CMOS光接收机主放大器设计

利用CMOS工艺设计一种用于SDH STM 4速率级(622 Mb/s)光纤用户网的光接收机放大电路。此电路由输入/输出缓冲、主放大单元、偏置补偿电路4部分组成。通过直接耦合技术提高增益,降低功耗;利用有源电感负载提高系统带宽。采用商用SmartSpice电路仿真软件和CSMC HJ 0.6μm工艺参数对该电路进行仿真。结果表明,该电路在5 V工作电压下中频增益为81 dB,3 dB带宽为470 MHz。     

IR推出最新型200V DirectFET MOSFET效率高达95％并可大幅节省占位空间

全球功率半导体和管理方案供应商-国际整流器公司（International Rectifier．简称IR）日前推出了一款IRF6641TRPbF功率MOSFET，这种采用IR标准的DirectFET封装技术结合IR最新的200 VHEXFET MOSFET硅技术的新器件可实现95％的效率，并可大幅节省占位空间。     

“锲而不舍 金石可镂”——上海秀派公司2．45GHz有源RFID标签技术的成功之路

上海秀派公司坚持自己的技术长项——2．45GHz有源RFID,充分发扬该种RFID的特长,记者采访该公司时了解到了开发方面的很多细节、成功案例和实施经验。我们不但非常推崇该公司的“锲而不舍”的意志,而且还意识到如果秀派公司的成功经验一旦辐射到中国的RFID行业中,一定会把这项在国外诞生的技术更好地植根于中国的土壤,使之更加适合中国的实用环境。     

5Gb/s 0.25μm CMOS限幅放大器

采用TSMC 0.25μm CMOS技术设计实现了高速低功耗光纤通信用限幅放大器.该放大器采用有源电感负载技术和放大器直接耦合技术以提高增益,拓展带宽,降低功耗并保持了良好的噪声性能.电路采用3.3V单电源供电,电路增益可达50dB,输入动态范围小于5mVpp,最高工作速率可达7Gb/s,均方根抖动小于0.03UI.此外核心电路功耗小于40mW,芯片面积仅为0.70mm×0.70mm.可满足2.5,3.125和5Gb/s三个速率级的光纤通信系统的要求.     

基于水印的图像认证和完整性保护技术

数字水印技术的发展为解决图像认证和完整性保护问题提供了新的思路。对用于篡改检测和图像认证的水印技术做了综述。数字水印技术根据其识别差错的能力分为四种类型:易损水印、半易损水印、混合水印和自嵌入水印。最后还对水印认证技术的安全性问题进行了讨论。     

基于数据融合技术对抗有源诱饵研究

提高抗干扰能力是精确制导武器发展中亟待解决的问题。通过介绍当前国外拖曳式有源诱饵的现状与发展趋势，分析有源诱饵干扰的特点，基于数据融合技术，对双模复合制导导弹对抗拖曳式有源诱饵技术进行了理论研究。     

用于有源电力滤波器的IGBT驱动及保护研究

介绍有源电力滤波器设计中EXB841型绝缘栅场效应晶体管(IGBT)驱动器的驱动原理和电路特点,对IGBT的栅极驱动特性、栅极串联电阻进行了探讨,给出过流保护和过压吸收的有效办法。样机试运行证明此种设计方案可靠、有效。     

微杯电子纸及其后加工制程

SiPix利用独特的微杯(Microcup)结构和顶部灌注封装技术，通过连续整卷高速涂布的制程成功地制造出高性能的双稳性、装填电泳微粒的电子纸。SiPix可提供下列两种规格形式任意的EPD卷式成品：(A)用于有源矩阵EPD和直接驱动产品的可剥离保护膜／已灌装及密封的Microcup／无图案导体膜夹层卷；及（P）用于无源矩阵的行导体膜／已灌装及密封的Microcup／列导体膜夹层卷。已经开发出将EPD卷制成不同的显示模块或产品的简单的后续加工制程。