(XRD)分析结果显示:氘化镱有2种结构,即面心立方结构(a0=0.524 nm)和正交结构(a0=0.588 nm、b0=0.358 nm、c0=0.678 nm);金属镱吸氘后,立方结构氘化镱晶格常数及晶胞体积均发生收缩现象,收缩率分别约为4%和11%.正交结构氘化镱晶胞体积收缩约14%.     

电沉积Ni-W合金镀层的X射线光电子能谱分析

采用X射线光电子能谱（XPS）对电沉积Ni-W合金镀层表面膜进行了分析。研究结果表明，Ni-W合金镀层表面存在一层薄的氧化膜，而钨的氧化作用远大于镍，Ni-W合金镀层中W含量的提高对耐蚀性起决定作用。     

黄金首饰的鉴定（X射线能谱仪应用之一）

利用Ｘ射线能谱仪定量测定黄金首饰成分，选择合理测试参数，经多次测定取其平均值而获得其成分，并借助改变加速电压，判断成分波动范围的合理性。     

低银医用X光胶片的研制

对几种增黑剂进行了筛选实验研究，选用了两种增黑剂组合使用，提高了遮盖力，使医用Ｘ光胶片涂布银量由原业的９ｇ／ｍ２降到了６．８ｇ／ｍ２，与美国医用Ｘ光胶片涂布银量（６．７ｇ／ｍ２）相当，照相性能不低于国产医用Ｘ光胶片。     

GaAs Mach－Zehnder型光波导开关／调制器

采用非对称Ｘ结耦合器代替传统的Ｙ分支器，研制了ＧａＡｓＭａｃｈ－Ｚｅｈｎｄｅｒ型２×２光开光，得到了小于－２２．４ｄＢ的串音比和１２Ｖ左右的开关电压，器件的波导传输损耗小于７ｄＢ／ｃｍ。预计该器件可广泛应用于ＧａＡｓ开关列阵及高速光调制等领域。